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High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching
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作者 徐云 曹青 +4 位作者 孙永伟 叶晓军 侯识华 郭良 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1079-1083,共5页
High power and high-slope efficiency 650nm band real-refractive-index ridge w aveguide AlGaInP laser diodes with compressive strained MQW active layer are for med by pure Ar ion beam etching process.Symmetric laser me... High power and high-slope efficiency 650nm band real-refractive-index ridge w aveguide AlGaInP laser diodes with compressive strained MQW active layer are for med by pure Ar ion beam etching process.Symmetric laser mesas with high perpendi cularity,which are impossible to obtain by traditional wet etching method due to the use of a 15°-misoriented substrate,are obtained by this dry etching metho d.Laser diodes with 4μm wide,600μm long and 10%/90% coat are fabricated.Th e typical threshold current of these devices is 46mA at room temperature,and a s table fundamental-mode operation over 40mW is obtained.Very high slope efficien cy of 1.4W/A at 10mW and 1.1W/A at 40mW are realized. 展开更多
关键词 AlGaInP visible lasers Ar ion beam dry etching
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Metallographic sample prepared by ion beam etching 被引量:3
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作者 XU Xiang-yang ZHANG Kun HAN Jian-min CHEN Guang-nan 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2004年第z1期282-285,共4页
Ion beam etching technique was used to reveal the metallograhpic microstructure and interface morphology of electroplating chromium coating, in particular, whose substrate surface layer was treated in advance by laser... Ion beam etching technique was used to reveal the metallograhpic microstructure and interface morphology of electroplating chromium coating, in particular, whose substrate surface layer was treated in advance by laser quenching. Chemical etchings were also conducted for comparison. The reveal microstructures were observed and analyzed by scanning electron microscopy. The results show that ion beam etching can reveal well the whole microstructures of composite coating-substrate materials. 展开更多
关键词 ion beam etching METALLOGRAPHY microstructure ELECTROPLATING CHROMIUM
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Etching and Damage Action on Microbes' Cells by Low Energy N^+ Beam 被引量:2
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作者 宋道军 余增亮 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第4期415-421,共7页
The action of etching and damage by 20 keV N+ beam on the cells of Deinococcus radiodurans and Escherichia coli was investigated by scanning electron microscope (SEM) and the electron spin resonance (ESR) spectrum of ... The action of etching and damage by 20 keV N+ beam on the cells of Deinococcus radiodurans and Escherichia coli was investigated by scanning electron microscope (SEM) and the electron spin resonance (ESR) spectrum of free radicals. The results showed that N+ implantation exerted the direct action of etching and damage of momentum transferring and the indirect action of the free radicals of energy deposition on their cells, many microholes were found on the surface of cells' wall and /or membrane by SEM, the damaged DNA was determined using DNA unwinding technique, and the signal of free radicals was measured by ESR. The degree of damage to cells by ion beam gradually increased with the increase implantation dose. With the post-treatment of 2 mmol/l caffeine and 0.5 mmol / l Na2-EDTA, the survival rate of D.radiodurans and E.coli further decreased in the order of caffeine > Na2-EDTA > control, and this suggested that low energy ion beam could be implanted into nucleus, doing a damage to DNA and resulting in the mutation of organisms. 展开更多
关键词 beam Cells by Low Energy N etching and Damage Action on Microbes DNA
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Supercontinuum Generation in Lithium Niobate Ridge Waveguides Fabricated by Proton Exchange and Ion Beam Enhanced Etching 被引量:1
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作者 Bing-Xi Xiang Lei Wang +3 位作者 Yu-Jie Ma Li Yu Huang-Pu Han Shuang-Chen Ruan 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第2期34-38,共5页
We report on the fabrication of the lO-mm-long lithium niobate ridge waveguide and its supercontinuum gen- eration at near-visible wavelengths (around 800hm). The waveguides are fabricated by a combination of MeV co... We report on the fabrication of the lO-mm-long lithium niobate ridge waveguide and its supercontinuum gen- eration at near-visible wavelengths (around 800hm). The waveguides are fabricated by a combination of MeV copper ion implantation followed by wet etching in a proton exchanged lithium niobate planar waveguide. Using a mode-locked Ti:sapphire laser with a central wavelength of 800nm, the generated broadest supereontinuum through the ridge waveguides spans 302 nm (at -30 dB points), from 693 to 995 nm. Temporal coherence proper- ties of the supercontinuum are experimentally studied by a Michelson interferometer and the coherence length of the broadest supercontinuum is measured to be 5.2 μm. Our results offer potential for a compact and integrated supercontinuum source for applications including bio-imaging, spectroscopy and optical communication. 展开更多
关键词 LENGTH Supercontinuum Generation in Lithium Niobate Ridge Waveguides Fabricated by Proton Exchange and Ion beam Enhanced etching
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Research on the Adsorption of Methylene Blue with Rice Husk Ash Aided by Ion Beam Etching Technique
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作者 ZHANG Jinga CAI Dong-qinga +2 位作者 CAI Chuan-jie ZHANG Cai-li WU Zheng-yan 《Meteorological and Environmental Research》 CAS 2011年第8期89-91,共3页
[Objective] The aim was to study the mechanism of the removal effect of methylene blue(MB) by rice husk ash(RHA).[Method] The effects of contact time and pH on the adsorption of MB by rice husk ash were investigated,a... [Objective] The aim was to study the mechanism of the removal effect of methylene blue(MB) by rice husk ash(RHA).[Method] The effects of contact time and pH on the adsorption of MB by rice husk ash were investigated,and the mechanism was discussed.[Result] RHA exhibited a remarkable ability on the adsorption of MB.The process of adsorption reached the equilibrium after 30 min,at about pH 9.The adsorption effect was explored with the aid of ion beam etching technique,which displayed that there were two main adsorption manners.One was the electrostatic interactions,through which the negatively charged RHA could adsorb the positively charged MB,the other was the porous effect due to the huge specific surface area of the micro/nano-scale porous silica in RHA,and MB could be adsorbed and deposited into the pores.[Conclusion] RHA could be used in the treatment of textile wastewater.Ion beam technology might be used as an effective way to investigate the adsorption effect. 展开更多
关键词 Rice husk ash Methylene blue ADSORPTION Ion beam etching Micro/nano scale silicon dioxide
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碲镉汞红外探测器离子束刻蚀研究
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作者 宁提 何斌 +1 位作者 刘静 徐港 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1410-1416,共7页
电极成型技术是红外焦平面探测器的重要组成部分,离子束刻蚀技术由于具有高各向异性和高分辨率等诸多优点,适用于制备低损伤、高均匀性以及可生产性的电极体系。本文采用离子束刻蚀制备了平面型、台面型器件的电极结构,通过FIB和SEM表... 电极成型技术是红外焦平面探测器的重要组成部分,离子束刻蚀技术由于具有高各向异性和高分辨率等诸多优点,适用于制备低损伤、高均匀性以及可生产性的电极体系。本文采用离子束刻蚀制备了平面型、台面型器件的电极结构,通过FIB和SEM表征了不同刻蚀条件下的电极形貌和结构,研究了不同刻蚀角度、能量以及热处理对碲镉汞红外探测器的影响。结果表明,离子束刻蚀技术具有侧边平滑、均匀性高、稳定性强以及工艺重复性好等诸多优点。另外,离子束刻蚀可以实现台面结器件的电极隔离,但台面侧壁存在一定金属电极残留,需要进一步优化台面形貌和刻蚀角度。在热处理对刻蚀的影响上,低能量刻蚀形成的晶格损伤,经过高温可以修复;高能量刻蚀将同时造成晶格损伤和电学损伤,热处理只能一定程度上改善pn结性能,电学损伤将在刻蚀后表面形成严重的漏电效应,降低了探测器的品质因子R_(0)A。 展开更多
关键词 碲镉汞 离子束刻蚀 电极接触 热处理
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聚焦离子束工艺参数对单像素线刻蚀的影响
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作者 李美霞 施展 +2 位作者 陆熠磊 王英 杨明来 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期818-824,共7页
单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离... 单像素线刻蚀是制备微纳米器件中的基本单元及加工其他复杂结构的基础,对聚焦离子束(FIB)加工具有重要的意义。通过改变离子束流的大小、驻留时间、扫描步长百分比及离子剂量等参数,对硅表面进行单像素线刻蚀的研究。结果表明,在聚焦离子束加工中,离子剂量与刻蚀线条宽度和深度之间呈正相关,与宽深比之间呈负相关;离子束流大小的变化对刻蚀深度影响不明显,但刻蚀宽度和宽深比随离子束流的增大而增大。此外,随着离子束流驻留时间增加,刻蚀宽度增大而深度减小;随着扫描步长百分比的增大,刻蚀深度增大,刻蚀宽度减小,分析结果表明这些变化与加工过程中再沉积作用有关。本研究成果为后续复杂图形的精密加工提供了重要参考依据。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB)刻蚀 加工参数 刻蚀形貌 单像素线 再沉积 宽深比
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离子束刻蚀技术在SAW滤波器频率修整上的应用
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作者 时鹏程 吴兵 +4 位作者 袁燕 于海洋 林树超 孟腾飞 周培根 《微纳电子技术》 CAS 2024年第3期169-175,共7页
随着声表面波(SAW)滤波器的应用向高频、窄带方向延伸,在制造过程中准确地控制其中心频率及一致性变得越来越困难,需要对SAW滤波器的频率进行微调。重点介绍了一种在SAW滤波器上可实现目标频率修整的离子束刻蚀修频工艺,通过实验发现刻... 随着声表面波(SAW)滤波器的应用向高频、窄带方向延伸,在制造过程中准确地控制其中心频率及一致性变得越来越困难,需要对SAW滤波器的频率进行微调。重点介绍了一种在SAW滤波器上可实现目标频率修整的离子束刻蚀修频工艺,通过实验发现刻蚀厚度不同对滤波器表面的影响程度不同,一次离子束刻蚀厚度为50 nm时,铝膜表面出现微结构变化。分析了对晶圆、器件进行离子刻蚀工艺引起热损伤的机理,表征了不同刻蚀厚度对SAW滤波器粘接芯片的剪切力和硅铝丝键合力的影响。根据实验现象及结果提出了分梯度多次刻蚀的优化方案,给出了不同刻蚀厚度的刻蚀精度,对实验结果进行拟合,得到中心频率与刻蚀厚度的关系方程,从频率、插入损耗和通带方面分析了离子束刻蚀工艺对SAW滤波器电学性能的影响。经离子束刻蚀修频后,滤波器中心频率提高2 MHz,中心频率标准差由0.4 MHz减少为0.15 MHz,中心频率的均一性由0.29%改善至0.11%,频率一致性变好。 展开更多
关键词 声表面波(SAW)滤波器 离子束刻蚀 频率修整 刻蚀速率 微观结构
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薄膜体声波滤波器的离子束刻蚀修频工艺
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作者 时鹏程 张智欣 +3 位作者 张倩 冯志博 倪烨 于海洋 《微纳电子技术》 CAS 2024年第1期168-174,共7页
薄膜体声波滤波器因设计模型与器件性能存在匹配度问题及制造过程中各工序的累计误差导致频率一致性差,严重影响了产品良率,因此实现晶圆级别的频率修整十分必要。介绍了离子束刻蚀工艺的原理、技术特点与优势,研究了刻蚀电压、刻蚀电... 薄膜体声波滤波器因设计模型与器件性能存在匹配度问题及制造过程中各工序的累计误差导致频率一致性差,严重影响了产品良率,因此实现晶圆级别的频率修整十分必要。介绍了离子束刻蚀工艺的原理、技术特点与优势,研究了刻蚀电压、刻蚀电流、刻蚀距离、Ar气体体积流量及单次刻蚀量对刻蚀效果的影响,表征了离子束刻蚀工艺对AlN钝化层厚度均一性、刻蚀精度及粗糙度的影响。探究了离子束刻蚀工艺在薄膜体声波滤波器频率修整上的应用,表征了离子束刻蚀工艺对钝化层的表面形貌及晶圆应力的影响。研究结果表明,刻蚀电压为1500 V、刻蚀电流为18 mA、刻蚀气体体积流量为4 cm^(3)/min、刻蚀距离为80 mm时,刻蚀精度高,具有一定借鉴意义;通过3轮电性能测试分析和离子束刻蚀工艺,频率标准差仅为1.23 MHz,大幅提升了薄膜体声波滤波器的频率一致性。 展开更多
关键词 薄膜体声波滤波器 离子束刻蚀 频率修整 刻蚀速率 膜厚修整
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大束流阳极层离子源的阴极刻蚀现象及消除措施
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作者 汤诗奕 马梓淇 +5 位作者 邹云霄 安小凯 杨东杰 刘亮亮 崔岁寒 吴忠振 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期230-241,共12页
阳极层离子源可输出高密度离子束流,广泛用于等离子体清洗和辅助沉积,但大束流下内部易发生放电击穿,且大量离子轰击内外阴极导致明显刻蚀,易造成样品污染.本文提出阳极环绕磁屏蔽罩和内外阴极溅射屏蔽板的设计方案,并仿真研究了其对离... 阳极层离子源可输出高密度离子束流,广泛用于等离子体清洗和辅助沉积,但大束流下内部易发生放电击穿,且大量离子轰击内外阴极导致明显刻蚀,易造成样品污染.本文提出阳极环绕磁屏蔽罩和内外阴极溅射屏蔽板的设计方案,并仿真研究了其对离子源电磁场和等离子体放电输运的影响.发现阳极环绕磁屏蔽罩可切断离子源内部阴阳极间的磁场回路,消除打火条件.内外阴极溅射屏蔽板选择溅射产额低且绝缘性能好的氧化铝,既可阻挡离子溅射,又能屏蔽阴极外表面电场,使等离子体放电向阳极压缩,在抑制阴极刻蚀行为的同时提升离子输出效率.当距离阴极外表面9 mm时,溅射屏蔽板的作用效果最优,不仅能获得稳定放电和高效输出,还可大幅削弱阴极刻蚀行为并减少污染.实验结果显示:改进离子源无内部打火,输出高效且清洁,相同电流下离子输出效率较原离子源实际提高36%;玻璃基片在经过1 h清洗后,表面成分几乎不变,来自阴极溅射的Fe元素含量仅为0.03%,比原离子源低2个数量级,含量约为原离子源的0.6%,实验结果验证了理论分析. 展开更多
关键词 大束流阳极层离子源 阴极刻蚀 电磁屏蔽 输出性能
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离子束表面加工设备及工艺研究
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作者 范江华 李勇 +3 位作者 袁祖浩 龚俊 胡凡 黄也 《中国集成电路》 2024年第9期87-91,共5页
本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀... 本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高,芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低,满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。 展开更多
关键词 离子束溅射沉积 离子束刻蚀 离子束加工 射频离子源
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中长双色红外焦平面探测器组件技术研究 被引量:2
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作者 耿松 杨晋 +10 位作者 李树杰 覃钢 李立华 赵俊 李艳辉 孔金丞 赵鹏 左大凡 胡彦博 梁艳 任洋 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期292-299,共8页
在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约7... 在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 cm^(-2),同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×10^(5) cm^(-2);双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6~5.0μm,长波波长响应范围为7.4~9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。 展开更多
关键词 中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音
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宽束离子束刻蚀快速加工金属纳米间隙结构 被引量:5
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作者 曾沛 舒志文 +2 位作者 陈艺勤 段辉高 郑梦洁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期109-118,共10页
提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转... 提出并演示了利用宽束离子束刻蚀方法一次性对多个杠铃形金属纳米结构进行“横向抽减”,形成极小纳米间隙,从而实现多个金属纳米间隙结构的快速加工。利用电子束曝光定义图形化抗蚀剂结构,通过传统的金属沉积和湿法剥离将抗蚀剂图案转移至杠铃形金属纳米结构,最后使用宽束离子束刻蚀进行修剪。实验表明,精确控制刻蚀时间可以使杠铃形结构的两个纳米天线间的间隙距离达到10 nm以下,通过结合基于HSQ负性抗蚀剂的图案化工艺,可在HSQ纳米模板上制得悬空金属纳米间隙结构。利用表面结构形貌表征获得刻蚀过程中纳米结构的形态演变规律,并通过系统的实验和模拟验证了悬空金属间隙结构用于表面增强拉曼散射的优势。该方案为多个极小金属纳米间隙结构的一次成型提供了新的思路,在大面积拉曼传感衬底的低成本高效制备方面具有可观的应用前景。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 电子束曝光 金属纳米间隙 亚10 nm 拉曼检测
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Imaging the interphase of carbon fiber composites using transmission electron microscopy:Preparations by focused ion beam, ion beam etching, and ultramicrotomy 被引量:3
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作者 Wu Qing Li Min +2 位作者 Gu Yizhuo Wang Shaokai Zhang Zuoguang 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第5期1529-1538,共10页
Three sample preparation techniques, focused ion beam (FIB), ion beam (IB) etching, and ultramicrotomy (UM) were used in comparison to analyze the interphase of carbon fiber 'epoxy composites using transmission... Three sample preparation techniques, focused ion beam (FIB), ion beam (IB) etching, and ultramicrotomy (UM) were used in comparison to analyze the interphase of carbon fiber 'epoxy composites using transmission electron microscopy. An intact interphase with a relatively uniform thickness was obtained by FIB. and detailed chemical analysis of the interphase was investigated by electron energy loss spectroscopy. It shows that the interphase region is 200 mn wide with an increasing oxygen-to-carbon ratio from 10% to 19% and an almost constant nitrogen-to-carbon ratio of about 3%. However, gallium implantation of FIB tends to hinder fine structure analysis of the interphase. For IB etching, the interphase region is observed with transition morphology frona amorphous resin to nano-crystalline carbon fiber, but the uneven sample thickness brings difficulty for quantitative chemical analysis. Moreover, UM tends to cause damage and/or deformation on the interphase. These results are meaningful for in-depth understanding on the interphase characteristic of carbon fiber composites. 展开更多
关键词 Carbon fiber compositeChemical analysis Focused ion beams lnterphase Ion beam etching MICROSTRUCTURE Ultramicrotomy
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A process study of electron beam nano-lithography and deep etching with an ICP system 被引量:2
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作者 LI QunQing ZHANG LiHui +1 位作者 CHEN Mo FAN ShouShan 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第6期1665-1671,共7页
A systemic process study on an electron beam nanolithography system operating at 100kV was pre-sent.The exposure conditions were optimized for resist ZEP520A.Grating structures with line/space of 50nm/50nm were obtain... A systemic process study on an electron beam nanolithography system operating at 100kV was pre-sent.The exposure conditions were optimized for resist ZEP520A.Grating structures with line/space of 50nm/50nm were obtained in a reasonably thick resist which is beneficial to the subsequent pattern transfer technique.The ICP etching process conditions was optimized.The role of etching parameters such as source power,gas pressure,and gas flow rate on the etching result was also discussed.A grating structure with line widths as small as 100nm,duty cycles of 0.5,depth of 900nm,and the side-wall scalloping as small as 5nm on a silicon substrate was obtained.The silicon deep etching technique for structure sizes smaller than 100nm is very important for the fabrication of nano-optical devices working in the visible regime. 展开更多
关键词 ELECTRON beam LITHOGRAPHY ZEP520A RESIST REACTIVE ion etching nanofabrication
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半导体单量子点的分子束外延生长及调控
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作者 宋长坤 黄晓莹 +2 位作者 陈英鑫 喻颖 余思远 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期982-996,共15页
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的... Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构,能够按需产生单光子和纠缠多光子态,而且可以直接与成熟的集成光子技术结合,因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的重点是介绍高品质单量子点的分子束外延生长及精确调控的方法。首先介绍了晶圆级均匀单量子点的分子束外延生长,并探讨了调控浸润层态和量子点对称性的生长方法;接下来概述了利用应变层调控量子点发射波长的方法,总结了几种常见的电调控单个量子点器件的设计原理;最后讨论了最近为实现优异量子点光源而开发的液滴外延生长技术。 展开更多
关键词 单量子点 分子束外延 生长调控 S-K模式 液滴刻蚀 单光子源 纠缠光源
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In-situ end-point detection during ion-beam etching of multilayer dielectric gratings 被引量:1
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作者 林华 李立峰 曾理江 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第2期63-65,共3页
An in-situ end-point detection technique for ion-beam etching is presented. A laser beam of the same wavelength and polarization as those in the intended application of the grating is fed into the vacuum chamber, and ... An in-situ end-point detection technique for ion-beam etching is presented. A laser beam of the same wavelength and polarization as those in the intended application of the grating is fed into the vacuum chamber, and the beam retro-diffracted by the grating under etching is extracted and detected outside the chamber. This arrangement greatly simplifies the end-point detection. Modeling the grating diffraction with a rigorous diffraction grating computer program, we can satisfactorily simulate the evolution of the diffraction intensity during the etching process and consequently, we can accurately predict the end-point. Employing the proposed technique, we have reproducibly fabricated multilayer dielectric gratings with diffraction efficiencies of more than 92%. 展开更多
关键词 Computer programming Dielectric materials etching Ion beams Laser beams Mathematical models VACUUM
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IBE离子束系统原理及故障解析
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作者 徐俊 申强 孙运玺 《电子工业专用设备》 2023年第5期41-45,共5页
介绍了离子束刻蚀系统用的大尺寸离子源、等离子体桥中和器的结构组成,描述了各部件的主要作用和工作原理,简要分析了各参数之间的相互关系;并提供了该类型设备常见故障的识别和排除方法。
关键词 离子束 离子源 刻蚀 等离子体桥中和器
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基于DMT模型的金刚石表面纳米摩擦学研究
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作者 杨欣 杨宁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2023年第8期136-144,共9页
基于DMT接触模型,在理论上计算金刚石表面纳米摩擦的摩擦力和摩擦因数;采用原子力显微镜,以金刚石探针和片状金刚石试件作为摩擦副,在大气环境下分别研究机械抛光和聚焦离子束(FIB)刻蚀的金刚石试件的摩擦学特性,并比较实验结果和DMT接... 基于DMT接触模型,在理论上计算金刚石表面纳米摩擦的摩擦力和摩擦因数;采用原子力显微镜,以金刚石探针和片状金刚石试件作为摩擦副,在大气环境下分别研究机械抛光和聚焦离子束(FIB)刻蚀的金刚石试件的摩擦学特性,并比较实验结果和DMT接触模型计算结果。结果表明:金刚石试件的摩擦因数均随着载荷的增加而减小,这与以往对金刚石微观摩擦的研究结果相符合;DMT接触模型计算结果与机械抛光表面试验结果吻合较好,而略高于FIB刻蚀表面试验结果,验证了DMT模型在金刚石纳米摩擦研究中的适用性。通过表面粗糙度和碳原子化学状态分析,得出粗糙表面对探针滑动的阻碍作用和FIB刻蚀过程中生产的非晶碳的减摩作用是DMT模型应用于上述2种加工表面产生差异的原因。 展开更多
关键词 DMT接触模型 金刚石 纳米摩擦 聚焦离子束刻蚀
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一种新型环形上DBR刻蚀微结构VCSEL及其空心光束
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作者 逄超 晏长岭 +2 位作者 杨静航 钱冉 李奕霏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期462-467,共6页
设计了带有质子注入高阻区的刻蚀微结构面发射半导体激光器结构,使得从出光口到上DBR形成环形波导,进而直接产生空心激光束输出。使用FDTD软件计算了刻蚀微结构VCSEL的光场分布,得到的环形模式图样在不同模式数目下都能保持空心光束的... 设计了带有质子注入高阻区的刻蚀微结构面发射半导体激光器结构,使得从出光口到上DBR形成环形波导,进而直接产生空心激光束输出。使用FDTD软件计算了刻蚀微结构VCSEL的光场分布,得到的环形模式图样在不同模式数目下都能保持空心光束的特性。制备了室温下激射波长为848 nm的微结构VCSEL,并测试其输出特性。阈值电流为0.27 A,峰值功率最高可达170 mW。不同电流下的近场图都显示出非常明显的空心环形光斑,远场光强分布曲线也符合空心光束的特性。该新型VCSEL技术为空心光束甚至阵列器件的发展提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 空心激光束 刻蚀结构 质子注入
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