热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力

采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。

甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用

采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .

在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜

置于直流等离子体化学气相沉积（ＤＣＰＣＶＤ）装置的阴极或阳极的２０、２０Ｃｒ、ＧＣｒ１５及２Ｃｒ１３钢，以及单晶硅材料的试样均可沉积获得以Ｓｉ３Ｎ４成分为主要成分的非晶态的绝缘薄膜。这种膜有一定制作条件，讨论了阴阳极上试样都能获得这种膜的原因。

用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜

控制工艺参数，用直流等离于化学气相沉积（DCPCVD）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Si3N4非晶态薄膜，并研究了薄膜的成分、结构。