期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Effect of Internal Antenna Coil Power on the Plasma Parameters in13.56 MHz/60 MHz Dual-Frequency Sputtering
1
作者 黄福培 杨麒正 +2 位作者 叶超 葛水兵 宁兆元 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期1197-1202,共6页
The plasma property of a hybrid ICP/sputtering discharge driven by 13.56 MHz/60 MHz power sources was investigated by Langmuir probe measurement. For the pure sputtering discharge, the low electron density and ion flu... The plasma property of a hybrid ICP/sputtering discharge driven by 13.56 MHz/60 MHz power sources was investigated by Langmuir probe measurement. For the pure sputtering discharge, the low electron density and ion flux, the rise of floating potential and plasma potential with increasing power, as well as the bi-Maxwellian distribution of electron en- ergy distributions (EEDFs) were obtained. The assistance of ICP discharge led to the effective increases of electron density and ion flux, the suppression of rise of floating potential and plasma potential, as well as the change of EEDFs from bi-Maxwellian distribution into Maxwellian dis- tribution. The increase of electron density and ion flux, and the EEDFs evolution were related to the effective electron heating by the induced electric field. 展开更多
关键词 hybrid icp/sputtering discharge plasma property
下载PDF
复合高功率脉冲磁控溅射放电等离子体特性 被引量:7
2
作者 李小婵 柯培玲 +2 位作者 许辉 张栋 汪爱英 《真空》 CAS 2015年第1期4-8,共5页
高功率脉冲磁控溅射具有高的金属离化率,在薄膜制备表现出巨大的优势,成为当前磁控溅射技术领域一个新的发展趋势。高功率脉冲磁控溅射的放电特性、等离子体特性等微观参数对薄膜质量控制具有决定性作用,分析宏观参数如何影响微观参数,... 高功率脉冲磁控溅射具有高的金属离化率,在薄膜制备表现出巨大的优势,成为当前磁控溅射技术领域一个新的发展趋势。高功率脉冲磁控溅射的放电特性、等离子体特性等微观参数对薄膜质量控制具有决定性作用,分析宏观参数如何影响微观参数,有利于提高薄膜质量,稳定工艺。因此,本文研究了脉冲与直流电源并联模式的复合高功率脉冲磁控溅射过程中,脉冲电压(400~800 V)对Ti、Cr靶在Ar气氛中的放电特性、等离子体参数(等离子体电势、电子温度、电子密度)、基体电流的影响。结果表明:复合高功率脉冲磁控溅射Ti、Cr靶放电过程中,脉冲电压的增加有利于脉冲作用期间的靶电压、靶电流、基体电流增加;当Ti靶脉冲电压为600 V或Cr靶脉冲电压为700 V时,电子密度出现较大值。Cr靶与Ti靶放电相比,前者的靶电流、基体电流、等离子体电势、电子温度比后者更高,而电子密度却更低。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 复合 放电特性 等离子体特性
下载PDF
高功率脉冲磁控溅射仿真技术研究进展 被引量:1
3
作者 崔岁寒 郭宇翔 +1 位作者 陈秋皓 吴忠振 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期23-41,共19页
磁控溅射技术广泛用于制备多种功能涂层/薄膜材料,随着材料加工的精密化和功能器件的微型化,其已成为工业生产中必要环节。磁控溅射的发生基于等离子体放电,但由于等离子体负载的非线性和不稳定性,试验研究相对困难,促使其仿真技术在过... 磁控溅射技术广泛用于制备多种功能涂层/薄膜材料,随着材料加工的精密化和功能器件的微型化,其已成为工业生产中必要环节。磁控溅射的发生基于等离子体放电,但由于等离子体负载的非线性和不稳定性,试验研究相对困难,促使其仿真技术在过去的几十年快速发展,并逐渐成为新型真空涂层装备开发和工艺验证重要且高效的手段。尤其是随着高离化磁控溅射等新技术的提出,等离子体的不确定性加强,检测越来越难,使仿真技术得到进一步的发展和推进。针对高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术,对近年来等离子体仿真技术研究进展及其在HiPIMS放电机理和等离子体特性方面的应用进行综述。以多种等离子体仿真模型为切入点,分别介绍检验电子Monte Carlo模型、流体模型、粒子网格/蒙特卡洛(PIC/MCC)模型、参数路径模型以及整体模型等仿真模型的原理、优缺点及其在HiPIMS技术研究中的贡献和不足。随着等离子体放电技术的进步,等离子体特性越来越复杂,等离子体仿真技术也相应地向更高维度、精度和自由度的方向不断升级,最后总结等离子体仿真技术的研究方向,并对其发展及其对HiPIMS可能的推动作用进行展望。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS) 仿真技术 高精度 高强度放电 等离子体特性
下载PDF
Zr含量对磁控溅射Mg-Zr-O薄膜微观结构和放电性能的影响
4
作者 王剑锋 吴汇焱 +3 位作者 宋忠孝 马大衍 徐可为 刘纯亮 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期339-342,共4页
采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响。结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持MgO的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置... 采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响。结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持MgO的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置换固溶于MgO晶格中。当掺杂Zr浓度为2.03at%时,薄膜具有最强的(200)择优取向和最小的表面粗糙度。适当Zr掺杂的Mg-Zr-O薄膜和纯MgO薄膜相比,其着火电压和最小维持电压分别降低了25和15V。 展开更多
关键词 交流等离子显示板(AC PDP) Mg-Zr-O 磁控溅射 微观结构 放电性能
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部