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电子束光刻HSQ显影对比度中的图形密度效应
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作者 梁惠康 段辉高 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期137-144,共8页
氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算... 氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算,得到的结果与实际曝光的分辨率极限存在较大差异。针对这一问题,提出了与图形相关的显影对比度,提高了传统显影对比度在密集图形分辨率极限预测中的适用性。对HSQ的微观显影机理进行了阐述,分析了大块薄膜、亚10 nm周期密集高分辨结构显影过程和显影对比度曲线差异,预测和实验验证了超稀疏结构的超高显影对比度(线剂量对比度约为114)。该研究为改善HSQ工艺及提升计算光刻模型的精度提供了新的思路。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 氢倍半氧硅烷(hsq) 显影对比度 分辨率极限 显影机理 图形密度效应
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HSQ用于电子束曝光的性能分析 被引量:2
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作者 赵珉 陈宝钦 +2 位作者 刘明 谢常青 朱效立 《微细加工技术》 EI 2008年第4期10-13,共4页
作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏... 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。 展开更多
关键词 hsq(hydrogen silsesquioxane) 电子束曝光技术 抗蚀剂工艺 邻近效应
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Latest developments in EUV photoresist evaluation capability at Shanghai Synchrotron Radiation Facility 被引量:1
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作者 Zhen‑Jiang Li Cheng‑Hang Qi +8 位作者 Bei‑Ning Li Shu‑Min Yang Jun Zhao Zhi‑Di Lei Shi‑Jie Zhu Hao Shi Lu Wang Yan‑Qing Wu Ren‑Zhong Tai 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第12期206-215,共10页
Evaluating the comprehensive characteristics of extreme ultraviolet(EUV)photoresists is crucial for their application in EUV lithography,a key process in modern technology.This paper highlights the capabilities of the... Evaluating the comprehensive characteristics of extreme ultraviolet(EUV)photoresists is crucial for their application in EUV lithography,a key process in modern technology.This paper highlights the capabilities of the Shanghai Synchrotron Radiation Facility(SSRF)08U1B beamline in advancing this field.Specifically,it demonstrates how this beamline can create fringe patterns with a 15-nm half-pitch on a resist using synchrotron-based EUV lithography.This achievement is vital for evaluating EUV photoresists at the advanced 5-nm node.We provide a detailed introduction to the methods and experimental setup used at the SSRF 08U1B beamline to assess an EUV photoresist.A significant part of this research involved the fabrication of high-resolution hydrogen silsesquioxane mask gratings.These gratings,with an aspect ratio of approximately 3,were created using electron beam lithography on an innovative mask framework.This framework was crucial in eliminating the impact of zeroth-order light on interference patterns.The proposed framework propose offers a new approach to mask fabrication,particularly beneficial for achromatic Talbot lithography and multicoherent-beam interference applications. 展开更多
关键词 Extreme ultraviolet photoresist Interference lithography HIGH-RESOLUTION Electron beam lithography·hydrogen silsesquioxane GRATING
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含活性氢基的八聚笼型倍半硅氧烷的合成与表征 被引量:1
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作者 范敬辉 张凯 +1 位作者 吴菊英 马艳 《化学工程师》 CAS 2010年第6期5-7,共3页
笼形倍半硅氧烷具有较低的介电常数。采用正硅酸乙酯和季铵碱为原材料,合成了八聚四甲基铵基笼型倍半硅氧烷,并采用二甲基氯硅烷对其进行烷基取代,得到了含活性氢基的八聚笼型倍半硅氧烷。采用核磁共振29Si、13C、1H谱和凝胶渗透色谱GP... 笼形倍半硅氧烷具有较低的介电常数。采用正硅酸乙酯和季铵碱为原材料,合成了八聚四甲基铵基笼型倍半硅氧烷,并采用二甲基氯硅烷对其进行烷基取代,得到了含活性氢基的八聚笼型倍半硅氧烷。采用核磁共振29Si、13C、1H谱和凝胶渗透色谱GPC对其结构进行了表征和确认。 展开更多
关键词 八聚笼型倍半硅氧烷 活性氢基 合成 结构确认
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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化 被引量:4
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作者 李欣 刘建朋 +5 位作者 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期73-77,共5页
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实... 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 展开更多
关键词 hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线
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大高宽比微纳结构制备关键技术 被引量:1
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作者 赵健 董连和 +3 位作者 朱效立 谢常青 陈宝钦 史佩雄 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第10期685-690,共6页
利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子... 利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子产生的电子束曝光邻近效应的影响;通过显影液掺适量氯化钠的溶液配比的显影技术有效提高了图形对比度并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;利用二氧化碳超临界干燥法来抑制气液界面毛细管表面张力作用导致的抗蚀剂结构的坍塌和粘连。实验得到了高宽比为12∶1、侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构。 展开更多
关键词 hsq 电子束光刻 抗蚀剂工艺 CO2超临界干燥 大高宽比结构
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高亮度硅纳米晶发光峰位的调制
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作者 陈家荣 王东辰 +2 位作者 陆明 张弛 张玉琼 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期479-484,共6页
镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),... 镶嵌硅纳米晶的SiO_(2)薄膜(Si-nc∶SiO_(2))是目前主要的硅发光材料。Si-nc发光强度低的缺点阻碍了它的应用,因此寻求一种制备高亮度Si-nc∶SiO_(2)的方法尤为重要。使用氢硅倍半环氧乙烷(HSQ)热退火方法制备高亮度的Si-nc∶SiO_(2),通过控制腐蚀时间改变Si-nc的粒径和发光峰位。采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光和拉曼光谱等表征Si-nc∶SiO_(2)的结构和性能。将HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品与蒸镀方法制备的Si-nc∶SiO_(2)进行比较,得出采用HSQ热退火方法制备的Si-nc∶SiO_(2)样品的性能远高于采用蒸镀方法制备的样品的性能,最终获得了发光波长为570 nm(黄光)、610 nm(橙光)和730 nm(红光)的Si-nc∶SiO_(2)。 展开更多
关键词 Si-nc∶SiO_(2) 氢硅倍半环氧乙烷(hsq) 光致发光 蒸镀 腐蚀
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单官能化倍半硅氧烷的合成与表征 被引量:6
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作者 肖俊平 王欣 《有机硅材料》 CAS 2011年第5期300-305,共6页
以异丁基三甲氧基硅烷为原料,通过部分水解缩合反应合成了七聚(异丁基)倍半硅氧烷三硅醇(T7);T7继续与乙烯基三氯硅烷、三氯氢硅、四氯化硅、3-氯丙基三氯硅烷反应封角后,得到单官能度的倍半硅氧烷(T8);T8再转化为其它官能团的倍半硅氧... 以异丁基三甲氧基硅烷为原料,通过部分水解缩合反应合成了七聚(异丁基)倍半硅氧烷三硅醇(T7);T7继续与乙烯基三氯硅烷、三氯氢硅、四氯化硅、3-氯丙基三氯硅烷反应封角后,得到单官能度的倍半硅氧烷(T8);T8再转化为其它官能团的倍半硅氧烷(POSS),合成了一系列单官能度的POSS:乙烯基POSS、活性氢基POSS、氯基POSS、羟基POSS、二甲基氢硅氧基POSS、氯丙基POSS、叠氮丙基POSS。利用1H核磁共振光谱、13C核磁共振光谱、29Si核磁共振光谱对它们的结构进行了详细的表征。 展开更多
关键词 单官能化 倍半硅氧烷 异丁基 乙烯基 氢基 氯基 羟基 二甲基氢硅基 氯丙基 叠氮丙基
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Nonlinear Solubility Behavior of Polymer and Oligomer Resists at Electron Beam Modification
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作者 Katia Vutova Georgy Mladenov +4 位作者 Elena Koleva Ivan Kostic Anna Bencurova Pavol Nemec TakeshiTanaka 《材料科学与工程(中英文B版)》 2011年第4期523-529,共7页
关键词 线性聚合物 电子束改性 行为机制 溶解度 齐聚物 电子束光刻 倍半硅氧烷 曝光剂量
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Fabrication of perovskite solar cell with high short-circuit current density(Jsc)using moth-eye structure of SiOx 被引量:3
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作者 Sucheol Ju Minseop Byun +5 位作者 Minjin Kim Junho Jun Daihong Huh Dong Suk Kim Yimhyun Jo Heon Lee 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第4期1156-1161,共6页
The performance of solar cells is determined by three factors:the open-circuit voltage(Voc),short-circuit current density(Jsc),and fill factor(FF).The Voc and FF are determined by the material bandgap and the series/s... The performance of solar cells is determined by three factors:the open-circuit voltage(Voc),short-circuit current density(Jsc),and fill factor(FF).The Voc and FF are determined by the material bandgap and the series/shunt resistance,respectively.However,Jsc is determined by the amount of incident light in addition to the bandgap of the material.In this study,a moth-eye pattern was formed on a glass surface via direct printing to increase the amount of incident light and thus increase Jsc-The moth-eye pattern is a typical antireflection pattern that reduces the reflection by gradually increasing the refractive index.A flat perovskite solar cell(F-PSC)and a moth-eye patterned perovskite solar cell(M-PSC)had Jsc values of 23.70 and 25.50 mA/cm^2,respectively.The power-conversion efficiencies of the F-PSC and M-PSC were 19.81%and 21.77%,respectively. 展开更多
关键词 perovskite solar cells direct printing moth-eye pattern hydrogen silsesquioxane
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活性负离子聚合制备八臂星形嵌段共聚物及其氢化反应研究 被引量:2
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作者 王彬 张明祖 +1 位作者 何金林 倪沛红 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1010-1020,共11页
首先使用活性负离子聚合法合成(聚苯乙烯-b-聚异戊二烯)锂(PS-PI-Li)活性链,再利用其与八乙烯基多面体低聚倍半硅氧烷(OVPOSS)发生偶联反应,通过分级沉淀去除少量低偶联产物,即可得到纯的八臂星形嵌段共聚物(PS-PI)8POSS;最后,采用对甲... 首先使用活性负离子聚合法合成(聚苯乙烯-b-聚异戊二烯)锂(PS-PI-Li)活性链,再利用其与八乙烯基多面体低聚倍半硅氧烷(OVPOSS)发生偶联反应,通过分级沉淀去除少量低偶联产物,即可得到纯的八臂星形嵌段共聚物(PS-PI)8POSS;最后,采用对甲苯磺酰肼(TSH)对(PS-PI)8POSS中的PI链段进行氢化加成反应,制得另一种含有饱和烃链段的新型八臂星形嵌段共聚物(PS-HPI)8POSS,并初步探究TSH投料量和反应时间对氢化加成反应的影响.采用凝胶渗透色谱(GPC)、核磁共振氢谱(1H-NMR)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)详细表征了聚合物的化学结构、分子量和分子量分布,并利用热失重分析(TGA)测试了(PS-PI)8POSS在氢化加成反应前后的热稳定性. 展开更多
关键词 活性负离子聚合 星形聚合物 多面体低聚倍半硅氧烷 氢化反应
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