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衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量:
4
1
作者
张丽平
张建军
+2 位作者
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220...
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
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关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光、暗电导率
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职称材料
RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池
被引量:
7
2
作者
曹宇
张建军
+6 位作者
李天微
黄振华
马俊
杨旭
倪牮
耿新华
赵颖
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期924-929,共6页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-Si...
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。
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关键词
微晶Si-Ge(
μc-sige
h
)
衬底温度
太阳电池
原文传递
题名
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
被引量:
4
1
作者
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期831-835,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(No.2009AA05Z422)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.08JCZDJC22200)
科技部基础研究973项目(No.2006CB202602No.2006CB202603)
文摘
采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
关键词
氢化微晶硅锗薄膜
衬底温度
光、暗电导率
Keywords
hydrogenated
microcrystalline
silicon
-
germanium
substrate
temperature
p
h
oto- and dark-conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池
被引量:
7
2
作者
曹宇
张建军
李天微
黄振华
马俊
杨旭
倪牮
耿新华
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期924-929,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705
2011CBA00706
+2 种基金
2011CBA00707)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,研究了衬底温度对高Ge含量(≈50%)微晶Si-Ge(μc-SiGe:H)薄膜结构特性和电学特性的影响。结果表明:较低的衬底温度会抑制μc-SiGe:H薄膜(220)晶向的择优生长;而当衬底温度过高时,μc-SiGe:H薄膜的O含量和微结构因子较大。在衬底温度为200℃时,获得了光电特性和结构特性较优的高Ge含量μc-SiGe:H薄膜。将优化好的μc-SiGe:H薄膜应用到电池中,在本征层为600nm的情况下,获得了转换效率为3.31%(Jsc=22.5mA/cm2,Voc=0.32V,FF=0.46)的单结μc-SiGe:H电池,电池在1 100nm处的光谱响应达5.49%。
关键词
微晶Si-Ge(
μc-sige
h
)
衬底温度
太阳电池
Keywords
hydrogenated microcrystalline silicon germanium (μc-sige..h) substrate temperature
solar cell
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响
张丽平
张建军
张鑫
孙建
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
2
RF-PECVD法制备高Ge含量微晶Si-Ge薄膜及太阳电池
曹宇
张建军
李天微
黄振华
马俊
杨旭
倪牮
耿新华
赵颖
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
7
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