Microwave Hydrothermal Synthesis PZT of Nanometer Crystal

It was focused on the applications and developments of microwave hydrothermal synthesis piezoelectric ceramic powder. The microwave hydrothermal vessel was designed and manufactured. The microwave hydrothermal synthesis system was established and the PZT piezoelectric ceramic powder was synthesized. XRD and TEM have been used to characterize the products in detail. The diameter of the PZT powder particle is from 40 to 60 nm.

微波-水热法合成PZT粉体的研究

叙述了微波-水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用，设计制造出基本满足使用要求的微波-水热反应釜，设计出微波-水热法制PZT压电陶瓷粉体的实验方案。制备了结晶完好、粒径分布均匀、平均粒径为2 ?m的PZT压电陶瓷粉体。

水热法制备PZT压电陶瓷粉体

本文报道了水热法制备 Ｐ Ｚ Ｔ 压电陶瓷粉体的研究结果， 给出了 Ｐ Ｚ Ｔ 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系， 用 Ｘ Ｒ Ｄ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等测试手段分析了实验结果， 表明所得到的 Ｐ Ｚ Ｔ粉体为四方晶相钙钛矿结构， 粒子粒径为０６ ～２１μｍ ，

水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究

研究水热合成ＰＺＴ压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用ＤＴＡ－ＴＧＡ对这种纳米晶粉末进行了热分析，结果表明，这种结晶粉末的ＰｂＯ挥发温度为９２４．７１°Ｃ，而颗粒之间的反应温度为８１１．２６°Ｃ。与此相反，固相合成ＰＺＴ粉末颗粒之间的反应温度为１２４３．４７°Ｃ，ＰｂＯ的挥发温度为１２１３．２９°Ｃ。

PZT纳米晶粉体的水热合成及表征(英文)

本文选取近于MPB的组成Pb(Zr0.52Ti0.48)O3进行了研究。通过水热法合成了纯相钙钛矿型纳米晶锆钛酸铅(PZT)粉体。所用原料试剂为分析纯Pb(NO3)2、Zr(NO3)4.5H2O、Ti(OC4H9)4,NaOH作为矿化剂。原料试剂按Pb(Zr0.52Ti0.48)O3化学计量比混合放入50mL内衬聚四氟乙烯的高压釜中,填充度为70%。高压釜在170～270℃之间选择一定温度加热2h后在冰水中冷却到室温。前躯体及水热处理的粉体通过XRD和SEM进行表征。PZT相在220℃加热2h开始出现。在270℃加热2h合成了纯相钙钛矿型纳米晶PZT粉体。粉体的平均尺寸为25nm。

水热合成PZT热电体结晶粉末工艺及相关性能的研究

研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶栓的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１μｍ～３μｍ，呈立方体状。用它制作的ＰＺＴ热电体陶瓷烧结温度１１６０℃左右，比传统的固相法降低６０℃左右，在烧结过程中ＰｂＯ的挥发达率比固相法小得多，有害杂质Ｋ￣＋离子的含量为０．００２％～０．００６％。

湿化学法合成PZT微粉的工艺研究

通过湿化学法合成ＰＺＴ陶瓷微粉可实现粉料的高纯、超细、粒度均匀及化学成分的精确控制。综述了湿化学法制备ＰＺＴ陶瓷粉料的常用方法及其基本原理和生产工艺条件，并对溶胶－凝胶法、共沉淀－煅烧法和水热法制备ＰＺＴ微粉的优越性及不足进行了评价。

低温烧结用PZT粉体水热合成

水热合成了低温烧结用PZT粉体。合成时添加Fe+ 2 ,Bi+ 3 ,Cu+ 2 等离子化合物 ,生成粉体中外加微量Ba(Cu0 .5W0 .5)O3 ,经X -ray,SEM ,TG -DTA及比表面积的测定 ,表明当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h,反应温度 2 0 0°C时 ,合成的粉体中PZT微晶子已大量生成。PZT陶瓷在 850°C温度下烧成 ,密度可达理论值 98%。并对其压电性能进行了测定 ,结果证实 ,微量烧结助剂的添加除有效地降低烧结温度外 ,使Qm 值提高 ,而Kp值有所下降。。

水热条件对易烧结PZT粉体合成的影响

用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h ,反应温度 2 0 0℃时合成后的粉体有良好的烧结性。粉体中外加了微量BCW[Ba(Cu0 .5 W0 .5 )O3] ,使PZT陶瓷在 850℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。

高性能锆钛酸铅(PZT)粉体的水热法合成及其压电陶瓷性能研究

以氧氯化锆、钛酸四丁酯、硝酸铅为前驱物,采用两步水热法合成钙钛矿结构的Pb Zr0.52Ti0.48O3粉体并制备陶瓷样品.通过XRD、SEM及电学性能等测试,系统研究了矿化剂浓度对PZT粉体结晶性、形貌以及最终烧结陶瓷样品电学性能的影响,初步探讨了PZT粉体在不同碱度下的生长机理.实验结果表明,较低碱度条件有助于制备结晶性良好、单一分散的立方体形貌的PZT粉体,由该粉体烧结的陶瓷样品的电学性能(d33=310 p C/N,kp=53.2%,ε33T/ε0=1 358,tanδ=0.005)明显优于高碱度水热条件制备粉体所烧结的陶瓷及传统固相法制备的陶瓷的压电性能(d33=223 p C/N,kp=40%,ε33T/ε0=1 330,tanδ=0.004).

二氧化钛水热合成单分散立方形貌PZT粉体

本文以TiO2、ZrOCl2·8H2O和Pb(NO3)2为反应物、KOH为矿化剂水热合成得到组成均一且外观具有规则立方形貌的单分散PZT粉体,研究了矿化剂浓度、水热反应温度和反应时间对产物相组成和外观形貌的影响。结果表明:在KOH浓度为2.0mol/L、水热合成温度为160℃、反应时间为18h时可得到最佳形貌和颗粒尺寸(1.5～2μm)的PZT。进一步的研究表明,水热温度的增加有利于得到大尺寸立方形貌的PZT粉体,这一现象与以钛的醇盐为原料时所得的结果正好相反。反应机制的分析表明:在本合成体系中,PZT的形成过程主要是TiO2的溶解、Pb2+和ZrOCl2的水解以及PZT晶核的形成和生长过程。其中矿化剂对TiO2的溶解是整个水热过程的控制步骤。

水热合成PZT热电体陶瓷材料烧结性的研究

本文对水热合成ＰＺＴ热电体陶瓷的烧结性进行了研究。结果表明：烧成温度为１１６０℃左右，比用传统的固相合成法烧成温度低６０℃，在烧结过程中，ＰｂＯ的挥发速度比用固相法小得多。

水热加工技术制备压电陶瓷锆钛酸铅(PZT)晶体粉末的研究

本文采用水热加工技术对压电陶瓷PZT晶体粉末进行合成研究．实验表明合成需在强碱中进行．取用新制备的水热前驱物Pb（OH）2、TiO（OH）2和ZrO（OH）2，在200℃下水热合成40－60min．水热体系在两个KOH浓度范围内能有效合成．第一个区域为水热体系的KOH浓度0．1－0．27mol／L，第二个区域为体系的KOH浓度高于2．0mol／L．低碱度有效的合成给商品化生产带有了许多方便、经济和可能性．为了分析实验结果对合成机理提出了假说和讨论．

Pb_(1-x)Sm_(x)Zr_(0.52)Ti_(0.48)O_(3)压电陶瓷的结构与电学性能

采用水热合成法制备Pb_(1-_x)Sm_(x)Zr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(PS_(x)ZT,x=0.00,0.01,0.02,0.03,0.04、0.05)粉体,并在1200,1240,1280及1320℃烧结得到不同微观结构的PS_(x)ZT陶瓷,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)对PS_(x)ZT陶瓷的物相组成及微观结构进行表征。通过测试PS_(x)ZT陶瓷的致密度、压电常数(d_(33))、相对介电常数(ε_(r))及介质损耗(tanδ),研究Sm^(3+)掺杂及烧结温度对PS_(x)ZT陶瓷物相组成、微观结构、压电及介电性能的影响。结果表明:通过水热合成法可以制备出四方相钙钛矿结构的PS_(x)ZT粉体;当烧结温度为1280℃,x=0.02时,PS_(x)ZT陶瓷具有最优综合电学性能:d_(33)=232 pC/N,ε_(r)=735,tanδ=0.18。

水热合成法及其应用

本文综述了水热法的发展过程及其制备 PZT 等铁电体材料方面的研究现状和发展趋势。

水热合成金红石型TiO_2纳米晶及形成机理

以TiCl_4原料加水配制成0.5～2.0mol/L的TiOCl_2溶液,在反应温度为120～180℃时可获得纳米级针形(轴比4～5)及球形8～10nm的金红石粒子。研究了升温速率、搅拌等对金红石型TiO_2纳米晶的粒径及形貌的影响。使用TEM及XRD对产物粒子进行了表征,并初步探讨了金红石纳米晶的形成机理。结果表明:对于一定浓度的TiOCl_2溶液,当反应温度高于140℃时,可生成纯相金红石型TiO_2纳米晶粒,搅拌和提高升温速率有利于生成纳米球形颗粒。

纳米ZrO_2薄膜的制备与表征

用水热盐溶液水解法可合成含有单斜相晶态纳米ＺｒＯ２颗粒的ＺｒＯ２溶胶体用匀胶法制备的纳米 ＺｒＯ２薄膜厚度约 １６０ｎｍ，折光率为 １．５６．纳米 ＺｒＯ２薄膜表面质量良好，无表面裂隙，台阶仪研究表明薄膜表面粗糙度算术差Ｒａ＝２．７ｎｍ，均方根差Ｒｑ＝３．７ｎｍ．以 ＺｒＯ２为高折射率膜层，碱催化的溶胶凝胶 ＳｉＯ２为低折射率膜层，制备了ＳｉＯ２／ＺｒＯ２多层高反射率薄膜，１０周期的 ＳｉＯ２／ＺｒＯ２多层膜系，在 １．０６μｍ波段处透过率为 １％；薄膜表面抗激光损伤阈值约 １５Ｊ／ｃｍ２（１．０６μｍ， ２．５ｎｓ高功率激光作用下）．

邻苯二酚螯合生长氧化锌棒状结构光致发光增强

通过水热合成方法,研究了邻苯二酚作为螯合剂对氧化锌(ZnO)一维棒状材料结构及其光致发光的作用.实验发现,通过调节邻苯二酚的浓度,可以显著改变ZnO一维棒状材料的形貌特征与长径比.结合XRD测试发现随着邻苯二酚的加入,ZnO一维棒状材料的晶化程度显著提高.随着邻苯二酚加入量增大,ZnO晶体沿(100)面方向呈现择优生长的趋势,当邻苯二酚加入量为1g/L时,ZnO晶体晶化程度最高.另外,光致发光光谱测试发现,ZnO一维棒状材料在紫外以及可见光波段均存在显著的光致发光增强.结合ZnO一维棒状材料的形貌及物相分析,揭示了螯合剂引入后造成的ZnO材料表面缺陷量与晶化程度对光致发光增强的影响.本工作不仅揭示了邻苯二酚在ZnO材料生长中的螯合作用,同时通过邻苯二酚加入量的调控进一步提高了ZnO的光致发光性能.

水热合成锆钛酸铅微粉

本文叙述以前驱物Ｐｂ（ＯＨ）＿２、ＺｒＯ（ＯＨ）＿２和ＴｉＯ（ＯＨ）＿２为原料，在２Ｌ高田釜内水热合成、制备功能性压电陶瓷微粉ＰＺＴ的过程．就水热过程的主要影响因素碱度、温度和时间进行了研究和讨论。在低于２００℃，２ｍｏｌ／ＬＫＯＨ，２ｈ条件下，成功地合成该粉体。经Ｘ－衍射和电子显微镜检测分析，该产物是一种平均粒径小于０．３μｍ的立方晶体，具有良好的田电效应值。

尖晶石型MnFe（2-x）GdxO4纳米晶的

以Fe2（SO4）3、MnSO4和Gd2O3，为原料，NaOH溶液为沉淀剂，通过水热法制备了尖晶石型MnFe（2-x）GdO4系列纳米晶，利用XRD、SEM和VSM分别对MnFe（2-x）Gd3O4纳米晶的微结构、形貌和磁性能进行表征，结果表明，所制备的MnFe（2-x）GdxO4均为立方尖晶石结构，晶粒为球形或类球形，粒径约100nm，具有良好的均匀性，掺入Gd3＋后MnFe（2-x）GdxO4纳米晶的饱和磁化强度（crs）总体呈现减小趋势，只有当掺杂量x=0．02时制备的MnFe（2-x）GdxO4纳米晶的比饱和磁化强度（δs）增大，δs为67．2emu／g。