海南临高话的动态助词v?i^3/v?~3和j?u^3

文章讨论了海南临高话的动态助词v?i^3/v?~3和j?u^3。临高话的v?i^3/v?~3表示动作或变化已经完成,既可以用在句末,也可以用在句中第一个动词结构后再接第二个动词,通过和壮语、黎语、汉语方言的比较,文章指出其来源应是"罢"。临高话的j?u^3表示状态的持续、动作的进行、完成或未完成,通过语言间的比较,文章指出其来源应是"有"的声音和"在"的用法的融合。

α-Ga_(2)O_(3)基SBD场板结构与电流台阶的关联研究

作为典型的超宽禁带半导体,氧化镓(Ga_(2)O_(3))逐渐以新型功率器件优选材料的身份成为研究热点。近年来它的亚稳态α相因具有相对最宽的带隙,且与蓝宝石、氮化镓相似的六角晶格而受到关注。研究了α-Ga_(2)O_(3)基肖特基二极管器件,在TCAD仿真结果中发现反向偏置的I-V特性中出现了电流台阶。通过调节可能影响电流台阶的主要因素:漂移区厚度、掺杂浓度和场板结构,发现击穿特性中的电流台阶随着漂移区厚度的增加而变长,但对掺杂浓度变化的依赖性较弱,解释了漂移区在反偏电场作用下的耗尽过程是电流台阶的产生机制。采用分段场板结构可以优化漂移区的电场分布并提高器件击穿电压,器件击穿的最大电场强度超过10 MV/cm。对电流台阶机制的分析结果有助于抑制器件泄漏电流,提高耐压范围。

应力对3-1-3 GeP3纳米器件电输运性质的调控

为避免2维材料与金属导线之间的接触电阻,构建了以呈金属特性的3层GeP3为导线和以呈半导体特性的单层GeP3为中心散射区的3-1-3 GeP3纳米器件,并用密度泛函理论和非平衡格林函数近似相结合的第一性原理方法,计算了该器件的电输运特性及应力对输运性质的影响。结果表明,应力可以显著调节器件在费密面处的态密度,从而控制器件的透射因数和I-V特性;当中心散射区的单层GeP3的线应变大于6%时,扶手椅型3-1-3 GeP3器件将从导通状态转为非导通状态,在偏压为-0.2~0.2 V时,电流近似为零;不同层数的相同材料可以构成低欧姆接触、无失配的纳米器件,应力可以有效调节纳米器件的电输运特性。