五氧化二钽薄膜的I—V特性

采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta_2O_5)薄膜。利用Ta/Ta_2O_5/Ta的MIM电容结构分析了Ta_2O_5的电学性能,研究了上电极面积对I-V特性的影响、I-V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响。结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小。氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。当上电极直径为1mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10^(-8)A/cm^2。

带有滞后补偿的改进型I—V下垂控制策略

以直流微电网中广泛应用的双向DC-DC变换器为研究对象,提出了带有滞后补偿的改进型I—V下垂控制策略。首先,分别对直流微电网中V—I下垂控制策略原理和I—V下垂控制策略的控制原理进行分析;然后,在I—V下垂控制策略的基础上提出改进型I—V下垂控制策略,并对3种下垂控制方式的稳定性及动态响应速度进行分析;与传统的V—I下垂控制策略相比,所提控制策略有较快的响应速度,与传统的I—V下垂控制策略相比,所提控制策略有更好的稳定性,且没有启动超调;最后,通过实验测试验证所提算法的正确性和有效性。

L─fuzzy广群与i—VL─fuzzy广群

本文对〔1〕中引入的L─fuzzy广群进行了继续讨论,研究了L─fuzzy子广群的象与逆象问题 同时引入了i—V L─fuzzy广群的概念 获得了某些有益的结果.

MOS结构辐照陷阱消长研究的快速I—V技术

建立一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阀曲线测试，从面可快速定性定量获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面随辐照剂量，时间，偏置等的依赖关系，快速Ｉ－Ｖ测试系统最高可以达到１次／秒的Ｉｄｓ－Ｖｇｓ测量速度，用此系统研究了ＰＭＯＳＦＥＴ５×１０＾３Ｇｙ（Ｓｉ）总剂量辐照后１００℃恒温退火下，辐照陷阱的消长规律和机制。

基于改进SVIT算法的非侵入式居民负荷监测方法

针对居民侧异常用电负荷对用户用电安全有重大影响的问题,提出了一种基于改进SVIT的非侵入式负荷监测方法。该方法从用户总线处对居民家庭用电负荷投切时的V-I数据进行特征提取;对提取出的V-I轨迹特征进行二进制化处理并绘制成V-I轨迹图像;利用改进的与三重注意力机制(Triplet Attention)相结合的SVIT的特征提取网络对其进行特征提取与映射;在此基础上,将处理后生成的新的特征向量进行聚类形成特征检索数据库,以识别出不在该特征检索数据库中的用电器V-I轨迹样本。通过利用PLAID数据集进行仿真实验并分析,验证了模型的有效性以及算法的优越性。

基于I-V曲线逆推法的光伏组件故障诊断策略

光伏组件故障诊断一般依赖于对辐照度和温度等环境变量的测量,对分散的组件故障判别不够精确。文章提出了基于逆推I-V曲线法的光伏组件故障诊断策略。该策略事先提取光伏组件模型参数,然后计算不同辐照度及太阳能电池温度下的I-V曲线,形成I-V曲线库;在运行时无须实时监测太阳能电池运行时表面辐照度及平均温度,仅测量光伏组件的开路电压、短路电流和最大功率点电压、电流,即可判断出组件是否发生故障。搭建实验平台对典型故障进行模拟并利用该策略进行判别,结果表明,文章提出的策略能够有效判断组件的故障。利用该策略研发了单板故障监测模块,实现了光伏组件在线故障判断,提高了光伏组件故障判断的精确性及光伏电站运行的可靠性和经济性。

探究式教学在“I/V变换电路设计与应用”实验中的研究

该文以学生为主体设计了模拟电子技术实验课程的I/V变换电路设计与应用实验。将实验内容按基础—晋级—拓展阶段进行设计,层层深入地实现对电路原理、参数及装配形式的探究与应用;将课前—课中—课后的过程与线上线下融合。实验中充分融入科研项目雏形与学科竞赛赛题,让学生体会基础实验在科研与竞赛中的价值。围绕以学生为中心,通过夯实基础实验、训练思维能力,培养学生深入探究和勇于创新的科学精神。

一个新的太阳电池显式模型以预测在任何太阳辐照度和温度时的I-V

采用求解满足实验结果的微分方程,建立一个三参数的显函数模型。经过22条实验数据的验证肯定该模型的正确性。更好的结果是该工作成功地发展出次级模型即模型参数同太阳辐照度及温度的定量关系,从而实现用太阳辐照度和温度预测太阳电池的I-V。

基于改进YOLOv5s的非侵入式负荷识别

负荷识别是非侵入式负荷监测的关键环节.针对原始电压电流轨迹特征选择有限、识别准确度低的问题,提出一种基于改进YOLOv5s(YOLOv5s是YOLOv5(you only look once的第5个版本)系列中预训练结构最小的模型)的非侵入式负荷识别算法.将坐标注意力(coordinate attention,简称CA)模块添加至YOLOv5s的主干网络,用双向特征金字塔网络(bi-directional feature pyramid network,简称BiFPN)取代YOLOv5s的常规特征提取网络.实验结果表明:相对于其他3种算法,该文算法有更高的负荷识别准确度.因此,该文算法具有有效性.

GaAs PHEMT的I-V特性退化机理综述

新一轮信息技术发展背景下,砷化镓赝调制高电子迁移率晶体管在射频通信中的应用值得关注,文章对其I-V特性的主要退化机理进行综述并提出性能优化的方向和措施。文章通过分析晶体管的层结构及层功能,推导晶体管的I-V特性方程,建立器件物理层面的参量与电路层级的参数之间的映射关系,以此寻找其阈值电压、漏源电流及跨导等性能参数的退化规律。为使性能退化过程的叙述条理清晰,文章将主要退化失效机理划分为结构缺陷、电热应力和环境因素三个方面。为舒缓减轻晶体管的退化失效程度,文章从结构材料、加工工艺和电路设计等方面探讨性能的改进空间和优化途径。

微弱电流的I-V变换测量方法研究

微弱电流信号具有极低的幅度，极易受到外界的干扰，测量难度较大。论文介绍了微弱电流I—V变换方法，分析影响I—V变换方法测量下限与测量精度的关键因素，I—V变换的等效型电路T型网络及优缺点，设计了宽量程（10^-15-10^-8A）高精度的静电计电路，并对所设计的静电计电路进行了实验测试。测试结果表明，该静电计电路具备较高的测量下限与测量精度，能够满足现场校准高气压电离室的使用需求。

超导约瑟夫森结直流I-V曲线的数值计算

基于超导约瑟夫森结的RCSJ模型的解析式为一非线性的二阶微分方程,对于该微分方程直接求解析解比较困难,故采用四阶龙格库塔法进行数值计算求解。经反复调用龙格库塔函数可得出约瑟夫森结的I-V曲线。并且,对这一求解过程及其关键部分进行了阐述,数值计算结果定性地解释了实验结果。

多准则模糊决策的区间值Vague集方法

区间值(i-v)模糊集合和Vague集是不精确知识表达的两种新理论。他们已被广泛地应用于决策系统中对不确定决策数据的描述。因此在Vague集基础上给出i-v Vague集的相关概念及性质,并将实数型Vague集群决策上的记分函数方法扩展到i-v Vague集上,提出新的记分函数,并用实例比较改进的记分函数与各种记分函数方法的优劣性。

新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。

辐射监测的微弱电流测量I-V转换技术

针对辐射测量中电离室输出极其微弱的电流信号,研发一种弱电流测量技术。利用高输入阻抗运算放大器设计了用于微弱电流测量的I-V转换采样电路和带有T型网络的I-V转换采样电路,分析研究了I-V转换电路的特点,计算分析T型网络的I-V转换采样电路的灵敏度。通过T型网络,选用高稳定输入阻抗运算放大器和高稳定反馈电阻,提高了测量灵敏度。设计电路满足辐射粒子所致的电离室输出电流为10-14A数量级时的弱电流测量。

一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨

讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。

自适应伪蒙特卡罗算法及其在拟合太阳电池I-V曲线中的应用

文章分析了序贯数论优化算法用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,将遗传算法中自适应搜索的思想和序贯数论优化算法相结合提出了一种自适应伪蒙特卡罗算法。该算法的基本过程是:以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数;在拟合时,利用自适应搜索算法来随机地确定收缩比,即,用第t次拟合中的计算结果来确定第t+1次的最优参数可取值范围,使各步中目标函数的参数空间构成一个最优决策序列。拟合结果表明,该算法比直接采用伪蒙特卡罗算法具有更少的计算量、更高的收敛性和鲁棒性。

非分段GaN HEMT EF2类功率放大器理论研究

目前,增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的仿真模型存在仿真时间长、复杂度高且收敛性不好等问题。为了解决GaN HEMT器件在电力电子电路中仿真收敛性和准确性差的问题,提出一种非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段连续方程对GaN HEMT器件的静态和动态特性进行建模;再对GaN HEMT的输出特性进行仿真,并与Si MOSFET的仿真结果进行对比。仿真结果表明,所提模型的收敛性较好,收敛速度快,有较高的准确性。另外,将此模型应用于EF2类功率放大器中,研究该模型对传输效率的影响。仿真结果进一步表明:该模型具有良好的收敛性;且当开关频率为10~20 MHz,输入功率为75 W时,输出功率可达73 W,传输效率为95%,这也证明了GaN HEMT器件可以提高EF2类功率放大器的传输效率。

基于数据采集卡及电子负载的太阳能电池伏安特性测试系统

为低成本高速测量太阳能电池伏安特性,设计一套基于数据采集卡(DAQ)及金属-氧化物半导体场效应晶体管电子负载(MOS)的测量系统。该系统硬件主要包括DAQ、MOS以及采样电阻等,软件主要包括数据采集模块、数据分析处理模块、数据存储模块等。对测量系统研究有三点结论。第1点是系统测量结果与Keithley 2400源表对比,它们之间全局相对误差约为9.5%;与电阻箱负载测量结果对比,它们之间最大功率点相差约17%;说明系统测量精度较高。第2点是发现MOS管电子负载无法实现零阻值负载,但可在电池最大功率点附近做到几乎连续电阻变化;管子型号影响测量结果,且开态电阻大的MOS管测量误差大。采样电阻应选择小的但不能无穷小,因为当使用小的采样电阻时导线电阻将对测量结果严重影响。第3点是采用Matlab/Simulink建模和拟合实验数据时,可获得电池短路电流、反向饱和电流及二极管理想因子,弥补系统固有缺点。

4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .