磁场退火对纳米晶Fe_(74.5)Cu_1Nb_2Si_(17.5)B_5合金饱和磁致伸缩系数和μi-T曲线的影响研究

研究了不同退火温度下形成的纳米晶Fe_(74.5)Cu_1Nb_2Si_(17.5)B_5合金经过磁场退火后,其饱和磁致伸缩系数λ_S、矫顽力H_C和μi-T曲线的变化。研究表明,经过磁场退火后,纳米晶合金的矫顽力出现不同程度的降低,温度在350℃以下时,初始磁导率表现出明显的提高,这些性能的改善归因于合金饱和磁致伸缩的减小。

单板机用于滴汞电极i—t曲线的测定及其数据处理

i—t曲线是在一个汞滴上瞬时电流值随时间变化的曲线。i—t曲线的dlni/dlnt(β)值是极谱机理最为肯定的判据,然而要准确、迅速地测定β有不少困难;为了消除贫乏效应的影响需要采用特殊装置,用函数记录仪记录信号时存在响应速度跟不上的问题;另外,数据处理也较麻烦。为了克服这些困难,本文在Z80-Ⅱ型单板机—示波极谱仪系统上开发了i—t曲线测定及其数据处理功能,以便迅速获得β的准确结果。

I—t曲线法确定低能机采井间开制度

本文提出一种通过监测分析I(电流)-t(时间)曲线确定低能机采井间歇抽油制度的方法,比较分析了与其它方法在原理上的不同,并通过应用实例验证了该方法的可靠性和适用性。

冲击压力和温度老化对PZT95/5铁电陶瓷放电的影响

利用轻气炮作为冲击波加载手段,分别在高冲击压力1.81,3.20和4.18GPa下,研究了低温老化、高温老化和未老化的自制PZT95/5铁电陶瓷的短路放电i-t曲线。结果显示:由于气孔洞塌缩的影响,1.81GPa时i-t曲线存在上升沿和下降沿;3.20GPa时i-t曲线与理论设想的方波基本吻合;4.18Gpa时,由于超过了PZT95/5铁电陶瓷的Hugoniot弹性极限,i-t曲线与理论设想的方波有较大差别;温度老化对其性能有一定的影响,特别是高温老化。

生理缓冲液应用于微流控芯片分析系统中的电学特性的研究

目的本研究通过绘制TE缓冲液的伏安曲线和电流一时间曲线．对芯片内TE缓冲液的伏安特性和稳定性进行了讨论。方法对高场强下TE缓冲液体系的电流变化进行监测。结果在本实验加电压范围之内（0～5000V），不同PH值的TE缓冲液在同一芯片上均显示出良好的伏安线性；在连续高场强的作用下，随着加压时间的延长．两种不同PH值的缓冲液的电流均显示出了相同的变化趋势：即在经过了一定的稳定期后．电流急速下降后又急速上升．且极不稳定。结论在以电渗流为驱动的芯片系统中，选用TE缓冲体系有着巨大的优势。另外，长时间的连续施加高电压可能会使通道内的液体性质发生改变，继而影响其内发生的生物化学反应。

功率二极管反向恢复特性模拟研究

针对功率二极管反向恢复既快又软的开关特性要求,根据Rajapakse.二极管反向恢复模型,模拟二极管反向恢复I-t、V-t变化规律,模拟结果与已有文献结果吻合,通过控制变量得到不同存储时间trra、恢复时间trrb、正向电流If、正向电流上升速率dIf/dt对反向恢复电流的影响,模拟结果表明:trra,trrb跟二极管反向恢复过程密切相关。文中最后分析计算了不同电压,不同电流下二极管反向恢复过程中的功率损耗。