采用基于第一性原理的局域密度近似方法研究了Al-N共掺SnO_2中不同N掺杂位置模型的电子结构和光学性质。掺杂Al或N元素后呈p型导电并且带隙拓宽,最大值可达到1. 748 e V; N元素引入了杂质能级,使得可见光区的介电函数虚部ε2(ω)增加,...采用基于第一性原理的局域密度近似方法研究了Al-N共掺SnO_2中不同N掺杂位置模型的电子结构和光学性质。掺杂Al或N元素后呈p型导电并且带隙拓宽,最大值可达到1. 748 e V; N元素引入了杂质能级,使得可见光区的介电函数虚部ε2(ω)增加,进而提高了低能区的吸收系数和吸收边发生了红移,反射率也增强。展开更多
文摘采用基于第一性原理的局域密度近似方法研究了Al-N共掺SnO_2中不同N掺杂位置模型的电子结构和光学性质。掺杂Al或N元素后呈p型导电并且带隙拓宽,最大值可达到1. 748 e V; N元素引入了杂质能级,使得可见光区的介电函数虚部ε2(ω)增加,进而提高了低能区的吸收系数和吸收边发生了红移,反射率也增强。