对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂...对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .展开更多
报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga ...报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga As P/In P量子阱带隙展宽十分显著 ,高达 2 2 4 me V ,PL谱峰值波长蓝移 342 nm ,半宽较窄仅为 2 5 nm ,说明量子阱性能保持十分良好 。展开更多
在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在...在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在不同温度下进行时长60 s的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时,样品获得29.5 nm的最大波长蓝移;在750℃的退火温度下获得43 nm的最小光谱半峰全宽。展开更多
文摘在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在不同温度下进行时长60 s的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时,样品获得29.5 nm的最大波长蓝移;在750℃的退火温度下获得43 nm的最小光谱半峰全宽。
