Weakly Coupled Three—Layer Quantum Dot with a Charged Impurity in Magnetie Field

The states of a weakly coupled 3-quantum-dot system with an external charged impurity located on the z-axis are studied in a magnetic field.The evolutions of the true ground state with the magnetic field B are botained for various impurity cases.It is found that the negative charge impurity would promote the phase transition of the true ground state.

CVD金刚石薄膜亚表面层氢杂质对表面活化反应的影响

采用密度泛函理论平面波赝势法研究了氢杂质位于氢终止金刚石薄膜亚表面层中三种不同位点处时金刚石的结构变化,以及氢原子在三种金刚石薄膜表面上的吸附难易程度,并对表面活化反应进行了过渡态搜索以探究化学气相沉积(CVD)过程中金刚石薄膜亚表面层氢杂质对表面活化的影响。对比计算结果发现:生长过程中,亚表面层的氢杂质使其附近的金刚石结构产生了畸变,同时金刚石表面结构会对畸变程度产生影响。氢原子在含有氢杂质的三种金刚石薄膜上的吸附能与理想金刚石薄膜差异很小,但发生萃取反应产生活性位点的能垒比理想金刚石薄膜更低,这与亚表面层中的氢杂质使金刚石薄膜具有P型半导体特征这一现象有关。这一结果说明富氢反应气氛有利于活性位点的产生并以更高速率进行生长。

黄色荧光粉Sr_3SiO_5:Eu^(2+)相转变机理

高温固相法合成Sr3SiO5:Eu2+过程中,杂质相Sr2SiO4:Eu2+的存在会不同程度影响Sr3SiO5:Eu2+的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3SiO5:Eu2+,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3SiO5:Eu2+在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明:原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2SiO4:Eu2+的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1 200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2SiO4:Eu2+的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3SiO5:Eu2+的合成过程,从而导致了Sr2SiO4:Eu2+杂质相的生成。

非对称Mg_(x)Zn_(1-x)O/ZnO/Mg_(y)Zn_(1-y)O量子阱中杂质态子态跃迁光吸收

采用密度矩阵法探讨具有混相非对称Mg_(x)Zn_(1-x)O/ZnO/Mg_(y)Zn_(1-y)O量子阱中杂质态子态间跃迁光吸收及其相关的尺寸和混晶效应。在较宽Mg组分x范围内,特别针对纤锌矿和闪锌矿的混相区间(0.37<x<0.62),考虑内建电场和Hartree势的作用,讨论跃迁光吸收系数。结合变分法和有限差分法,获得杂质子态的波函数及其本征能。所得结果表明:与单相只有单个光吸收峰不同,在混相结构中存在两类光吸收峰分别对应纤锌矿和闪锌矿结构。与电子子带间跃迁光吸收相比,获得的杂质子态间跃迁光吸收系数α_(nm)(从n态到m态的跃迁)的峰位出现蓝移,且振幅增大。α_(12)和α_(13)的峰位随着y的增加向较低入射光子波长λ移动(蓝移),但随着阱宽的增加而向较长λ移动(红移),从而调制光探测区域。结果有助于光电探测器的设计和制作。

Temperature-Dependent Photoconductance of Heavily Doped ZnO Nanowires

做 Ga 的 ZnO nanowires 被一个搏动的激光化学药品蒸汽免职方法综合了。水晶结构和光致发光系列显示掺杂物原子很好集成于 ZnO wurtzite 格子。在不同温度的光电流性质系统地为作为一台三终端的设备设置的 nanowires 被调查了。在试验性的热点之中，显著 semiconductor-to-metal 转变发生在紫外 band-to-band 刺激之上。这是在电子活动性从急速地提高的库仑相互作用并且表面散布产生的减小的后果。另一个特征是在在轻照耀之上的 220 和 320 K 的二条抵抗山谷的可再现的存在。这现象从在从本国的缺点以及外来的 Ga 掺杂物产生的杂质乐队套住和 detrapping 过程发源。这个工作在 quasi-one-dimensional 结构，提高的库仑相互作用，散布的表面，和状态能显著地影响的杂质由于维的监禁表明那费用运输。