Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验

设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。

HgCdTe注入工艺研究

HgCdTe是制造焦平面阵列最受关注的材料,注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但HgCdTe特性"娇嫩",如Hg易分凝,因此研究这种材料的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响,研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入HgCdTe的热学分析,实验研究了HgCdTe注入的工艺条件,束流与注入能量是Hg分凝的主要因素。

碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展

由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务.用湿法化学刻蚀可以成功地制备图形特征尺寸宽度在50~60μm的一代器件.对于二代和三代器件,例如高密度焦平面器件、雪崩光电二极管、双色探测器及多光谱探测器等,干法工艺特别是高密度等离子体刻蚀可以减小这些器件所需要的光敏元间距,显著提高填充因子.有一定深度并且较窄的沟道要求具有高纵横比,同时还要求侧边平滑、均匀性高,这些需要推动了干法刻蚀的发展.主要通过对2000年以来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了碲镉汞器件制备中湿法和干法处理工艺特别是干法工艺的研究进展.刻蚀机制的深入理解涉及化学、物理和电学等多种学科.对于大面积器件的制备,为了获得较好的可生产性和均匀性,需要优化刻蚀过程.

PtSi红外探测器截止波长延长研究

讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础 ,并介绍了采用在衬底掺入Tl+和Ir+,MBE生长P+层以及低能离子注入B+。

As离子注入碲镉汞的p^+n结红外探测器

讨论了制作pn结的另一种途径 ,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型 p+层来获得 p+n结。通过对制作工艺及实验结果的讨论 ,阐述了两种制作 pn结工艺的特点。实验表明 ,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活 ,而不会改变HgCdTe组份。已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的 p+n结光伏红外探测器。

光学逻辑器件和光学逻辑(Ⅱ)(续一)

光学逻辑器件和光学逻辑（Ⅱ）（续一）余飞鸿（副教授）（浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州３１００２７）４．４混合偏振型光双稳器件［１，２］基于偏振改变而起开关作用的双稳器件不需要谐振腔。光线仅通过器件一次，而不需要来回反射并建立强度，因而其响应...

离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究

研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10^13 cm·Hz^1/2/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。

1～3μm HgCdTe光伏型列阵探测器的研制

报道了用于红外高分辨率扫描仪的1～3μmHgCdTe光伏型列阵探测器的研制和性能.