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磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性
被引量:
4
1
作者
祝元坤
朱嘉琦
+2 位作者
韩杰才
梁军
张元纯
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期410-414,共5页
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-...
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO_2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的SiC,在空气条件下,SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
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关键词
无机非金属材料
磁控溅射
热稳定性
高温退火
sic
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性
被引量:
4
1
作者
祝元坤
朱嘉琦
韩杰才
梁军
张元纯
机构
哈尔滨工业大学复合材料研究所
中国汽车工业工程公司
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期410-414,共5页
基金
国家高技术研究发展计划2006AA0764
哈尔滨市青年创新人才专项资金2007RFQXG039资助项目~~
文摘
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO_2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的SiC,在空气条件下,SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
关键词
无机非金属材料
磁控溅射
热稳定性
高温退火
sic
薄膜
Keywords
inorganic non-metallic materials
,
magnetron sputtering
,
thermal stability
,
hightemperature annealing
,
sic films
分类号
TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性
祝元坤
朱嘉琦
韩杰才
梁军
张元纯
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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