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Heat dissipation enhancement method for finned heat sink for AGV motor driver's IGBT module
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作者 刘璇 ZHANG Mingchao +2 位作者 LIU Chengwen ZHOU Chuanan LV Xiaoling 《High Technology Letters》 EI CAS 2024年第2期170-178,共9页
With the widespread use of high-power and highly integrated insulated gate bipolar transistor(IGBT),their cooling methods have become challenging.This paper proposes a liquid cooling scheme for heavy-duty automated gu... With the widespread use of high-power and highly integrated insulated gate bipolar transistor(IGBT),their cooling methods have become challenging.This paper proposes a liquid cooling scheme for heavy-duty automated guided vehicle(AGV)motor driver in port environment,and improves heat dissipation by analyzing and optimizing the core component of finned heat sink.Firstly,the temperature distribution of the initial scheme is studied by using Fluent software,and the heat transfer characteristics of the finned heat sink are obtained through numerical analysis.Secondly,an orthogonal test is designed and combined with the response surface methodology to optimize the structural parameters of the finned heat sink,resulting in a 14.57%increase in the heat dissipation effect.Finally,the effectiveness of heat dissipation enhancement is verified.This work provides valuable insights into improving the heat dissipation of IGBT modules and heat sinks,and provides guidance for their future applications. 展开更多
关键词 finned heat sink insulated gate bipolar transistor(igbt)module heat dissipation orthogonal test response surface methodology
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Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor 被引量:5
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作者 Guoyou Liu Rongjun Ding Haihui Luo 《Engineering》 SCIE EI 2015年第3期361-366,共6页
Based on the construction of the 8-inch fabricat ion line, advanced process technology of 8-inch wafer, as well as the fourth-generation high-voltage double-diffused metal-oxide semiconductor(DMOS+) insulated-gate bip... Based on the construction of the 8-inch fabricat ion line, advanced process technology of 8-inch wafer, as well as the fourth-generation high-voltage double-diffused metal-oxide semiconductor(DMOS+) insulated-gate bipolar transistor(IGBT) technology and the fifth-generation trench gate IGBT technology, have been developed, realizing a great-leap forward technological development for the manufacturing of high-voltage IGBT from 6-inch to 8-inch. The 1600 A/1.7 kV and 1500 A/3.3 kV IGBT modules have been successfully fabricated, qualified, and applied in rail transportation traction system. 展开更多
关键词 insulated-gate bipolar transistor igbt high power density trench gate 8-inch rail transportation
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基于失效演化模拟的电力机车用IGBT模块解析剩余寿命建模研究
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作者 赖伟 李涵锐 +4 位作者 李辉 荆海燕 于凯 姚然 陈民铀 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第20期8189-8200,I0023,共13页
牵引变流器作为电力机车系统中最关键且故障率最高的设备,影响系统的安全运行,其中绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块是导致牵引变流器失效的主要部件。开展IGBT模块剩余寿命准确评估,对降低运维成本和系... 牵引变流器作为电力机车系统中最关键且故障率最高的设备,影响系统的安全运行,其中绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块是导致牵引变流器失效的主要部件。开展IGBT模块剩余寿命准确评估,对降低运维成本和系统故障率具有重要的战略价值和经济意义。目前采用“里程修”的运维方式,未考虑机车运行线路、工况、负载差异等因素对寿命的影响,导致一些线路过早更换的高昂运维成本和一些线路过晚替换的系统停运风险。因此,在牵引系统IGBT模块故障率高、运行线路间可靠性差异大且采用不合理的“里程修”方式背景下,目前业界普遍关心的问题是各线路基于固定里程修更换的IGBT模块剩余寿命是多少。该文针对电力机车用IGBT模块剩余寿命准确评估的问题,以IGBT模块焊料层不同服役里程空洞尺寸分布规律为基础,建立考虑焊料层空洞空间分布规律的精细化多物理场模型,开展多芯片并联IGBT模块失效演化物理过程模拟,提出以焊料层空洞分布统计规律为老化状态的电力机车用IGBT模块解析剩余寿命预测模拟,并通过功率循环试验验证改进模型准确性。研究成果丰富功率器件的寿命预测和可靠性评估理论,为系统从“里程修”向“状态修”转变提供科学依据。 展开更多
关键词 电力机车 绝缘栅双极晶体管模块 形态演化模拟 剩余寿命模型
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一种基于开通栅极电压的新型IGBT键合线老化监测方法
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作者 柴育恒 葛兴来 +3 位作者 张林林 王惠民 张艺驰 邓清丽 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期244-254,I0020,共12页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方法,该方法可有效避免温度和负载电流带来的影响。首先,基于IGBT等效电路模型,系统分析ugem受键合线断裂影响的原因;其次,利用双脉冲测试进行验证,同时对温度和负载电流带来的影响进行分析;在此基础上,考虑到使用ugem局部特征将受到温度和电流的干扰,提出将开通栅极电压整体波形用于键合线老化的监测,并进一步利用有监督的线性判别分析进行数据降维以及采用支持向量机实现键合线断裂根数的检测。最后,通过实验对所提监测方法的有效性进行验证。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管模块 键合线老化 开通栅极电压 状态监测
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感应加热电源的IGBT驱动保护系统设计
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作者 魏思宇 黄海波 +1 位作者 卢军 张程 《自动化仪表》 CAS 2024年第3期49-54,共6页
为提高感应加热电源的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)信号源与保护电路的稳定性,设计了应用于工业化低频大功率感应加热电源设备的IGBT驱动保护系统。系统整体采用复杂可编程逻辑器件(CPLD)+数字信号处理(DSP)协同工作方案,由低频正弦脉冲宽... 为提高感应加热电源的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)信号源与保护电路的稳定性,设计了应用于工业化低频大功率感应加热电源设备的IGBT驱动保护系统。系统整体采用复杂可编程逻辑器件(CPLD)+数字信号处理(DSP)协同工作方案,由低频正弦脉冲宽度调制(SPWM)技术控制,以脉冲变压器2ED300C17-S为IGBT保护电路的核心,设计了IGBT故障处理电路、退饱和检测电路与有源钳位电路等多种保护电路。对系统进行理论分析与Matlab/Simulink仿真,搭建了实物测试平台。试验结果表明,当工件加热到900℃时,逆变器输出功率参数与负载端功率参数达到大功率感应加热电源要求,且信号源输出稳定性高、保护电路响应时间快。该设计为相关工业化应用提供技术支持。 展开更多
关键词 感应加热 绝缘栅双极型晶体管 正弦脉冲宽度调制 保护电路 金属加工
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NPC三电平IGBT模块驱动电路设计及动态特性测试 被引量:2
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作者 于浪浪 李贺龙 +1 位作者 殷千辰 韩亮亮 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期146-155,共10页
二极管中点钳位NPC(neutral point clamped)三电平逆变器具备较低的开关应力、谐波分量和较好的抗干扰能力,促使其成为光伏、储能等新能源领域DC-AC变换器的主要拓扑之一。针对大功率应用场景中普遍采用的NPC三电平IGBT功率半导体模块... 二极管中点钳位NPC(neutral point clamped)三电平逆变器具备较低的开关应力、谐波分量和较好的抗干扰能力,促使其成为光伏、储能等新能源领域DC-AC变换器的主要拓扑之一。针对大功率应用场景中普遍采用的NPC三电平IGBT功率半导体模块开展研究,分析NPC三电平功率模块的换流回路,并据此给出对应换流回路的寄生参数精准仿真评估方法。依据换流回路寄生参数最小原则,设计适用于NPC三电平功率半导体模块的动态特性测试电路。根据换流回路以及电路工作原理,设计NPC三电平功率模块的驱动电路,并给出增强驱动电流、防直通及死区时间可调的驱动方案。最后,通过对NPC三电平IGBT模块的动态测试,详细评估了不同工况下功率器件的动态损耗。 展开更多
关键词 igbt模块 双脉冲测试 门极驱动
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抑制IGBT器件结温的双馈风电变流器分段DSVPWM策略 被引量:12
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作者 李辉 白鹏飞 +4 位作者 李洋 胡姚刚 宋二兵 王杰 季海婷 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期37-43,共7页
针对双馈风电机组机侧变流器绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温波动大的问题,提出了一种抑制IGBT结温且不影响机组运行性能的机侧变流器调制策略。首先,基于不连续空间矢量调制(DSVPWM)在一定负载功率因数角可降低变流器开关损耗的思路,通... 针对双馈风电机组机侧变流器绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温波动大的问题,提出了一种抑制IGBT结温且不影响机组运行性能的机侧变流器调制策略。首先,基于不连续空间矢量调制(DSVPWM)在一定负载功率因数角可降低变流器开关损耗的思路,通过推导双馈风电机组机侧变流器功率因数角表达式,详细分析了机侧变流器功率因数角的变化范围。其次,为了有效抑制IGBT结温,针对机侧变流器功率因数角变化范围大的问题,提出以机侧变流器功率因数角变化范围为依据的分段DSVPWM策略。最后,建立了考虑IGBT热性能的双馈风电变流器电-热耦合模型,对机组不同出力下的变流器电-热性能进行了仿真分析。结果表明,与传统连续空间矢量调制(CSVPWM)策略相比,所提出的分段DSVPWM策略能有效抑制机侧变流器IGBT结温及结温波动。 展开更多
关键词 双馈风力发电机组 DSVPWM 风电 变流器 igbt 结温 功率因数角 分段调制
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考虑多热源耦合的风电变流器IGBT模块结温评估模型 被引量:28
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作者 李辉 刘盛权 +3 位作者 李洋 杨东 梁媛媛 刘静 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期51-56,共6页
为了更准确地描述大功率风电机组变流器IGBT模块内并联芯片的结温,提出一种考虑多热源耦合影响的变流器功率模块结温评估改进模型。从实际2 MW双馈风电机组变流器IGBT模块内部结构和材料参数出发,利用有限元方法分析IGBT模块内多芯片的... 为了更准确地描述大功率风电机组变流器IGBT模块内并联芯片的结温,提出一种考虑多热源耦合影响的变流器功率模块结温评估改进模型。从实际2 MW双馈风电机组变流器IGBT模块内部结构和材料参数出发,利用有限元方法分析IGBT模块内多芯片的结温分布和稳态热耦合影响。引入等效耦合热阻抗概念,推导功率模块芯片间热阻抗关系矩阵,并建立考虑多芯片热源影响的IGBT模块改进热网络模型。以某H93-2MW双馈风电机组为例,对比分析了不同功率损耗下改进模型的芯片结温计算结果与有限元和常规热网络模型结果。结果表明了考虑多热源耦合影响的风电变流器功率模块内部芯片结温计算的必要性和有效性,且热耦合影响程度与不同的芯片间距密切相关,需重点关注非边缘位置芯片的热分布。 展开更多
关键词 风电 变流器 双馈发电机 功率模块 多热源耦合 结温计算 评估 模型 igbt
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基于有源电压控制法和无源缓冲法的IGBT串联均压技术 被引量:10
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作者 侯凯 李伟邦 +2 位作者 范镇淇 骆健 赵晓冬 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2013年第19期116-121,共6页
单个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于耐压的限制,在节能和改善电网电能质量、柔性直流输电、高压变频器、静止同步补偿器,以及有源电力滤波器等高压大功率电能变换场合还不能满足需求,而串联使用是一种较好的解决方案,但IGBT的串联使用需... 单个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于耐压的限制,在节能和改善电网电能质量、柔性直流输电、高压变频器、静止同步补偿器,以及有源电力滤波器等高压大功率电能变换场合还不能满足需求,而串联使用是一种较好的解决方案,但IGBT的串联使用需要解决一系列综合问题。文中结合有源电压控制(AVC)和无源电阻电容二极管(RCD)均压技术,从栅极驱动模块、参考电压波形、过流保护模块、无源缓冲电路参数计算等方面系统地描述了串联IGBT均压的综合解决方案。在此基础上研制了由4只IGBT模块串联组成的阀臂,并进行了脉冲试验,脉冲放电过程中阀臂中的每只IGBT均压稳定,电压过冲小于5%。在此基础上研制了一套3kV,600kVA的三相电压源换流器(VSC)样机,稳定地进行了额定功率的整流与逆变运行,验证了该IGBT模块直接串联技术的有效性与实用性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt 模块串联 有源电压控制(AVC) 无源电阻电容二极管 (RCD)均压 电压源换流器(VSC)
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IGBT功率模块状态监测技术研究现状 被引量:6
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作者 孔梅娟 李志刚 +1 位作者 李雄 王存乐 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期145-152,共8页
介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块键合引线脱落和焊料层疲劳两种主要的失效形式,分析了各自的失效机理。从IGBT功率模块失效发生部位的角度出发,即按照基于封装失效的状态监测技术和基于芯片失效的状态监测技术的分类方法,综述... 介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块键合引线脱落和焊料层疲劳两种主要的失效形式,分析了各自的失效机理。从IGBT功率模块失效发生部位的角度出发,即按照基于封装失效的状态监测技术和基于芯片失效的状态监测技术的分类方法,综述了国内外IGBT状态监测技术,总结了两种主要失效形式的外部特征参量的变化,认为IGBT状态监测技术是进行故障预测及诊断、提高IGBT功率模块可靠性、减少经济损失的重要方法。对各种监测方法的优缺点及可行性进行了分析,探讨了其进一步的发展方向,对如何准确获取状态参量、如何提高状态监测技术的准确性等关键问题进行了展望。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt)功率模块 可靠性 状态监测 特征参量 故障预测
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IGBT模块键合损伤机理、演化规律及状态监测 被引量:11
11
作者 姚芳 马静 +1 位作者 唐圣学 丁祥宽 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期88-99,共12页
探究绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块键合损伤机理、演化规律和状态监测方法是电力电子器件及系统可靠性研究的重要内容之一。首先,理论分析键合损伤及其演化趋势是键合线所受电动力与键合点所受剪切应力协同作用的结果,梳理键合损伤演化... 探究绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块键合损伤机理、演化规律和状态监测方法是电力电子器件及系统可靠性研究的重要内容之一。首先,理论分析键合损伤及其演化趋势是键合线所受电动力与键合点所受剪切应力协同作用的结果,梳理键合损伤演化的正反馈过程;然后,仿真分析键合线、点的热-力场,定量研究键合损伤及其成因的演化规律,结果表明键合线电动力与键合点剪切应力既是键合损伤及其演化的诱因,又明显受到键合损伤的影响;再后,等效电路分析和试验研究基于栅极电压密勒平台高度和集电极电流的键合电阻监测方法;最后,提出风电IGBT键合电阻在线监测的局限性及关键问题的解决方案,设计在线监测程序,并提出基于键合电阻百分比增量的键合损伤五等级状态评估方法。 展开更多
关键词 igbt模块 键合损伤 密勒平台高度 键合电阻 状态监测
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一种基于反向串联稳压二极管钳位的IGBT导通压降在线监测电路 被引量:6
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作者 杨旭 葛兴来 +5 位作者 柴育恒 许智亮 王惠民 姚博 闫培雷 张艺驰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第12期4547-4560,共14页
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块应用广泛。为保证IGBT可靠工作,其结温监测吸引了广泛的关注。而集电极–发射极导通压降Vce为IGBT结温监测中最常用的参数,故在线监测Vce具有重要意义。为解决传统Vce... 绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块应用广泛。为保证IGBT可靠工作,其结温监测吸引了广泛的关注。而集电极–发射极导通压降Vce为IGBT结温监测中最常用的参数,故在线监测Vce具有重要意义。为解决传统Vce测量电路中钳位电路引入测量误差、共模干扰的问题,文中提出一种IGBT导通压降在线监测电路,采用二极管反向串联稳压二极管作为钳位电路,同时通过引入缓冲电容对此类测量电路拓扑中的负压过冲进行抑制,相比传统电路可提高精度,增强可靠性,减少成本。提出电路的性能通过实验验证,并通过温敏电参数Vce实现对IGBT结温的监测,并将其结果与红外测温仪所测结温进行对比,验证该方法的有效性。 展开更多
关键词 igbt模块 导通压降监测 钳位电路 负压过冲 结温监测
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基于PFA的IGBT键合线失效机理及寿命预测 被引量:4
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作者 李志星 张鑫宇 平恩顺 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期681-684,690,共5页
为合理解释电动汽车中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块引线键合失效机理并有效预测其寿命,提出了基于失效物理分析(PFA)的IGBT模块键合引线的快速寿命预测方法。首先,分析了IGBT模块引线键合的失效机理,确定了有效评估失效的参数。其次,... 为合理解释电动汽车中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块引线键合失效机理并有效预测其寿命,提出了基于失效物理分析(PFA)的IGBT模块键合引线的快速寿命预测方法。首先,分析了IGBT模块引线键合的失效机理,确定了有效评估失效的参数。其次,借助热阻抗曲线计算方法得到了IGBT模块内部温度分布,并提出了快速功率循环测试电路的实现方法。最后,对提出的方法进行了失效物理分析并进行了实验验证。实验结果表明,这种方法合理解释了引线键合失效机理,并能对IGBT模块键合引线的寿命进行有效的预测,因此具有可行性和可靠性。 展开更多
关键词 电动汽车 绝缘栅双极型晶体管(igbt)模块 失效物理分析(PFA) 键合引线 寿命预测
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IGBT模块直接串联电压均衡驱动控制技术 被引量:5
14
作者 李伟邦 范镇淇 +1 位作者 侯凯 刘建平 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期148-154,共7页
高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块直接串联技术是实现柔性直流输电、高压直流断路器等高压大功率控制设备的一个重要基础,其中最难解决的是串联IGBT模块之间的电压均衡问题。文中分析了电压不平衡的机制,得出了实现电压均衡的关键在于... 高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块直接串联技术是实现柔性直流输电、高压直流断路器等高压大功率控制设备的一个重要基础,其中最难解决的是串联IGBT模块之间的电压均衡问题。文中分析了电压不平衡的机制,得出了实现电压均衡的关键在于解决断态电压不平衡和关断电压不平衡问题,门极侧均衡控制方法是较好的解决手段。对基于有源电压控制技术的驱动设计和基于延时补偿的控制策略进行了探讨,并分别采用在有源区对关断波形进行跟随控制和补偿IGBT器件间关断延时的方法,有效实现了串联器件的电压均衡。最后,通过6只3 300V/1 200AIGBT模块直接串联的阀段脉冲和基于该阀段的三相换流阀运行测试,对这两种方法进行了验证,所述方法获得了较好的电压均衡效果。 展开更多
关键词 柔性直流输电 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 模块串联 电压不平衡 有源电压控制 延时补偿
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车用双面散热IGBT模块随机振动性能分析与应力预测 被引量:3
15
作者 刘东静 李浩 +2 位作者 陈帅阳 王新海 冯青青 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期59-65,共7页
针对双面散热绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在车载状态下由不同频率的振动载荷导致的焊料层失效问题,分别从材料和结构两个角度,以直接覆铜(DBC)板陶瓷层材料、陶瓷层厚度以及焊料层厚度为变量,以芯片底面焊料层应力为指标进行随机振动... 针对双面散热绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块在车载状态下由不同频率的振动载荷导致的焊料层失效问题,分别从材料和结构两个角度,以直接覆铜(DBC)板陶瓷层材料、陶瓷层厚度以及焊料层厚度为变量,以芯片底面焊料层应力为指标进行随机振动分析优化与应力预测,得到模块结构的最佳参数值组合。3个变量对芯片底面焊料层应力的影响由大到小为:陶瓷层厚度、焊料层厚度、陶瓷层材料。最后提出一种对芯片下焊料层应力的预测模型,相较仿真的准确率为95.61%。该研究结果对车载双面散热IGBT模块的振动性能分析提供参考,同时为模块结构的设计提供理论依据。 展开更多
关键词 双面散热 绝缘栅双极型晶体管(igbt)模块 振动分析 优化设计 应力预测
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大型臭氧发生器IGBT逆变电源电路的设计与分析 被引量:3
16
作者 周宏伟 朱天宇 卞新高 《河海大学常州分校学报》 2003年第2期1-4,共4页
以 IGBT为核心器件 ,设计了大型臭氧发生器的逆变电源 .介绍了逆变电源主回路、PWM控制电路、IGBT的栅极驱动电路原理及其在 6 0 0 g/
关键词 氧发生器 逆变电源 绝缘栅双极型晶体管 igbt 电路设计 主回路 PWM控制电路
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高频IGBT模块的封装技术
17
作者 王晓宝 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第2期75-78,共4页
采用计算机辅助设计技术,优化设计了高频IGBT模块的内部结构;利用紧密的布局减小了分布电感;通过IGBT芯片的对称定位和连接路线的最佳选择,使分布电感量相等。同时,亦合理地设计了IGBT模块的内部结构件,改进了IGB... 采用计算机辅助设计技术,优化设计了高频IGBT模块的内部结构;利用紧密的布局减小了分布电感;通过IGBT芯片的对称定位和连接路线的最佳选择,使分布电感量相等。同时,亦合理地设计了IGBT模块的内部结构件,改进了IGBT模块的封装工艺。 展开更多
关键词 模块 双极晶体管 晶体管 封装技术 高频
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一种低寄生电感IGBT半桥模块 被引量:7
18
作者 谷彤 程士东 +2 位作者 郭清 周伟成 盛况 《机电工程》 CAS 2014年第4期527-531,共5页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块的寄生电感在实际应用中会引起芯片过电压及较大的关断损耗、电磁干扰等问题,设计了一种采用新型芯片布局方式的模块结构。设计中考虑了半桥模块在电力电子电路中的工作方式与模块内部各元件的工... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)半桥模块的寄生电感在实际应用中会引起芯片过电压及较大的关断损耗、电磁干扰等问题,设计了一种采用新型芯片布局方式的模块结构。设计中考虑了半桥模块在电力电子电路中的工作方式与模块内部各元件的工作状态,分析了通路寄生电感的作用机理,将工作在同一换流回路中的各元件放置在一起,减小了模块内部换流通路的长度,从而减小了其带来的寄生电感值。为保证功率模块封装的兼容性,制作了具有相同封装尺寸的传统商用型IGBT半桥模块与采用了新型芯片布局方式的IGBT半桥模块,搭建了电感测试电路对制作完成的两种模块进行公平地测试比较。实验结果表明,在模块和外部电路接口不变的情况下,新型模块的寄生电感比传统型减少了35%。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 半桥模块 寄生电感 芯片布局 insulated GATE bipolar transistor(igbt)
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基于新型单片机控制的SPWM的IGBT正弦波逆变中频电源的研究
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作者 高美霞 柏建普 《电源技术应用》 2008年第2期1-5,共5页
针对IGBT中频电源中逆变电路这一核心,提出了一种基于87C196MC单片机中频电源控制电路。用87C196MC单片机通过汇编语言程序设计,可方便地形成3对互补具有死区时间相位互差120°的SPWM波形,产生的脉冲信号(SPWM)控制功率器件IGBT的... 针对IGBT中频电源中逆变电路这一核心,提出了一种基于87C196MC单片机中频电源控制电路。用87C196MC单片机通过汇编语言程序设计,可方便地形成3对互补具有死区时间相位互差120°的SPWM波形,产生的脉冲信号(SPWM)控制功率器件IGBT的开关时间,实现对中频电源的控制。分析和实验结果表明,此系统效率高,噪声小,体积小,使用方便,工作可靠。基于以上的优点,单片机控制的IGBT的中频电源的应用范围更加广泛,成为用于加热淬火的首选设备。 展开更多
关键词 单片机87C196MC 功率器件igbt 中频逆变电源 正弦波脉宽调制SPWM波形
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IGBT封装形式对结温测量精度的影响 被引量:10
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作者 邓二平 陈杰 +3 位作者 赵雨山 赵子轩 赵志斌 黄永章 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期956-963,共8页
高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的... 高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的等效热学仿真模型,详细研究了小电流下饱和压降结温测量法的物理过程,对比分析了两种封装形式结温测量的精确度。仿真结果表明,小电流下饱和压降结温测量法存在固有测量误差的问题,在高压大功率IGBT模块中尤为突出,但是由于压接型IGBT器件双面散热的特性使芯片内部温度分布更均匀,也使结温测量的误差相对较小。 展开更多
关键词 压接型绝缘栅双极型晶体管(igbt) 焊接式igbt模块 结温测量方法 封装形式 测量精度
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