亚微米间距PECVD填隙工艺研究

将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。

含氟低介电常数有机材料研究进展

低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低且综合性能优异的含氟有机材料是最终目的,并对含氟低k有机材料的研究前景进行了展望。

低介电常数材料研究及进展

叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。分析了低κ材料的性能要求,论述了改性SiO2基介电材料、氟化非晶碳材料、有机介电材料和复合介电材料4大类低κ材料国内外研究进展,认为现有的各种低κ材料都存在一些优缺点,表明获得综合性能优异的低κ材料才是最终目的。认为可通过分子设计制备低κ材料,研究分子结构与性能之间的关系,从而摸索出适合低κ材料的研究方法。