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掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用
1
作者
王岩国
张泽
《金属功能材料》
CAS
2002年第1期29-32,共4页
用电子全息技术测量了掺铌∑ 13[0 0 1]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失。表明铌原子占据了界面处氧离子空位 ,消除了电荷聚集在界面处的分布状态。有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固...
用电子全息技术测量了掺铌∑ 13[0 0 1]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失。表明铌原子占据了界面处氧离子空位 ,消除了电荷聚集在界面处的分布状态。有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷 。
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关键词
界面
电子全息
势场
钛酸锶
掺杂
铌
导电陶瓷
铁电材料
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职称材料
题名
掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用
1
作者
王岩国
张泽
机构
中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室
出处
《金属功能材料》
CAS
2002年第1期29-32,共4页
文摘
用电子全息技术测量了掺铌∑ 13[0 0 1]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失。表明铌原子占据了界面处氧离子空位 ,消除了电荷聚集在界面处的分布状态。有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷 。
关键词
界面
电子全息
势场
钛酸锶
掺杂
铌
导电陶瓷
铁电材料
Keywords
interface
,
electron holography
,
potential
,
srtio 3
,
metal doping
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
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作者
出处
发文年
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1
掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用
王岩国
张泽
《金属功能材料》
CAS
2002
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