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干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数 被引量:4
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作者 尹鑫 陶绪堂 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第6期359-364,共6页
用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10^(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10^(-12)m/V)。
关键词 压电系数 光电系数 干涉法 晶体
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