提高石英表面聚焦离子束微纳直写精度的方法

针对聚焦离子束在绝缘材料表面直写微纳图形时因电荷积聚原因导致加工效果差的情况,将单晶硅湿法各向异性腐蚀工艺应用于单晶硅片表面制备倒金字塔形通孔,作为微窗硅基盖板覆盖于绝缘衬底表面。当聚焦离子束穿过通孔在非导电衬底表面进行溅射刻蚀时,微窗硅基盖板的导电特性可提高溅射出的带电粒子的迁移率,降低电荷积聚-放电的频率,从而有助于聚焦离子束在绝缘衬底表面进行微纳加工。试验在具备高分辨率扫描电子显微镜成像和聚焦离子束微纳加工功能的双束系统中进行。试验结果显示被微窗硅基盖板的通孔环绕的石英表面的刻蚀结果与未被环绕的对比,刻蚀效果有显著改善,甚至部分刻蚀结果与单晶硅表面的刻蚀结果一致。

大型会展中心树状钢框架的制造工艺

以天津国家会展中心配套区东入口大厅树状钢框架为例,通过分析“X形变截面箱型树干”和“倒四棱锥台树冠”的结构特点,针对性地给出了钢结构制造过程中的应对措施。介绍了主要的工艺思路,并提出了改进建议,从而解决了复杂立体钢结构的制作难题,可为后续类似结构的设计和制作提供参考。

含IPA的TMAH溶液对湿法腐蚀硅倒金字塔阵列微观形貌演化的研究

采用含异丙醇(IPA)的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.研究发现:与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比,添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小,致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小,通常认为,腐蚀形成的倒金字塔结构侧壁晶面为(111)面,但本研究表明,由各向异性腐蚀形成倒金字塔的侧壁晶面随腐蚀时间发生了一系列转化。在腐蚀开始时,倒金字塔侧面由(567)面逐渐向(111)面转化;继续腐蚀时,腐蚀面偏离(111)面,向(443)面转化。