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离子束辅助薄膜沉积
被引量:
13
1
作者
张宇峰
张溪文
+1 位作者
任兆杏
韩高荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第11期40-43,共4页
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。
关键词
离子束辅助薄膜沉积
IBAD
薄膜制备
等离子体
光学性能
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职称材料
热障涂层制备技术研究进展
被引量:
26
2
作者
牟仁德
何利民
+1 位作者
陆峰
陶春虎
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1-4,共4页
随着燃气涡轮发动机进口工作温度的提高,热障涂层技术受到了广泛的关注。综述了热障涂层研究及应用中的几种主要制备技术,包括等离子喷涂、电子束物理气相沉积、离子束辅助沉积、化学气相沉积等。介绍了上述几种制备技术的沉积原理,分...
随着燃气涡轮发动机进口工作温度的提高,热障涂层技术受到了广泛的关注。综述了热障涂层研究及应用中的几种主要制备技术,包括等离子喷涂、电子束物理气相沉积、离子束辅助沉积、化学气相沉积等。介绍了上述几种制备技术的沉积原理,分析了各自的特点,并从涂层显微结构、涂层寿命、应用范围等方面进行了对比,认为离子束辅助沉积和化学气相沉积技术在未来高性能新型热障涂层制备中具有较大的发展潜力。
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关键词
热障涂层
等离子喷涂
离子束辅助沉积
化学气相沉积
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职称材料
端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究
被引量:
14
3
作者
潘永强
朱昌
+1 位作者
陈智利
杭凌侠
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003年第1期57-60,共4页
研制了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔等离子体离子源 ,论述了该源的工作原理以及伏安特性。着重研究了用五栅网探针测试该源所发射的离子能量的原理和方法 ,并对测量结果进行了分析、比较。
关键词
离子束辅助沉积
光学薄膜
端部霍尔等离子体
离子源
工作原理
束流密度
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职称材料
等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究
被引量:
1
4
作者
王钧石
柳襄怀
+2 位作者
黄楠
孙宏
王良辉
《材料开发与应用》
CAS
2003年第5期17-20,共4页
本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织...
本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。
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关键词
等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积(PⅢ-IBAD)
TIN膜
显微硬度
摩擦性能
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职称材料
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
5
作者
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻...
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
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关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
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职称材料
题名
离子束辅助薄膜沉积
被引量:
13
1
作者
张宇峰
张溪文
任兆杏
韩高荣
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第11期40-43,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60006003)
文摘
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。
关键词
离子束辅助薄膜沉积
IBAD
薄膜制备
等离子体
光学性能
Keywords
ion beam assisted deposition
,
thin film
,
inductive coupling plasma
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
热障涂层制备技术研究进展
被引量:
26
2
作者
牟仁德
何利民
陆峰
陶春虎
机构
北京航空材料研究院
出处
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1-4,共4页
文摘
随着燃气涡轮发动机进口工作温度的提高,热障涂层技术受到了广泛的关注。综述了热障涂层研究及应用中的几种主要制备技术,包括等离子喷涂、电子束物理气相沉积、离子束辅助沉积、化学气相沉积等。介绍了上述几种制备技术的沉积原理,分析了各自的特点,并从涂层显微结构、涂层寿命、应用范围等方面进行了对比,认为离子束辅助沉积和化学气相沉积技术在未来高性能新型热障涂层制备中具有较大的发展潜力。
关键词
热障涂层
等离子喷涂
离子束辅助沉积
化学气相沉积
Keywords
thermal barrier coating
plasma
spray
ion
beam
assisted
film
deposition
chemical vapor
deposition
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究
被引量:
14
3
作者
潘永强
朱昌
陈智利
杭凌侠
机构
西安工业学院光电科学与工程系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003年第1期57-60,共4页
文摘
研制了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔等离子体离子源 ,论述了该源的工作原理以及伏安特性。着重研究了用五栅网探针测试该源所发射的离子能量的原理和方法 ,并对测量结果进行了分析、比较。
关键词
离子束辅助沉积
光学薄膜
端部霍尔等离子体
离子源
工作原理
束流密度
Keywords
End Hall
ion
source,
plasma
,
ion
beam
assisted
deposition
(IBAD),Optical
thin film
分类号
TB43 [一般工业技术]
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究
被引量:
1
4
作者
王钧石
柳襄怀
黄楠
孙宏
王良辉
机构
西南交通大学
上海微系统与信息技术研究所
出处
《材料开发与应用》
CAS
2003年第5期17-20,共4页
基金
中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室应用基础研究基金(10002)
文摘
本文采用一种新型的等离子体浸没式离子注入 离子束增强沉积的技术(PIII IBAD),在Cr12MoV钢基体上制备出了TiN膜,对沉积膜的组织进行了光电子能谱分析,并对沉积膜进行了硬度检测、摩擦试验及磨痕形貌分析。试验结果表明,沉积膜中的组织为TiN、TiO2和Ti2O3,TiN膜具有高达Hv3200的高硬度和极其优良的摩擦性能。
关键词
等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积(PⅢ-IBAD)
TIN膜
显微硬度
摩擦性能
Keywords
plasma
immers
ion
ion
implantat
ion
-
ion beam assisted deposition
(PIII-IBAD)
TiN
film
Microhardness
Tribological properties
分类号
TQ153.19 [化学工程—电化学工业]
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
5
作者
董启明
郭小伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.60906052)
文摘
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
Keywords
Interference lithography
Surface plasmon plortiton
Kretschmann structureCLCN: TN305.7 Document Code:A Article ID:1004-4213(2012)05-0558-70 Introduct
ion
There is a growing interest in exploring new nanolithography techniques with high efficiency,low cost and large-area fabricat
ion
to fabricate nanoscale devices for nanotechnology applicat
ion
s.Convent
ion
al photolithography has remained a useful microfabricat
ion
technology because of its ease of repetit
ion
and suitability for large-area fabricat
ion
[1].The diffract
ion
limit,however,restricts the fabricat
ion
scale of photolithography[2].Potential solut
ion
s that have actually been pursued require increasingly shorter illuminat
ion
wavelengths for replicating smaller structures.It is becoming more difficult and complicated to use the short optical wavelengths to reach the desired feature sizes.Other methods such as electron
beam
lithography[3],
ion
beam
lithography[4],scanning probe lithography[5],nanoimprint lithography(NIL)[6],and evanescent near-field optical lithography(ENFOL)[7] have been developed in order to achieve nanometer-scale features.As we know,the former three techniques need scanning and accordingly are highly inefficient.In NIL,the leveling of the imprint template and the substrate during the printing process,which determines the uniformity of the imprint result,is a challenging issue of this method.ENFOL have the potential to produce subwavelength structures with high efficiency,but it encounters the fact that the evanescent field decays rapidly through the aperture,thus attenuating the transmiss
ion
intensity at the exit plane and limiting the exposure distance to the scale of a few tens of nanometers from the mask.In recent years,the use of surface-plasmon polaritons(SPPs) instead of photons as an exposure source was rapidly developed to fabricate nanoscale structures.SPPs are characterized by its near field enhancement so that SPP-based lithography can greatly extend exposure depth and improve pattern contrast.Grating-
assisted
SPP interference,such as SPP resonant interference nanolithography[8] and SPP-
assisted
interference nanolithography[9],achieved a sub-100nm interference pattern.The techniques,however,are necessary to fabricate a metal grating with a very fine period and only suitable for small-area interference.To avoid the fabricat
ion
of the metal grating,a prism-based SPP maskless interference lithography was proposed in 2006,which promises good lithography performance.The approach offers potential to achieve sub-65nm and even sub-32nm feature sizes.However,the structure parameters are always not ideal in a real system.One wants to know how much influence the parameter variat
ion
s have on the pattern resolut
ion
and what variat
ion
s of the parameters are allowed to obtain an effective interference.Thus,it is necessary to explore the parameter spaces.1 SPP maskless interference lithography systemThe SPP maskless interference lithography system is shown in Fig.1.A p-polarized laser is divided into two
beam
s by a grating splitter,and then goes into the prism-based multilayer system.Under a given condit
ion
,the metal
film
can exhibit collective electron oscillat
ion
s known as SPPs which are charge density waves that are characterized by intense electromagnetic fields confined to the metallic surface.If the metal layer Fig.1 Schematic for SPP maskless interference lithography systemis sufficiently
thin
,
plasma
waves at both metal interfaces are coupled,resulting in symmetric and antisymmetric SPPs.When the thickness h of metal
film
,dielectric constant ε1,ε2,ε3 of medium above,inside,below the metal
film
are specified,the
coupling
equat
ion
is shown as followstanh(S2h)(ε1ε3S22+ε22S1S3)+(ε1ε2S2S3+ε2ε3S1S2)=0
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束辅助薄膜沉积
张宇峰
张溪文
任兆杏
韩高荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
13
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职称材料
2
热障涂层制备技术研究进展
牟仁德
何利民
陆峰
陶春虎
《机械工程材料》
CAS
CSCD
北大核心
2007
26
下载PDF
职称材料
3
端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究
潘永强
朱昌
陈智利
杭凌侠
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2003
14
下载PDF
职称材料
4
等离子体浸没式离子注入-离子束增强沉积TiN膜研究
王钧石
柳襄怀
黄楠
孙宏
王良辉
《材料开发与应用》
CAS
2003
1
下载PDF
职称材料
5
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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