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Studies on Heavy Metal Pollution in Soil-Plant System:A Review 被引量:9
1
作者 Wang Haiyan Sun XiangyangCollege of Soil and Water Conservation, Beijing Forestry University, Beijing 100083, P.R. China 《Forestry Studies in China》 CAS 2003年第1期55-62,共8页
Heavy metal pollution in soil-plant system is of major environmental concern on a world scale and in China in particular with the rapid development of industry. The heavy metal pollution status in soil-plant system in... Heavy metal pollution in soil-plant system is of major environmental concern on a world scale and in China in particular with the rapid development of industry. The heavy metal pollution status in soil-plant system in China, the research progress on the bioavailability of heavy metals (affecting factors, extraction methods, free-ion activity model, adsorption model, multivariate regression model, Q-I relationship, and compound pollution), and soil remediation are reviewed in the paper. Future research and monitoring is also discussed. 展开更多
关键词 heavy metal pollution soil-plant system BIOAVAILABILITY free-ion activity model adsorption model multivariate regression model compound pollution soil remediation
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金属材料中氦的扩散与氦泡的形核生长研究 被引量:20
2
作者 张崇宏 陈克勤 +1 位作者 王引书 孙继光 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期50-55,共6页
简述了金属材料中氦聚集行为的研究概况 ,特别是本课题组近年来对奥氏体不锈钢中氦扩散及氦泡形核生长机制的研究结果 ,并提出了这个领域有待解决的问题 .
关键词 离子注入 金属材料 氦扩散 氦泡 形核 生长 氦聚集 奥氏体不锈钢 核能技术 离子加速器 电境
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β-FeSi_2和β-Fe(C,Si)_2薄膜的电子显微及X射线衍射研究 被引量:3
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作者 李晓娜 聂冬 董闯 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第5期349-356,共8页
本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的 β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了研究。对掺杂C前后样品的对比研究表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳... 本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的 β FeSi2 和 β Fe(C ,Si) 2 薄膜进行了研究。对掺杂C前后样品的对比研究表明 ,选择C作为掺杂元素 ,能够得到界面平直、厚度均一的高质量 β相薄膜 ,晶粒得到细化 ,β FeSi2 层稳定性提高 ,因此从微结构角度考虑 ,引入C离子对于提高 β FeSi2 薄膜的质量是很有益处的。进一步进行光学吸收表征 ,发现C离子的引入对 β层的Edg 值没有产生明显影响。所以综合来说C离子的引入有利于得到高质量的 β FeSi2 薄膜。用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数 ,当C/Fe的剂量比为 0 5 %时 ,尽管C的原子半径比Si的小 ,β相晶格却膨胀了 ,这可能是由于间隙固溶的原因。进一步增加掺杂量到一定的程度时 ,单胞体积会缩小 ,这是由于形成了置换固溶体 ,碳置换了 展开更多
关键词 X射线衍射 Β-FESI2 半导体薄膜 金属硅化物 离子注入 透射电子显微镜
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Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究 被引量:5
4
作者 张国栋 孙维国 倪永平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期19-22,共4页
利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简... 利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。 展开更多
关键词 离子注入 INSB 平面结 光电流
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脉冲注入中靶温对金属间化合物生成的影响 被引量:1
5
作者 张通和 陈俊 +2 位作者 杨建华 张荟星 丁晓纪 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期7-12,共6页
研究了在钢和Al中脉冲注入Ti和Mo的条件下金属间化合物形成的规律及生长机理,给出了金属间化合物生长与靶温的关系,得出的实验结果与计算相符合。与电镜中退火原位观察结果比较发现,注入过程中金属间化合物生长温度(400℃... 研究了在钢和Al中脉冲注入Ti和Mo的条件下金属间化合物形成的规律及生长机理,给出了金属间化合物生长与靶温的关系,得出的实验结果与计算相符合。与电镜中退火原位观察结果比较发现,注入过程中金属间化合物生长温度(400℃)比退火中金属间化合物生长温度(600℃)低得多,说明注人过程中空位流和间隙原子流能促进金属间化合物的生长。通过脉冲注入已得到十余种金属化合物和金属间化合物,这些化合物的出现提高了注入层的硬度,改善了抗磨损特性。 展开更多
关键词 离子注入 金属间化合物 温度
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SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究
6
作者 江宁 顾书林 +1 位作者 余是东 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期169-174,共6页
本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法,研究了其再结晶性质.由RRH/VLP-CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料,经能量为180keV,剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后,形成具有一定损伤分布的非晶层.由... 本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法,研究了其再结晶性质.由RRH/VLP-CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料,经能量为180keV,剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后,形成具有一定损伤分布的非晶层.由此,我们系统研究了多晶GeSi非晶化后的再结晶性质,认为Ge在再结晶过程中可能起了的诱导晶化作用;首次观察到GeSi晶粒的纵向生长行为;得到的GeSi晶粒大于同样条件下得到的多晶Si晶粒.本项研究为多晶GeSi在高速TFT器件及其它高速器件中的应用奠定了基础,并为制备GeSi量子线结构提供了一条可能的途径. 展开更多
关键词 二氧化硅 硅化锗 再结晶
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短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型
7
作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页
本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.
关键词 离子注入 晶体管模型 MESFET GAAS
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钢/铝异种金属焊接固/液界面反应研究进展 被引量:2
8
作者 于金龙 陈树海 +1 位作者 杨冬冬 黄继华 《焊接》 2019年第6期27-33,I0027-I0028,共9页
钢/铝异种金属的焊接的核心问题是如何抑制界面金属间化合物的形成。因此,近年来国内外学者钢/铝异种金属固/液界面反应研究进行了大量研究。总结了固/液界面反应条件下金属间化合物的类型、形态、厚度以及影响其生长的因素。此外,还对... 钢/铝异种金属的焊接的核心问题是如何抑制界面金属间化合物的形成。因此,近年来国内外学者钢/铝异种金属固/液界面反应研究进行了大量研究。总结了固/液界面反应条件下金属间化合物的类型、形态、厚度以及影响其生长的因素。此外,还对金属间化合物生长模型进行了简要的概述,并分析了这些模型中存在的问题,为相关研究提供参考。 展开更多
关键词 钢/铝异种金属 固/液界面反应 金属间化合物 生长模型
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离子注入过程中金属间化合物的生长模型
9
作者 朱慧珑 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1990年第3期60-64,共5页
给出了在离子注入过程中金属间化合物生长的一个数学模型。在准静态近似下,利用分区处理和引入快、慢变量的方法,给出了该模型的近似解。得到了生长速率与微缺密度、注量率、热发射率之间的定量关系。
关键词 离子注入 金属间化合物 生长模型
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Valence electronic structure of tantalum carbide and nitride 被引量:1
10
作者 FAN ChangZeng SUN LiLing +4 位作者 WEI ZunJie MA MingZhen LIU RiPing ZENG SongYan WANG WenKui 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2007年第6期737-741,共5页
The valence electronic structures of tantalum carbide (TaC) and tantalum nitride (TaN) are studied by using the empirical electronic theory (EET). The results reveal that the bonds of these compounds have covalent,met... The valence electronic structures of tantalum carbide (TaC) and tantalum nitride (TaN) are studied by using the empirical electronic theory (EET). The results reveal that the bonds of these compounds have covalent,metallic and ionic characters. For a quantitative analysis of the relative strength of these components,their ionicities have been calculated by implanting the results of EET to the PVL model. It has been found that the ionicity of tantalum carbide is smaller than that of tantalum nitride. The EET results also reveal that the covalent electronic number of the strongest bond in the former is larger than that of the latter. All these suggest that the covalent bond of TaC is stronger than that of TaN,which coincides to that de-duced from the first-principles method. 展开更多
关键词 TAC TAN valence electronic structure ionICITY
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