Response of Sample Temperature during Straight-Line Ion Implantation

A theoretical model for calculation of the sample temperature during straight-line nitrogen ion implantation was established based on the results of experiment in this paper. Taking the pure aluminum as the samples, and from the transformation of electric energy into thermal energy, the calculated values of the temperature were in good agreement with the measured values in the experiment. According to the simulation, this technology can be applied to the control of specimens temperature during the implantation.

等离子体基离子注入过程中试样温度的预测

建立了等离子体基离子注入过程中试样温度预测的理论模型 ,应用这个模型进行了一系列数学模拟 .以纯铝为例测定了在不同的注入条件下试样的温度变化 ,得到的实验结果与数学模拟相符合 .试验表明 ,低功率注入时 ,系统达到热平衡的时间较长 ,而且热平衡温度低 ;随功率的上升 ,试样升温加快 ;注入功率密度高时 ,试样容易在注入过程中达到平衡温度 ,而且其平衡温度受注入功率的影响较小 ;试样的尺寸也是影响试样温度平衡的一个主要因素 .

AlGaN-GaN和GaN上的低能Si离子注入工艺

阐述GaN注入掺杂的激活退火一直受到GaN高温分解现象的制约,高温退火的目的是恢复注入造成的晶格损伤,激活注入的原子替代晶格原子。由于在注入过程中提高衬底温度已被证明可有效减少晶格损伤并有助于提高其他半导体材料的激活效率,探讨将这种方法应用于AlGaN/GaN和GaN中的Si离子注入。仿真和实验在Al0.25Ga0.75N/GaN和GaN样品结构中,进行Si离子注入,分析实验结果。