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CRYSTALLIZATION OF Fe_(38)Ni_(39)Si_(10)B_(13) METALLIC GLASS UNDER HELIUM ION IRRADIATION
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《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1995年第3期204-208,共5页
he crystallization features of Fe38Hi39Si10B13 metallic glass under 100 keV and 6μA/cm2 helium ion irradiation with different doses are reported. It is found that the Fe38 Ni39Si10 B13 metallic glass crystallized und... he crystallization features of Fe38Hi39Si10B13 metallic glass under 100 keV and 6μA/cm2 helium ion irradiation with different doses are reported. It is found that the Fe38 Ni39Si10 B13 metallic glass crystallized under the helium ion irradiation at the temperature lower than the ordinary thermal crystallization temperature. The preferential precipitation phase is FeSi, and followed by the eutectic phase α-Fe. The critical dose for the formation of helium bubbles in the material is around 5x10 ̄16/cm2. The sensitivity of crystallization due to the temperature rising under helium ion irradiation and the mechanism of the sequence of precipitated phase are briefly discussed. 展开更多
关键词 Fe38Ni39Si10B13 metallic glass crystalLIZATion HELIUM ion irradiation
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Modulating properties by light ion irradiation:From novel functional materials to semiconductor power devices
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作者 Ye Yuan Shengqiang Zhou Xinqiang Wang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2022年第6期66-77,共12页
In this review,the application of light ion irradiation is discussed for tailoring novel functional materials and for improving the performance in SiC or Si based electrical power devices.The deep traps and electronic... In this review,the application of light ion irradiation is discussed for tailoring novel functional materials and for improving the performance in SiC or Si based electrical power devices.The deep traps and electronic disorder produced by light ion irradiation can modify the electrical,magnetic,and optical properties of films(e.g.,dilute ferromagnetic semiconductors and topological materials).Additionally,benefiting from the high reproducibility,precise manipulation of functional depth and density of defects,as well as the flexible patternability,the helium or proton ion irradiation has been successfully employed in improving the dynamic performance of SiC and Si based PiN diode power devices by reducing their majority carrier lifetime,although the static performance is sacrificed due to deep level traps.Such a trade-off has been regarded as the key point to compromise the static and dynamic performances of power devices.As a result,herein the light ion irradiation is highlighted in both exploring new physics and optimizing the performance in functional materials and electrical devices. 展开更多
关键词 ion irradiation power device crystal thin film functional materials
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Carbon nanostructures produced through ion irradiation
3
作者 YU Li-Ping, WANG Zhen-Xia, ZHU Zhi-Yuan, ZHANG Hu-Yong, HAN Jia-Guang, ZHANG Wei, SUN Li-Tao,WANG Ting-Tai, MA Yu-Gang (Shanghai Institute of Nuclear Research, the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800) 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2003年第2期107-114,共8页
Several nanostructures we produced by ion irradiation have been reviewed in this paper. By using ions to irradiate two ultrahigh molecular weight polyethylene targets respectively, it was found that small fullerenes C... Several nanostructures we produced by ion irradiation have been reviewed in this paper. By using ions to irradiate two ultrahigh molecular weight polyethylene targets respectively, it was found that small fullerenes C20 and C26 were grown, adding two members to the fullerene family. Meanwhile, crystalline diamonds also have been produced by Ar+ ions irradiation of graphite. In the experiment of double ions Ni+ and Ar+ irradiation, nanoscale argon bubbles formed. On the other side, when multi-wall carbon nanotubes were irradiated by C+, many MWCNTs evolved to amorphous carbon nanowires and amorphous carbon nanotubes. And there are possible welding in the crossed nanotubes. 展开更多
关键词 纳米结构 离子辐射 聚乙烯
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Enhancement of hydroxyapatite dissolution through structure modification by Krypton ion irradiation
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作者 Hui Zhu Dagang Guo +4 位作者 Hang Zang Dorian AHHanaor Sen Yu Franziska Schmidt Kewei Xu 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第3期148-158,共11页
Hydroxyapatite(HA)synthesized by a wet chemical route was subjected to heavy ion irradiation,using4 Me V Krypton ion(Kr17+)with ion fluence ranging from 1×1013 to 1×1015 ions/cm2.Glancing incidence X-ray dif... Hydroxyapatite(HA)synthesized by a wet chemical route was subjected to heavy ion irradiation,using4 Me V Krypton ion(Kr17+)with ion fluence ranging from 1×1013 to 1×1015 ions/cm2.Glancing incidence X-ray diffraction(GIXRD)results confirmed the phase purity of irradiated HA with a moderate contraction in lattice parameters,and further indicated the irradiation-induced structural disorder,evidenced by broadening of the diffraction peaks.High-resolution transmission electron microscopy(HRTEM)observations indicated that the applied Kr irradiation induced significant damage in the hydroxyapatite lattice.Specifically,cavities were observed with their diameter and density varying with the irradiation fluences,while a radiation-induced crystalline-to-amorphous transition with increasing ion dose was identified.Raman and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)analysis further indicated the presence of irradiationinduced defects.Ion release from pristine and irradiated materials following immersion in Tris(p H 7.4,37?)buffer showed that dissolution in vitro was enhanced by irradiation,reaching a peak at 0.1 dpa.We examined the effects of irradiation on the early stages of the mouse osteoblast-like cells(MC3 T3-E)response.A cell counting kit-8 assay(CCK-8 test)was carried out to investigate the cytotoxicity of samples,and viable cells can be observed on the irradiated materials. 展开更多
关键词 High energy heavy ion irradiation HYDROXYAPATITE HRTEM crystal defects In vitro dissolution Cell compatibility
原文传递
单晶YSZ的Xe^+离子辐照效应研究 被引量:4
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作者 向霞 祖小涛 +5 位作者 张传飞 王治国 朱莎 曾光廷 霍永忠 王鲁闽 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期405-408,共4页
 200keVXe+离子辐照使单晶YSZ由无色透明变成紫色透明,结果表明,能量为200keV,注量为1×1017cm-2的Xe+离子辐照YSZ单晶产生的损伤高达350dpa,在损伤区产生高密度的缺陷,但仍然没有发生非晶化转变。吸收光谱测试结果表明,产生吸收...  200keVXe+离子辐照使单晶YSZ由无色透明变成紫色透明,结果表明,能量为200keV,注量为1×1017cm-2的Xe+离子辐照YSZ单晶产生的损伤高达350dpa,在损伤区产生高密度的缺陷,但仍然没有发生非晶化转变。吸收光谱测试结果表明,产生吸收带的注量阈值大约为1016cm-2。注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm。光吸收带可能与Zr阳离子最近邻的氧空位捕获电子形成的F型色心和Y阳离子近邻的氧离子捕获空穴形成的V型色心有关。 展开更多
关键词 单晶YSZ Xe^+ 氙离子 重离子辐照效应 光学性能 吸收光谱 陶瓷材料 TEM 结构分析
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单晶YSZ的Xe^+辐照损伤的电子显微分析 被引量:1
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作者 向霞 祖小涛 +2 位作者 吴继红 朱莎 王鲁闵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期95-97,共3页
 不同注量200keVXe+注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015~1×1016cm-2Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变...  不同注量200keVXe+注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015~1×1016cm-2Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变得缓慢,并且有直径为2~4nm的Xe气泡析出。选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变。在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出。 展开更多
关键词 单晶YSZ Xe+辐照 透射电子显微镜 辐照缺陷
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非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能 被引量:1
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作者 任国浩 陈晓峰 +3 位作者 薛炫萍 李中波 沈勇 陆晟 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期385-389,共5页
研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下... 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。 展开更多
关键词 CSI(TL)晶体 光输出 Tl离子 非均匀性 辐照硬度
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La∶PbWO_4晶体中La^(3+)离子的分布及其对晶体辐照硬度的影响 被引量:1
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作者 韩宝国 冯锡淇 +2 位作者 胡关钦 张雁行 雷宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期213-218,共6页
对La掺杂钨酸铅(PbWO4)晶体从其头部(靠近晶种)到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱,实验结果清楚地证实了La掺杂改善PbWO4晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中La的分布浓度进行了计算,... 对La掺杂钨酸铅(PbWO4)晶体从其头部(靠近晶种)到尾部逐点测量了透射谱及辐照诱导色心吸收谱,实验结果清楚地证实了La掺杂改善PbWO4晶体辐照硬度的作用。根据晶体生长的分凝理论对晶体中La的分布浓度进行了计算,得到了晶体350nm处光透过率与La分布浓度的关系曲线,它可以作为选择最佳掺La浓度的依据。此外,对实验数据的进一步分析揭示了晶体固有色心吸收带与辐照诱导色心吸收带之间的对应关系,为深入探讨PbWO4晶体的辐照损伤机制提供了实验依据。 展开更多
关键词 钨酸铅晶体 辐照硬度 镧离子 晶体 掺杂
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离子辐照诱发非线性点阵激发对扩散行为影响的实验研究 被引量:1
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作者 唐光泽 马欣新 张力 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2012年第2期160-164,共5页
通过采用将离子辐照面和原子扩散面分离的实验设计,从实验上消除了离子辐照其他效应对扩散过程的影响,确认离子辐照诱发非线性点阵激发对原子扩散行为存在影响。实验发现,由Ni膜/单晶Cu基体组成的置换扩散偶在离子辐照作用下,发生扩散... 通过采用将离子辐照面和原子扩散面分离的实验设计,从实验上消除了离子辐照其他效应对扩散过程的影响,确认离子辐照诱发非线性点阵激发对原子扩散行为存在影响。实验发现,由Ni膜/单晶Cu基体组成的置换扩散偶在离子辐照作用下,发生扩散加速现象。随着单晶Cu基片厚度增加,扩散加速程度降低。对于Ni膜/多晶Cu基体扩散偶没有发现辐照增强扩散现象。正电子湮没实验表明在辐照试样Ni-Cu扩散面缺陷浓度低于未辐照试样。实验结果证实晶格点阵非线性振动激子对原子扩散产生作用的微观机制。 展开更多
关键词 点阵振动 薄膜 单晶 扩散 离子辐照
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高能H^+离子注入LiF晶体中的F心与F-聚集心的形成及其光谱 被引量:1
10
作者 杨百瑞 李文琪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第2期163-166,共4页
本文讨论了 MeV H^+离子注入 LiF 的吸收光谱。与γ辐照及 MeV 电子束辐照的 LiF 样品相比较,在辐照剂量足够的情况下,H^+注入样品中没有负电性 F-聚集心的产生,但却容易获得稳定的 N_1心。同时,离子注入方法还可以使 F 与 F_2心较容易... 本文讨论了 MeV H^+离子注入 LiF 的吸收光谱。与γ辐照及 MeV 电子束辐照的 LiF 样品相比较,在辐照剂量足够的情况下,H^+注入样品中没有负电性 F-聚集心的产生,但却容易获得稳定的 N_1心。同时,离子注入方法还可以使 F 与 F_2心较容易地达到饱和,从而使其它 F-聚集心获得较高的相对强度。我们推测,这三种现象的产生可能分别与 H^+离子本身的正电性,注入过程中靶的温度及注入深度有关。 展开更多
关键词 氟化锂 晶体 离子注入 色心 光谱
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采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究
11
作者 祖小涛 封向东 +2 位作者 雷雨 朱莎 王鲁闵 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1909-1912,共4页
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应。200 keV的Xe和400 keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2。EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989和g⊥=1.869、对称轴为[111]... 利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应。200 keV的Xe和400 keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2。EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷。Cs辐照产生了比Xe离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷。两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷。因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160 dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe离子辐照产生了更多的缺陷。造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe离子却是惰性的。 展开更多
关键词 YSZ单晶 离子辐照 辐照缺陷 电子顺磁共振谱 透射电子显微镜
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C离子辐照对核级石墨微观组织损伤研究
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作者 郭丽娜 卞伟 +2 位作者 刘方刚 贺周同 彭顺米 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期345-352,共8页
利用中国科学院近代物理研究所的320 kV加速器,分别在室温和180℃不同剂量下采用1.08 MeV的C4+辐照核级石墨。采用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)、透射电子显微镜(TEM)研究离子辐照温度、辐照剂量对石墨微观组织、晶体结... 利用中国科学院近代物理研究所的320 kV加速器,分别在室温和180℃不同剂量下采用1.08 MeV的C4+辐照核级石墨。采用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束显微镜(FIB)、透射电子显微镜(TEM)研究离子辐照温度、辐照剂量对石墨微观组织、晶体结构的影响。结果表明:未辐照石墨微结构由填充颗粒和粘结剂组成,填充颗粒区域包含大量的微裂纹,粘结剂区域由细石墨微晶、微裂纹、QI粒子、混层石墨等组成。随着辐照剂量的增加,石墨表面的平整度逐渐变差,孔隙密度和平均孔隙尺寸均有所增加,辐照缺陷增加;低剂量辐照(0.02 dpa)对石墨微观组织、晶体结构影响不大,辐照区域与未辐照区域无明显区别;中等剂量的辐照(0.2 dpa)会使石墨基体中微裂纹发生闭合,沿辐照深度方向出现辐照分界线;高剂量的辐照(2 dpa)导致辐照区域内几乎所有微裂纹的闭合,辐照分界线更明显,辐照深度加深;180℃辐照2 dpa,结构变得无序,石墨发生了非晶化,说明C离子辐照导致石墨微结构发生了损坏。 展开更多
关键词 核石墨 离子辐照 微观组织 微裂纹 晶体结构
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高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
13
作者 朱升云 李安利 +3 位作者 黄汉臣 李东宏 郑胜男 勾振辉 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第10期613-615,共3页
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了1.45×1020、3.10×1017n/cm2中子辐照和5×1011/cm2178W重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用... 采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了1.45×1020、3.10×1017n/cm2中子辐照和5×1011/cm2178W重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Si中存在氧一单空位对.高中子剂量和重离子辐照Si后,用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。 展开更多
关键词 辐射效应 正电子湮灭 退火
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低功率激光辐照对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的影响
14
作者 刘惠恩 贾兆平 《湖南师范大学自然科学学报》 CAS 1992年第2期128-130,共3页
本文报道了用低功率激光辐照YBa_2Cu_3O_(7-(?))超导时,其临界温度和特性出现的改善情况,并对此进行了讨论.
关键词 激光辐照 零电阻温度 超导 YBACUO
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氧化石墨烯的离子束辐照表面改性 被引量:5
15
作者 张科举 詹福如 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期55-58,共4页
采用低能N+离子束对氧化石墨烯进行辐照,研究离子束辐照对石墨烯表面的改性作用,通过拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)表征了氧化石墨烯的辐照效果。结果表明,由于辐照产生的原子碰撞和热效应,在一定的N+辐... 采用低能N+离子束对氧化石墨烯进行辐照,研究离子束辐照对石墨烯表面的改性作用,通过拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)表征了氧化石墨烯的辐照效果。结果表明,由于辐照产生的原子碰撞和热效应,在一定的N+辐照剂量下,氧化石墨烯表面发生原子的迁移、重排,在表面产生了纳米孔和晶化现象。Raman结果显示,相对于未辐照组,辐照后的氧化石墨烯特征峰相对强度比值ID/IG明显降低,表明离子束辐照减少了氧化石墨烯表面缺陷,具有明显的改性效果。 展开更多
关键词 氧化石墨烯 离子束辐照 纳米孔 晶化
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Ti离子辐照下Zr_(55)Cu_(30)Al_(10)Ni_5非晶合金的晶化行为及腐蚀性能 被引量:1
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作者 方文兵 钱海霞 +4 位作者 曾燮榕 谢盛辉 黎晓华 张爽 盛洪超 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S2期29-33,共5页
研究了40 k V Ti离子辐照对Zr55Cu30Al10Ni5非晶合金晶化行为和腐蚀性能的影响。通过X射线衍射和差示扫描量热分析,结果表明离子辐照导致样品发生晶化,其物相与退火晶化物相有明显差异。与8.1×1017ions/cm2剂量相比,辐照剂量为2.7&... 研究了40 k V Ti离子辐照对Zr55Cu30Al10Ni5非晶合金晶化行为和腐蚀性能的影响。通过X射线衍射和差示扫描量热分析,结果表明离子辐照导致样品发生晶化,其物相与退火晶化物相有明显差异。与8.1×1017ions/cm2剂量相比,辐照剂量为2.7×1017ions/cm2时晶化量更多。电化学极化曲线和扫描电镜结果表明,辐照后样品在Na Cl溶液中的腐蚀类型为点蚀,在Na OH溶液中为均匀腐蚀,辐照后样品在两种测试溶液中的耐腐蚀性能均比铸态样品好。 展开更多
关键词 ZR基非晶合金 离子辐照 晶化 耐腐蚀性
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氩离子束对BaO-TiO2-SiO2玻璃性能的调控 被引量:2
17
作者 王晓慧 盛华平 +3 位作者 刘辉辉 贾双凤 郑赫 王建波 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期326-331,共6页
采用传统方法制备BaO-TiO_2-SiO_2(BTS)三元玻璃体系,利用氩离子束对BTS玻璃进行辐照,通过差热分析、拉曼光谱分析和电子显微分析等方法,研究不同辐照条件下BTS玻璃体系的析晶程度、压电性能和硬度的变化。结果表明:当氩离子束辐照能量... 采用传统方法制备BaO-TiO_2-SiO_2(BTS)三元玻璃体系,利用氩离子束对BTS玻璃进行辐照,通过差热分析、拉曼光谱分析和电子显微分析等方法,研究不同辐照条件下BTS玻璃体系的析晶程度、压电性能和硬度的变化。结果表明:当氩离子束辐照能量为5 keV时,随着氩离子束辐照时间的增加,BTS玻璃的析晶程度、压电系数、显微硬度均增加,且辐射后的玻璃表面变平滑,辐照后生成的微晶体主要成分是Ba_2TiSi_2O_8。当氩离子束辐照能量为30 keV,短时间大剂量的辐照情况下析出Ba_2TiSi_2O_8多晶。 展开更多
关键词 BTS玻璃 氩离子辐照 电子显微学 析晶
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离子辐照缺陷对太赫兹波发射性能的影响
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作者 黄灿 杨康 +4 位作者 马明旺 海洋 张增艳 赵红卫 朱智勇 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期46-51,共6页
应用半经典的蒙特卡罗方法,模拟计算了处于不同缺陷条件下的砷化镓在超快激光激发下的载流子输运行为及其相应的太赫兹波发射性能。计算结果表明,缺陷的类型和浓度都会对太赫兹波的脉宽和峰高产生显著的影响。分别采用500 keV和1.5 MeV... 应用半经典的蒙特卡罗方法,模拟计算了处于不同缺陷条件下的砷化镓在超快激光激发下的载流子输运行为及其相应的太赫兹波发射性能。计算结果表明,缺陷的类型和浓度都会对太赫兹波的脉宽和峰高产生显著的影响。分别采用500 keV和1.5 MeV的氮离子在不同剂量下辐照了半绝缘的砷化镓和掺铁磷化铟样品,并将辐照样品制备成太赫兹波发射天线。通过对辐照样品的太赫兹波发射能力进行测量,发现不同辐照条件下制备的太赫兹发射天线其太赫兹波的脉宽基本一致,只有峰高随辐照产生的缺陷浓度增大呈现先增大后减小的变化。结合理论计算和实验测量结果,分析讨论了光电导材料太赫兹波发射的缺陷机制。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟 太赫兹发射晶体 离子辐照缺陷
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中红外4μm波长下MgF_(2)晶体脊形光波导的制备及特性研究(特邀)
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作者 李淑慧 宋洪晓 程亚洲 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第7期83-88,共6页
为了研究离子与中红外晶体相互作用的机理,探索中红外晶体光波导的制备和性能,采用离子辐照技术结合精密金刚石刀切割,在MgF_(2)晶体材料中制备了深度17.5μm、宽度14μm的脊形光波导。采用SRIM软件模拟了C5+离子辐照MgF_(2)晶体的电子... 为了研究离子与中红外晶体相互作用的机理,探索中红外晶体光波导的制备和性能,采用离子辐照技术结合精密金刚石刀切割,在MgF_(2)晶体材料中制备了深度17.5μm、宽度14μm的脊形光波导。采用SRIM软件模拟了C5+离子辐照MgF_(2)晶体的电子能量损伤和核能量损伤的过程,分析了波导的形成机理;模拟了波导的折射率变化,并对波导的近场模式进行了实验测量和理论模拟;采用热退火处理来降低波导的传输损耗,将传输损耗降低为0.4 dB/cm;微拉曼光谱证明离子辐照过程并未对MgF_(2)晶体波导区造成较大的晶格损伤。该工作表明,离子辐照技术结合划片机精密切割是一种十分成熟的脊形波导制备手段,制备的MgF_(2)晶体脊形光波导在中红外集成光学和光通讯领域具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 中红外 MgF_(2)晶体 光波导 离子辐照
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ZnTe的A_r^+离子辐照效应及回复过程的透射电镜研究
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作者 牛枫 路钢华 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1991年第2期112-117,共6页
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体ZnTe在Ar^+离子轰击下产生严重的辐照损伤,辐照产生的缺陷可在电子束的照射下部分回复。回复过程受入射电子束能量(80KeV-200KeV)的影响不大。入射电子束剂量增大,回复温度升高,则回复过程加快。这一电子束诱导的回... Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体ZnTe在Ar^+离子轰击下产生严重的辐照损伤,辐照产生的缺陷可在电子束的照射下部分回复。回复过程受入射电子束能量(80KeV-200KeV)的影响不大。入射电子束剂量增大,回复温度升高,则回复过程加快。这一电子束诱导的回复现象可用非辐射复合增强缺陷反应的机制解释** 展开更多
关键词 ZnTe晶体 离子 辐照效应
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