期刊文献+
共找到43篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
Tribological Properties of DLC Film Prepared by C^+ Ion Beam-assisted Deposition (IBAD) 被引量:1
1
作者 白秀琴 Peter Bhm 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2006年第1期49-52,共4页
C ^+ ion beam-assisted deposition was utilized to prepare deposit diamond-like carbon ( DLC ) film. With the help of a series of experiments such as Raman spectroscopy, FT-IR spectroscopy, AFM and nanoindentation ,... C ^+ ion beam-assisted deposition was utilized to prepare deposit diamond-like carbon ( DLC ) film. With the help of a series of experiments such as Raman spectroscopy, FT-IR spectroscopy, AFM and nanoindentation , the DLC film has been recognized as hydrogenated DLC film and its tribologicul properties have been evaluated. The bull-on-disc testing results show that the hardness and the tribologicul properties of the DLC film produced by C^ + ion beam- assisted deposition are improved significantly. DLC film produced by C ^+ ion beam- assisted deposition is positive to have a prosperous tribologicul application in the near future. 展开更多
关键词 DLC film C ^+ ion beam- assisted deposition ibad tribological properties
下载PDF
A Study on Biocompatibility of TiN Thin Film Deposited on 317L Stainless Steel by Ion Beam Assisted Deposition
2
作者 LI Li 1 , ZHAO Jie 1, GU Hanq-ing 21 College of Physics and Electronic Information, Tianjin Normal University,Tianjin 300074, China 2 Tianjin Institute of Urological Surgery, Tianjin 300211, China 《Chinese Journal of Biomedical Engineering(English Edition)》 2003年第4期158-168,共11页
Titanium nitride ceramic thin films on 317L stainless steel(SS317L) substrate were deposited by Ion Beam Assisted Deposition (IBAD). The composition of the TiN films were investigated by Auger electron spectroscopy(AE... Titanium nitride ceramic thin films on 317L stainless steel(SS317L) substrate were deposited by Ion Beam Assisted Deposition (IBAD). The composition of the TiN films were investigated by Auger electron spectroscopy(AES), while the preferential orientation of the deposited film and phase composition were determined by X-ray diffraction(XRD). Adhesion was measured through Micro Scratch Tester(MST), and the corrosion resistance was evaluated by the electrochemical corrosion experiments in Hamk’s simulated human plasma. Specially, the biocompatibility of SS317L and TiN thin films were studied with fibroblast and marrow cell cultures in vitro. The results show that TiN thin films deposited on SS317L by means of IBAD can make remarkable changes on the structure and properties of the surface. At 37℃ Hank’s simulated plasma, free corrosion potential (E corr ) and breakthrough potential of pitting corrosion (E b) were both improved by coating TiN films . The culture results show that ion beam assisted TiN coatings exhibit a higher degree of cytocompatibility than that of SS317L and the cells grow better on those proper rough surfaces. 展开更多
关键词 Ion beam assisted deposition (ibad) TITANIUM NITRIDE (TiN) Corrosion
下载PDF
IBAD MoS_2-Ta膜的电子显微与能谱分析 被引量:3
3
作者 王培录 刘仲阳 +2 位作者 廖小东 孙官清 郑思孝 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期143-148,共6页
用透射电子显微镜与能谱技术对离子束辅助沉积的MoSo2-Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态等进行了观察和分析。发现膜在沉积过程中已产生部分晶化,膜体出现衬度鲜明的白色“团簇”点缀的两相特殊形态。TEM与XPS分... 用透射电子显微镜与能谱技术对离子束辅助沉积的MoSo2-Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态等进行了观察和分析。发现膜在沉积过程中已产生部分晶化,膜体出现衬度鲜明的白色“团簇”点缀的两相特殊形态。TEM与XPS分析确定白色“团簇”属析出的第二相TaS2。两区都具有(002)、(100)和(110)取向,面间距与晶格常数都比MoS2单晶增大,“白区”的参数又比膜基体略大。去离子水浸泡和高温氧化实验表明,MoS2-Ta膜的耐水解、抗氧化能力远比同一条件沉积的MoS2膜优越。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 TEM XPS 复合膜 二氧化钼
下载PDF
IBAD薄膜与基体界面的显微结构 被引量:2
4
作者 陶琨 何向军 +2 位作者 江海 范玉殿 李恒德 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期187-190,共4页
采用中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,在单晶Al2O3(0001)基片上沉积Mo膜,在GaAS(001)基片12合成Fe16N2薄膜用HREM等研究了Mo膜-Al2O3(0001)、Fe16N2膜-GaAs(001... 采用中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,在单晶Al2O3(0001)基片上沉积Mo膜,在GaAS(001)基片12合成Fe16N2薄膜用HREM等研究了Mo膜-Al2O3(0001)、Fe16N2膜-GaAs(001)界面的显微结构结果表明:Mo膜的晶粒呈细小性状或纤维状,晶粒平均尺寸约8nm,Fe16N2薄膜为等轴晶,晶粒平均尺寸约为10nm,在Mo膜-Al2O3(0001)界面及Fe16N2薄膜-GaAs(001)界面处存在厚10~15nm的由基片原子及膜层原子组成的非晶过渡层在过渡层与薄膜界面处存在台阶,增加了薄膜的形核点,薄膜的致密度较高。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 界面 显微结构 薄膜
下载PDF
铜薄膜与Al_2O_3陶瓷界面结合力的IBAD过渡层增强 被引量:4
5
作者 杨杰 王晨 +1 位作者 陶琨 范毓殿 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第5期352-355,共4页
利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄... 利用离子束辅助淀积(IBAD)方法在Al_2O_3陶瓷基片上镀制过渡金属层,然后在此过渡层上进一步用电子束蒸发镀制铜导电薄膜。这种复合方法镀制的铜膜在具有低电阻率的同时,界面附着力有大幅度增加。在本文实验条件下,有IBAD铜或钛过渡层薄膜的附着力比没有过渡层的薄膜附着力分别增加了5倍和8倍。 展开更多
关键词 陶瓷基片 薄膜 ibad 镀膜
下载PDF
离子束辅助沉积技术(IBAD)在冷作模具表面改性上的应用 被引量:2
6
作者 丁晓非 曾葆青 +1 位作者 林艾光 陈宝清 《真空》 CAS 北大核心 2010年第4期51-54,共4页
IBAD是离子注入及沉积技术发展起来的材料表面改性方面的综合技术,工模具经IBAD处理后现场使用寿命可提高2~4倍。材料经IBAD处理后改性层的硬度明显提高、摩擦系数减小、耐磨性增强;改性层是由(Ti2N+TiN)、(α-Fe+TiN)、(α-Fe(N)+Cr7... IBAD是离子注入及沉积技术发展起来的材料表面改性方面的综合技术,工模具经IBAD处理后现场使用寿命可提高2~4倍。材料经IBAD处理后改性层的硬度明显提高、摩擦系数减小、耐磨性增强;改性层是由(Ti2N+TiN)、(α-Fe+TiN)、(α-Fe(N)+Cr7C3)三层次组成,与基体间附着性好、晶粒细化呈纳米相。 展开更多
关键词 ibad 离子注入 沉积 表面改性 冷作模具钢
下载PDF
IBAD技术的开发 被引量:1
7
作者 杨杰 陶琨 范玉殿 《微细加工技术》 1993年第1期42-48,共7页
IBAD(离子束辅助淀积)是一种很有潜力的材料表面改性和优质薄膜合成技术。本文在论述它在薄膜科学研究中的特点和应用基础上,提出了IBAD技术的开发方向,给出了利用IBAD—PVD复合镀膜技术进行异质材料界面设计和利用IBAD—PVD复合淀积多... IBAD(离子束辅助淀积)是一种很有潜力的材料表面改性和优质薄膜合成技术。本文在论述它在薄膜科学研究中的特点和应用基础上,提出了IBAD技术的开发方向,给出了利用IBAD—PVD复合镀膜技术进行异质材料界面设计和利用IBAD—PVD复合淀积多层膜技术进行CoSi_2薄膜合成的研究实例。这些研究为合成满足需要的优质薄膜提出了优化的技术路线。 展开更多
关键词 离子束辅助淀积 离子注入 薄膜 镀膜
下载PDF
IBAD钼膜与Al_2O_3(0001)单晶界面的HREM研究
8
作者 何向军 陶琨 范玉殿 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第5期321-325,共5页
采用中等能量离子束辅助沉积(IBAD)技术在单晶Al2O3(0001)基片上沉积钼膜,通过HREM等分析手段,在原子尺度上,对于钼膜及其与Al2O3单晶基体界面的显微结构进行了研究。结果表明:钼膜的晶粒呈细小柱状或纤维状,平均晶粒尺寸约为... 采用中等能量离子束辅助沉积(IBAD)技术在单晶Al2O3(0001)基片上沉积钼膜,通过HREM等分析手段,在原子尺度上,对于钼膜及其与Al2O3单晶基体界面的显微结构进行了研究。结果表明:钼膜的晶粒呈细小柱状或纤维状,平均晶粒尺寸约为8nm,钼膜的致密度较高,膜内存在非晶组织。在钼膜与Al2O3单晶基片之间存在厚约10~15nm的非晶过渡层,在界面处未发现原子的长程扩散。非晶过渡层与钼膜界面处存在台阶,增加了钼膜的形核点。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积 界面 显微结构 氧化物半导体
下载PDF
灯丝型辅助离子源的设计及其对薄膜参数的改善研究
9
作者 任翼 张殷 +1 位作者 周亚东 金尚忠 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第7期99-106,共8页
为了以较低成本的技术提高磁控溅射沉积薄膜的纯度、致密性和均匀性,设计出一种可以活化氧气的双腔室直流加热灯丝型辅助离子源。通过实验改变辅助离子源的工作参数,探究其对磁控溅射镀膜机所沉积薄膜的光学参数的影响。通过对比不同工... 为了以较低成本的技术提高磁控溅射沉积薄膜的纯度、致密性和均匀性,设计出一种可以活化氧气的双腔室直流加热灯丝型辅助离子源。通过实验改变辅助离子源的工作参数,探究其对磁控溅射镀膜机所沉积薄膜的光学参数的影响。通过对比不同工艺条件下所沉积薄膜的透过率、折射率、基板上膜层不同位置的相对厚度,最终证明设计提出的辅助离子源可以一定程度改善Ta_(2)O_(5)和SiO_(2)单层镀膜的透过率、折射率以及均匀性,提升了原磁控溅射镀膜机的镀膜质量和有效镀膜面积,对提高镀膜生产效率具有一定指导意义。 展开更多
关键词 离子源 结构设计 离子束辅助沉积(ibad) 光学薄膜
下载PDF
离子辅助制备碳化硅改性薄膜 被引量:21
10
作者 陈红 高劲松 +5 位作者 宋琦 王彤彤 申振峰 王笑夷 郑宣鸣 范镝 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期381-385,共5页
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条... 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松。在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好。 展开更多
关键词 反应烧结碳化硅 表面改性 离子辅助沉积 霍尔源 表面散射系数
下载PDF
不同能量离子束辅助沉积对形成氮化钛薄膜性能的影响 被引量:13
11
作者 李立 赵杰 +1 位作者 李德军 顾汉卿 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期520-523,526,共5页
 用不同能量离子束辅助沉积方法在医用不锈钢317L和Si(100)基底上沉积TiN薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分析研究了薄膜的结构特征;测试了薄膜与基底的附着力和耐磨性;用电化学腐蚀的方法检测了...  用不同能量离子束辅助沉积方法在医用不锈钢317L和Si(100)基底上沉积TiN薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分析研究了薄膜的结构特征;测试了薄膜与基底的附着力和耐磨性;用电化学腐蚀的方法检测了薄膜在Hank′s模拟体液中的耐腐蚀性能;最后采用成纤维细胞、骨髓细胞体外培养试验考察了生长于不同薄膜表面的细胞粘附、增殖、展布情况及细胞的形态。研究结果表明:用高、低能氮离子兼用的IBAD方法制备的TiN多晶薄膜比只用高能或低能沉积的薄膜具有更强的附着力和耐磨性,在Hank′s模拟体液中显示出更强的抗腐蚀能力,并在细胞体外培养中显示出良好的细胞相容性。 展开更多
关键词 离子束辅助沉积(ibad) 氮化钛(TiN) 附着力 耐腐蚀 细胞体外培养
下载PDF
离子束辅助磁控溅射制备类石墨碳膜的结构与性能研究 被引量:7
12
作者 赵蕾 付永辉 +2 位作者 刘登益 朱晓东 何家文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期181-186,共6页
采用离子束辅助磁控溅射技术(IBMSD)制备了高硬度、低电阻率的类石墨碳膜(GLC),用TEM和XRD考察其组成相,用XPS、FTIR和电阻率间接确定其碳键结构,并测定了不同气体和离子能量辅助轰击下制备的几组薄膜的沉积速率、成分、硬度和粗糙度等... 采用离子束辅助磁控溅射技术(IBMSD)制备了高硬度、低电阻率的类石墨碳膜(GLC),用TEM和XRD考察其组成相,用XPS、FTIR和电阻率间接确定其碳键结构,并测定了不同气体和离子能量辅助轰击下制备的几组薄膜的沉积速率、成分、硬度和粗糙度等.结果表明:采用IBMSD制备的GLC是一种以sp2键为主的非晶硬质碳膜.CH4辅助轰击较Ar有利于提高沉积速率.辅助轰击能量的增大使薄膜表面粗糙度先减小后增大,硬度的变化一定程度上与粗糙度相关. 展开更多
关键词 离子束辅助沉积(ibad) 磁控溅射 类石墨碳膜 结构
下载PDF
离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向 被引量:4
13
作者 江炳尧 任琮欣 +5 位作者 郑志宏 柳襄怀 樊会明 姚刘聪 李玉涛 苏小保 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1414-1419,共6页
采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。 展开更多
关键词 铪薄膜 晶粒 择优取向 离子束辅助沉积 ibad
下载PDF
二氧化锆薄膜表面粗糙度的研究 被引量:8
14
作者 潘永强 吴振森 +1 位作者 杭凌侠 罗廷 《应用光学》 CAS CSCD 2008年第4期606-609,共4页
采用电子束蒸发工艺,利用泰勒霍普森相关相干表面轮廓粗糙度仪,研究了不同基底粗糙度、不同二氧化锆薄膜厚度以及不同的离子束辅助能量下所沉积的二氧化锆薄膜的表面粗糙度。结果表明:随着基底表面粗糙度的增加,二氧化锆薄膜表面粗糙度... 采用电子束蒸发工艺,利用泰勒霍普森相关相干表面轮廓粗糙度仪,研究了不同基底粗糙度、不同二氧化锆薄膜厚度以及不同的离子束辅助能量下所沉积的二氧化锆薄膜的表面粗糙度。结果表明:随着基底表面粗糙度的增加,二氧化锆薄膜表面粗糙度呈现出先缓慢增加,当基底的粗糙度大于10 nm后呈现快速增加的趋势;随着二氧化锆薄膜厚度的增加,其表面均方根粗糙度(RM S)先减小后增大;随着辅助沉积离子能量的增加,其表面粗糙度呈现出先减小后增加的趋势。 展开更多
关键词 二氧化锆薄膜 表面粗糙度 离子束辅助沉积 离子能量
下载PDF
锗基底3~5μm和8~12μm双波段红外增透膜研究 被引量:10
15
作者 潘永强 朱昌 +1 位作者 杭凌侠 宋俊杰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期372-374,共3页
文中简要叙述了双波段(3~5μm和8~12μm)红外增透膜的膜料选择以及锗基底上红外双波段增透膜的设计与镀制,介绍了离子束辅助沉积技术制备该薄膜的过程。提出了采用脉冲真空电弧离子镀技术镀制无氢类金刚石膜作为红外增透膜的保护膜,... 文中简要叙述了双波段(3~5μm和8~12μm)红外增透膜的膜料选择以及锗基底上红外双波段增透膜的设计与镀制,介绍了离子束辅助沉积技术制备该薄膜的过程。提出了采用脉冲真空电弧离子镀技术镀制无氢类金刚石膜作为红外增透膜的保护膜,并讨论了镀制类金刚石膜后,镀膜元件的光谱特性。 展开更多
关键词 红外双波段 红外增透膜 光谱特性 镀膜 离子束辅助沉积 保护膜 薄膜 类金刚石膜 基底
下载PDF
中红外带通滤光片的设计与制备 被引量:16
16
作者 陈朝平 师建涛 +3 位作者 郭芮 白波 杨崇民 郭鸿香 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期595-598,共4页
中红外带通滤光片在航天、气象、遥感等领域有着重要的应用,峰值透过率和通带半宽度是带通滤光片的重要指标,主要取决于光学薄膜的膜系结构和具体设计。论述了一种在锗基底上采用锗和硫化锌两种材料设计并成功制备出中红外带通滤光片的... 中红外带通滤光片在航天、气象、遥感等领域有着重要的应用,峰值透过率和通带半宽度是带通滤光片的重要指标,主要取决于光学薄膜的膜系结构和具体设计。论述了一种在锗基底上采用锗和硫化锌两种材料设计并成功制备出中红外带通滤光片的方法。详细介绍了镀膜材料的选择以及这种方法的设计理论,给出了膜系结构,运用离子辅助沉积工艺在ZZSX-1100镀膜机上制备出了这种滤光片,测试结果表明:所制备的滤光片峰值透过率达到87%以上,通带半宽度为70nm,光谱性能稳定,膜层致密,附着力好,膜系结构简单,易于实现。 展开更多
关键词 中红外带通滤光片 薄膜 离子辅助沉积 通带半宽度 峰值透过率
下载PDF
离子束辅助沉积技术及其进展 被引量:17
17
作者 傅永庆 朱晓东 +1 位作者 徐可为 何家文 《材料科学与工程》 CAS CSCD 1996年第3期22-32,共11页
本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理,主要工作特点,设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。
关键词 离子束辅助沉积 薄膜
下载PDF
端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究 被引量:14
18
作者 潘永强 朱昌 +1 位作者 陈智利 杭凌侠 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期57-60,共4页
研制了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔等离子体离子源 ,论述了该源的工作原理以及伏安特性。着重研究了用五栅网探针测试该源所发射的离子能量的原理和方法 ,并对测量结果进行了分析、比较。
关键词 离子束辅助沉积 光学薄膜 端部霍尔等离子体 离子源 工作原理 束流密度
下载PDF
宽束冷阴极离子源的工作特性研究 被引量:6
19
作者 徐均琪 杭凌侠 +2 位作者 弥谦 严一心 董网妮 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期266-270,共5页
介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的改进的宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的工作原理和放电过程,并对离子源的工作特性进行了研究。结果表明,这种离子源可以在4.5×10-3Pa的高真空度下长期稳定工作,在4.5×10-3Pa^9.7... 介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的改进的宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的工作原理和放电过程,并对离子源的工作特性进行了研究。结果表明,这种离子源可以在4.5×10-3Pa的高真空度下长期稳定工作,在4.5×10-3Pa^9.7×10-3Pa的真空度范围内,离子源的放电电压为400 V^1200 V。采用法拉第筒测试的离子束流密度约为0.5 mA/cm2~2.5 mA/cm2。五栅网测试的离子能量表明,当放电电压650 V时,离子能量为600 eV^1600 eV,其值大小随引出电压不同呈线性变化,离子平均初始动能约为480 eV。该离子源具有较大的离子束发散角,在±20°的范围内,可以得到相当均匀的离子密度,离子束发散角可以达到±40°以上。在本文述及的离子源中,我们设计了电子中和器,消除了离子源在真空室内的打火现象,中和器的电子发射能力取决于灯丝电流和负偏压大小,但负偏压的影响更为显著。了解和掌握离子源的这些工作特性和参数,可以方便对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制。 展开更多
关键词 离子源 离子束辅助沉积(ibad) 离子束流密度 离子能量 电子中和器
下载PDF
ZnSe基底7~14μm波段宽带增透膜 被引量:5
20
作者 闫兰琴 张树玉 +5 位作者 黎建明 杨海 苏小平 余怀之 刘嘉禾 刘伟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期210-212,共3页
简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7—14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%... 简要叙述了7~14μm波段红外增透膜的膜料选择以及硒化锌基底上高性能红外增透膜的设计和工艺研究。介绍了离子辅助沉积技术沉积该膜的的工艺过程。给出了用该方法制备的7—14μm波段宽带减反射膜的实测光谱曲线,其峰值透过率高达98%以上,在设计波段范围内平均透过率大于97%,膜层附着性能好,光机性能稳定。这对于红外光学系统的应用具有十分重要的意义。 展开更多
关键词 ZnSe基底 红外宽带增透膜 优化 离子辅助沉积技术
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部