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Observation of double pseudowaves in an ion-beam-plasma system
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作者 Zi-An Wei Jin-Xiu Ma Kai-Yang Yi 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第8期350-355,共6页
Pseudowaves, known as burst-ion signals, which are different from plasma normal modes, exist frequently in ion- wave excitation experiments when launching the waves by applying a pulsed voltage to a negatively biased ... Pseudowaves, known as burst-ion signals, which are different from plasma normal modes, exist frequently in ion- wave excitation experiments when launching the waves by applying a pulsed voltage to a negatively biased grid. In previous experiments, only one kind of the pseudowave was observed. In this paper, we report the observation and identification of double pseudowaves in an ion-beam-plasma system. These pseudowaves originate from two ion groups: the burst of the beam ions and the burst of the background ions. It was observed that the burst of the background ions was in the case of high ion beam energy, while the burst of the beam ions was in the case of low ion beam energy. By observing the dependence of the signal velocities on the characteristics of the excitation voltage, these pseudowaves can be identified. It was also observed that the burst ion signal originating from the background ions can interact with slow beam mode and that originating from the beam ions can interact with fast beam mode. 展开更多
关键词 ion-beam-plasma system normal modes pseudowaves wave-particle interaction
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拍瓦激光驱动纳米刷靶高品质质子束的产生
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作者 杨月 孙斌 +16 位作者 邓志刚 滕建 贺书凯 张博 王少义 张智猛 于明海 温家星 谭放 闫永宏 王子涛 周凯南 陈忠靖 吴玉迟 周维民 谷渝秋 赵宗清 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期112-116,共5页
超强激光加速产生的高能质子束源在基础物理研究、材料科学、生物医疗等领域具有广泛应用前景。基于激光聚变研究中心的SILEX-II装置,开展了高对比度飞秒激光驱动纳米刷靶质子加速实验研究。采用等离子体镜技术进一步提升激光对比度,有... 超强激光加速产生的高能质子束源在基础物理研究、材料科学、生物医疗等领域具有广泛应用前景。基于激光聚变研究中心的SILEX-II装置,开展了高对比度飞秒激光驱动纳米刷靶质子加速实验研究。采用等离子体镜技术进一步提升激光对比度,有效降低了预脉冲对纳米刷靶结构的影响。相比于平面靶,采用纳米刷靶质子截止能量提高到1.5倍,质子束产额增加近一个量级,成功验证了超高功率密度下纳米刷靶对激光离子加速的增强效果,并且有效提升了质子束空间分布的均匀性。研究结果为高品质质子束源的产生和应用提供了技术途径。 展开更多
关键词 纳米刷靶 激光离子加速 等离子体镜 高品质质子束
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大功率射频负离子源等离子体发光监测系统的研制
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作者 李玉凡 阳璞琼 +5 位作者 韦江龙 刘波 彭旭峰 杨宇雯 李宇乾 谢远来 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期29-36,共8页
基于射频波驱动的负离子源已成为未来中性束注入系统的首选方案。为监测大功率射频负离子源的各个激励器的等离子体放电状态,设计并搭建了基于光电二极管的等离子体发光监测系统。等离子体发光强度与特定碰撞发生次数、碰撞粒子密度、... 基于射频波驱动的负离子源已成为未来中性束注入系统的首选方案。为监测大功率射频负离子源的各个激励器的等离子体放电状态,设计并搭建了基于光电二极管的等离子体发光监测系统。等离子体发光强度与特定碰撞发生次数、碰撞粒子密度、碰撞粒子能量等密切相关。因此,等离子体发光强度能够定性反映出等离子体参数;基于合理的碰撞辐射模型,同时通过分析等离子体特征谱线强度,能够定量地得到等离子体参数。据此,该系统通过实时采集不同位置的等离子体发光强度信息,并以电压信号形式展现并保存下来,用于上位机实时监测和后数据处理。实验结果表明:本系统能够准确、在线地测量射频激励器内的等离子体的激发、维持和熄灭过程,且等离子体发光强度与射频爬坡放电功率具有较好的线性度,并测试了等离子体电流产生的过滤磁场对等离子体发光信号的影响。 展开更多
关键词 负离子源 中性束注入 等离子体诊断 光电二极管
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气缸套等离子束淬火/渗硫层“等耐磨性”试验研究
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作者 齐俊平 王新华 王守忠 《车用发动机》 北大核心 2023年第3期35-39,共5页
为了提高缸套内表面磨损均匀性、改善与环的配副性,制备了等离子束淬火和等离子束淬火/渗硫两种工艺下的缸套试样,并借助OM、SEM、XRD和硬度计等比较研究了其内表面的组织性能。结果表明:淬火层组织由隐针马氏体+残余奥氏体组成,淬火/... 为了提高缸套内表面磨损均匀性、改善与环的配副性,制备了等离子束淬火和等离子束淬火/渗硫两种工艺下的缸套试样,并借助OM、SEM、XRD和硬度计等比较研究了其内表面的组织性能。结果表明:淬火层组织由隐针马氏体+残余奥氏体组成,淬火/渗硫复合层组织由α-Fe+FeS+FeS 2组成;随扫描速度逐渐降低,自下而上,淬火层的硬度逐渐提高,淬火/渗硫复合层的硬度、厚度和FeS含量逐渐增加;淬火缸套试样磨损量基本为0.009 mm,淬火/渗硫缸套试样磨损量基本为0.003 mm,相对淬火缸套减少了66.7%,配副环的开口间隙相对减小了65.3%。淬火缸套内表面强化效果自下而上逐渐提高,其对FeS支撑作用逐渐增强,与缸套不同部位实际工作条件的变化对耐磨性的要求基本一致,是两种缸套试样具有“等耐磨性”的主要机理所在。 展开更多
关键词 气缸套 等离子束淬火 低温离子渗硫 耐磨性
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大面积负离子束源磁过滤器的设计及实验研究
5
作者 谢亚红 谢俊炜 +6 位作者 韦江龙 顾玉明 蒋才超 潘军军 许永建 谢远来 胡纯栋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期407-411,共5页
中性束注入是磁约束核聚变能研究中重要的辅助加热手段。大面积负离子源是中性束注入系统的核心部件。在负离子源工作过程中,负离子的电子结合能非常小(约0.75e V),极易被高能电子破坏。为此需要设计过滤磁场降低电子温度,减少负离子的... 中性束注入是磁约束核聚变能研究中重要的辅助加热手段。大面积负离子源是中性束注入系统的核心部件。在负离子源工作过程中,负离子的电子结合能非常小(约0.75e V),极易被高能电子破坏。为此需要设计过滤磁场降低电子温度,减少负离子的损失,同时也可以减少伴随引出的电子。根据大面积负离子束源的机械结构,分别设计了永磁体产生过滤磁场和利用等离子体电极(PG)电流产生磁场两种磁过滤器结构;通过有限元算法对产生的过滤磁场进行模拟分析和优化,完成了大面积负离子束源过滤磁场的研制。在负离子束源测试平台开展实验测试,引出区电子温度从5eV降至1eV。这个结果初步验证了大面积负离子束源的过滤磁场的性能,为大面积负离子束源的研制提供了支持。 展开更多
关键词 过滤磁场 中性束注入 等离子体电极 负离子束源
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等离子体技术在金属冶炼还原提纯中的应用 被引量:1
6
作者 李建军 孙足来 +6 位作者 宋青竹 张哲魁 牟鑫 葛家希 尹丹凤 BAШAПOBAЛOB 许小海 《真空》 CAS 2023年第6期47-52,共6页
总结了活泼金属的熔炼提纯方法,概述了等离子束熔炼炉的基本形式和国内外现状,介绍了等离子束冷床与感应冷坩埚复合熔炼技术和感应冷坩埚连铸技术,提出了磁搅拌冷床技术,介绍了等离子体技术在金属冶炼还原提纯中的应用,展望了等离子体... 总结了活泼金属的熔炼提纯方法,概述了等离子束熔炼炉的基本形式和国内外现状,介绍了等离子束冷床与感应冷坩埚复合熔炼技术和感应冷坩埚连铸技术,提出了磁搅拌冷床技术,介绍了等离子体技术在金属冶炼还原提纯中的应用,展望了等离子体技术的未来应用方向。 展开更多
关键词 复合熔炼 冶炼还原提纯 等离子体技术 离子束冷床 感应冷坩埚 磁搅拌冷床
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IBE离子束系统原理及故障解析
7
作者 徐俊 申强 孙运玺 《电子工业专用设备》 2023年第5期41-45,共5页
介绍了离子束刻蚀系统用的大尺寸离子源、等离子体桥中和器的结构组成,描述了各部件的主要作用和工作原理,简要分析了各参数之间的相互关系;并提供了该类型设备常见故障的识别和排除方法。
关键词 离子束 离子源 刻蚀 等离子体桥中和器
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亚波长多功能微纳米结构制造及性能分析
8
作者 王少强 陈智利 +2 位作者 毕倩 惠迎雪 刘卫国 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期25-38,共14页
利用等效介质理论计算出区熔硅微纳米结构的几何尺寸,然后在有限元模拟的基础上建立了光学模型。研究了在长波红外(8~12μm)范围内的抗反射效果,并分别分析了表面形貌和结构特征尺寸对透射率的影响。通过自由基等离子源刻蚀技术和低能... 利用等效介质理论计算出区熔硅微纳米结构的几何尺寸,然后在有限元模拟的基础上建立了光学模型。研究了在长波红外(8~12μm)范围内的抗反射效果,并分别分析了表面形貌和结构特征尺寸对透射率的影响。通过自由基等离子源刻蚀技术和低能量离子束刻蚀技术联合制备的方式,在硅表面形成了具有抗反射自清洁功能的微纳米复合结构。测得其透射率为78%,静态接触角为125.77°,并对所得结构进一步分析,实验结果表明:在长波红外范围微纳米复合结构的抗反射性能优于仅存在单一微米结构时,且纳米级别的微结构对红外波段减反射作用并不明显,微米结构是提升硅材料表面长波红外范围透射率的主要因素;具有微纳复合结构的材料表面张力大于单一微/纳米结构,与理论模拟结果一致,表明微纳米结构的存在能够有效改善硅表面的疏水能力。 展开更多
关键词 区熔硅 疏水性 微纳结构 亚波长 自由基等离子体源 低能离子束
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端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究 被引量:13
9
作者 潘永强 朱昌 +1 位作者 陈智利 杭凌侠 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期57-60,共4页
研制了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔等离子体离子源 ,论述了该源的工作原理以及伏安特性。着重研究了用五栅网探针测试该源所发射的离子能量的原理和方法 ,并对测量结果进行了分析、比较。
关键词 离子束辅助沉积 光学薄膜 端部霍尔等离子体 离子源 工作原理 束流密度
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Rod-pinch二极管箍缩特性的数值模拟 被引量:7
10
作者 高屹 邱爱慈 +3 位作者 吕敏 杨海亮 张众 张鹏飞 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期575-579,共5页
采用UNIPIC程序模拟Rod-pinch二极管(RPD)的工作过程,重点研究阳极等离子体和二极管结构参数对电子束箍缩的影响。模拟结果表明,在不考虑阳极离子流作用情况下,RPD无法在较低电压下(<2MV)实现箍缩;当阳极离子流达到一定值后,进一步... 采用UNIPIC程序模拟Rod-pinch二极管(RPD)的工作过程,重点研究阳极等离子体和二极管结构参数对电子束箍缩的影响。模拟结果表明,在不考虑阳极离子流作用情况下,RPD无法在较低电压下(<2MV)实现箍缩;当阳极离子流达到一定值后,进一步增加阳极表面发射离子流密度对二极管总电流和阳极杆尖端电流密度影响很小;阴极不同表面发射电子束的箍缩效果不同,各表面同时发射电子时,后表面发射的电子束箍缩效果最好,其次是中间表面,前表面最差;增大阴极厚度不能显著缩短电子束实现箍缩的时间。给出了阳极杆伸出阴极平面距离和阴阳极半径比等参数的选取范围,对模拟计算与实验结果间的偏差作出了解释。 展开更多
关键词 Rod-pinch二极管 箍缩特性 电子束 离子流 等离子体
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等离子体湮没离子注入 被引量:3
11
作者 夏立芳 孙跃 马欣新 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期3-6,共4页
本文扼要地介绍了等离子体湮没离子注入的基本原理、特点、应用效果及发展趋向。
关键词 等离子体 离子注入 湮没 等离子喷涂
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电子束物理气相沉积技术研究进展 被引量:16
12
作者 张传鑫 宋广平 +2 位作者 孙跃 赵轶杰 赫晓东 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2012年第2期124-126,146,共4页
电子束物理气相沉积是真空蒸发技术的一种,具有蒸发速率高和无污染的特点,目前广泛应用于材料表面涂层的制备。将离子束辅助和等离子辅助与电子束物理气相沉积技术相结合,可以提高蒸发粒子入射能量和扩散能力,改善由于电子束物理气相沉... 电子束物理气相沉积是真空蒸发技术的一种,具有蒸发速率高和无污染的特点,目前广泛应用于材料表面涂层的制备。将离子束辅助和等离子辅助与电子束物理气相沉积技术相结合,可以提高蒸发粒子入射能量和扩散能力,改善由于电子束物理气相沉积工艺本身存在阴影效应和扩散能力低而引起的沉积材料的不致密等不足。介绍了电子束物理气相沉积技术的概况,并展望了该技术的未来应用及发展前景。 展开更多
关键词 电子束物理气相沉积 离子束辅助沉积 等离子辅助沉积
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实现水蒸汽滴状冷凝的表面材料研究 被引量:9
13
作者 马学虎 徐敦颀 林纪方 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期662-666,共5页
分别采用离子注入、等离子体聚合和动态离子束混合注入技术在黄铜管外表面制备了具有低表面能的非晶态离子注氮合金、聚六氟丙烯和聚四氟乙烯表面,实现了水蒸汽在常压下的滴状冷凝。实验结果表明,各种表面均能提高冷凝传热系数约20... 分别采用离子注入、等离子体聚合和动态离子束混合注入技术在黄铜管外表面制备了具有低表面能的非晶态离子注氮合金、聚六氟丙烯和聚四氟乙烯表面,实现了水蒸汽在常压下的滴状冷凝。实验结果表明,各种表面均能提高冷凝传热系数约20倍,由于不同技术制备的表面形成滴状冷凝的机制不同,各具有不同的特性。分析讨论了各种技术制备低表面能表面的特点及其应用前景。 展开更多
关键词 滴状冷凝 离子注入 等离子体聚合 水蒸汽
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关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题 被引量:4
14
作者 尤大伟 任荆学 +1 位作者 黄小刚 武建军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期279-282,共4页
本文目的在于改进霍尔源的设计 ,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源。
关键词 光学镀膜 离子束辅助镀膜 等离子体加速器 霍尔离子源
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氙气离子推力器束流等离子体特征参数的Langmuir单探针诊断 被引量:8
15
作者 张尊 汤海滨 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1602-1608,共7页
离子推力器和航天器的成功整合,需要对羽流-航天器之间可能的相互作用进行全面的评估。为了给二者的整合提供实验依据,设计使用了Langmuir单探针测试系统,对氙气离子推力器束流等离子体参数的空间分布进行了诊断研究。实验中使用栅极表... 离子推力器和航天器的成功整合,需要对羽流-航天器之间可能的相互作用进行全面的评估。为了给二者的整合提供实验依据,设计使用了Langmuir单探针测试系统,对氙气离子推力器束流等离子体参数的空间分布进行了诊断研究。实验中使用栅极表面向外凸出的双栅极Kaufman型离子推力器,真空舱的背景压强为3mPa。与传统静态等离子体不同的是:离子推力器束流等离子体具有很大的定向速度,致使探针电流大幅增加,所以传统静态等离子体条件下的I-V(电流-电位)曲线的解释需要重新考虑并进行适当修正。为了尽量减少定向流对离子饱和电流的影响,实验中选择将Langmuir探针与推力器轴线平行放置。实验结果表明:离子推力器的束流等离子体的悬浮电位、空间电位、离子浓度的变化趋势相似,不同径向位置处的各参数都随着轴向距离的增加而减小。分布图中存在一些参数值较低的特殊点,是因为这些测点并没有位于等离子体束流区域内。通过这些特殊点的轴向和径向坐标,可估计出推力器的束流发散角(16.014°)、栅极半径(在71.3~111.3mm范围之内)、束流形状。 展开更多
关键词 离子推力器 束流等离子体 Langmuir单探针 悬浮电位 空间电位 电子温度 离子浓度
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在玻璃上用强流脉冲离子束镀膜的工艺 被引量:5
16
作者 王承遇 刘永兴 +1 位作者 马腾才 夏元良 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期249-253,共5页
用强流脉冲离子束 (HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟 (ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜 .经计算得知 :二次等离子体的密度约 10 2 0 atoms/cm3,温度以实验的电子能量 (ET0 )... 用强流脉冲离子束 (HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟 (ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜 .经计算得知 :二次等离子体的密度约 10 2 0 atoms/cm3,温度以实验的电子能量 (ET0 )表示约为 1.4eV ,在玻璃表面瞬时沉积速率达 2cm/s,比其它传统镀膜方法大几个数量级 ;并且瞬间在玻璃表面产生约 2 2 0 0℃的高温 .经一次脉冲发射可制得 65nm厚的膜 .EDX数据表明薄膜与靶材的化学组成相近 .通过原子力显微镜 (AFM )图像分析膜的表面形貌 ,在 1μm× 1μm范围内 ,薄膜表面的均方根粗糙度为 1.3 85nm 。 展开更多
关键词 强流脉冲离子束 等离子体 锡掺杂氧化铟薄膜 原子力显微镜 离子束镀膜
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强流磁约束金属离子注入源 被引量:1
17
作者 牟宗信 龙振湖 +1 位作者 李国卿 关秉羽 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期74-77,共4页
设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源。离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度。离子注入源在加速电压为30kV、50Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试... 设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源。离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度。离子注入源在加速电压为30kV、50Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试结果表明附加磁场提高了离子源性能。 展开更多
关键词 等离子体 离子束 离子源
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脉冲束流引出时的等离子体鞘层变化 被引量:2
18
作者 柯建林 周长庚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期251-255,共5页
采用一维无碰撞的动力学鞘层模型计算了脉冲等离子体在恒压引出时的等离子体鞘层厚度变化,分别对短脉冲和长脉冲放电时的离子源发射面演变进行了分析。结果表明:对于短脉冲放电,发射面位置的变化相对等离子体密度的变化存在一定时间的延... 采用一维无碰撞的动力学鞘层模型计算了脉冲等离子体在恒压引出时的等离子体鞘层厚度变化,分别对短脉冲和长脉冲放电时的离子源发射面演变进行了分析。结果表明:对于短脉冲放电,发射面位置的变化相对等离子体密度的变化存在一定时间的延迟;对于长脉冲的上升沿和直流放电的开启阶段,鞘层厚度变化的速度与离子初始速度相关,稳定后发射面的位置与离子初始速度和等离子体密度的乘积相关。 展开更多
关键词 脉冲离子束 发射面 束流引出 鞘层厚度
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重离子束在等离子体靶中的能量损失 被引量:1
19
作者 王友年 马腾才 宫野 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1992年第4期557-562,共6页
借助于线性Vlasov方程,我们研究了重离子束在等离子体靶中的有效电荷数和电子阻止本领。在高速情况下,分别得到了它们的解析表示式。以^(40)Ga,^(74)Ge,^(84)Kr,^(110)pd,^(208)pb及^(238)U等重离子束在氢等离子体中的能量损失为例,将... 借助于线性Vlasov方程,我们研究了重离子束在等离子体靶中的有效电荷数和电子阻止本领。在高速情况下,分别得到了它们的解析表示式。以^(40)Ga,^(74)Ge,^(84)Kr,^(110)pd,^(208)pb及^(238)U等重离子束在氢等离子体中的能量损失为例,将我们的理论结果与Hoffmann等人的实验结果进行了比较。 展开更多
关键词 重离子束 等离子体 能量损失
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金属等离子体浸没离子注入技术合成NbN膜 被引量:4
20
作者 宋教花 张涛 +1 位作者 侯君达 邓志威 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期623-625,共3页
利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬度 >16 .0MN·mm- 2 .
关键词 氮化铝 金属等离子体 离子注入 表面处理
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