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单轴应力锗能带结构研究
被引量:
1
1
作者
马建立
张鹤鸣
+4 位作者
宋建军
魏群
王晓艳
王冠宇
徐小波
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2012年第1期15-21,共7页
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带...
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
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关键词
单轴应力锗
能带结构
k·p微扰法
原文传递
题名
单轴应力锗能带结构研究
被引量:
1
1
作者
马建立
张鹤鸣
宋建军
魏群
王晓艳
王冠宇
徐小波
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2012年第1期15-21,共7页
基金
国家部委资助项目(编号:61398,51308040106,9140C090303110C0904)
陕西省自然科学基础研究计划(编号:2010JQ8008)资助项目
文摘
用形变势理论讨论了单轴<001>和<110>及<111>张/压应力对锗导带各能谷(?能谷、?能谷及L能谷)能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.
关键词
单轴应力锗
能带结构
k·p微扰法
Keywords
uniaxial stressed Germanium
energy band structure
k
.
p
p
erturbation method
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单轴应力锗能带结构研究
马建立
张鹤鸣
宋建军
魏群
王晓艳
王冠宇
徐小波
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
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参考文献
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