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德国W.K.P公司板材表面装饰高新技术 被引量:1
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《家具与室内装饰》 2003年第2期75-,共1页
人造板表面装饰技术的先进与否,直接关系到家具产品及室内装饰装修的质量与品质。由德国w.K.P公司于2002年研发并推广市场的新型涂料装饰纸(预油漆装饰贴面纸),作为世界首创的专利产品,它的问世将简化人造板表面装饰工艺;降低加工成本... 人造板表面装饰技术的先进与否,直接关系到家具产品及室内装饰装修的质量与品质。由德国w.K.P公司于2002年研发并推广市场的新型涂料装饰纸(预油漆装饰贴面纸),作为世界首创的专利产品,它的问世将简化人造板表面装饰工艺;降低加工成本及其相关的设备投资;且免处了油漆涂饰过程所造成的环境污染,对于保护生态环境卓有成效。该产品的良好透气性表现出极佳的手感。以下是一系列产品性能与特点。 展开更多
关键词 表面装饰 W.k.p 高新技术 科学技术 表面装饰技术 人造板 油漆装饰 原纸 硝基漆 硝基纤维素漆 装饰装修 板材 成材 贴面纸 家具产品 德国
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德国W.K.P公司新型涂料装饰纸
2
《林产工业》 北大核心 2003年第2期57-57,共1页
关键词 涂料装饰纸 油漆纸 新产品 涂层 水溶性涂料 高压电子射线固化技术 人造板 德国W.k.p公司
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应变Si/(001)Si1-xGex能带结构模型 被引量:5
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作者 宋建军 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期14-17,共4页
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随G... 应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。 展开更多
关键词 应变硅 k.p 能带结构
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非线性系统科学中关于临界点存在性条件的研究
4
作者 韩逢庆 李红梅 《重庆理工大学学报(自然科学)》 CAS 1995年第1期19-22,26,共5页
首次提出了(K.P)_c,条件以取代在临界点定理中传统的(P.S)_c,条件,并证明了在(K.P)_c,条件下,仍可得到山路引理的结论和鞍点定理以及一个一般环绕定理,同时还得到了相应的临界,或集合的结构。
关键词 (k.p)_c条件 极小极大 鞍点 M-P型点
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复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构
5
作者 徐至中 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1998年第4期379-383,共5页
采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7/(Ge0.3Si0.7)m-(Si)m/Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超... 采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7/(Ge0.3Si0.7)m-(Si)m/Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx<0.1(2π/a)范围内基本上不随kx变化。 展开更多
关键词 超晶格 量子阱 推广k.p方法 经验赝势方法
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Determination of conduction band edge characteristics of strained Si/Si1-xGex 被引量:15
6
作者 宋建军 张鹤鸣 +2 位作者 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第12期3827-3831,共5页
The feature of conduction band (CB) of Tensile-Strained Si(TS-Si) on a relaxed Si1-xGex substrate is systematically investigated, including the number of equivalent CB edge energy extrema, CB energy minima, the po... The feature of conduction band (CB) of Tensile-Strained Si(TS-Si) on a relaxed Si1-xGex substrate is systematically investigated, including the number of equivalent CB edge energy extrema, CB energy minima, the position of the extremal point, and effective mass. Based on an analysis of symmetry under strain, the number of equivalent CB edge energy extrema is presented; Using the K.P method with the help of perturbation theory, dispersion relation near minima of CB bottom energy, derived from the linear deformation potential theory, is determined, from which the parameters, namely, the position of the extremal point, and the longitudinal and transverse masses (m1^* and mt^*)are obtained. 展开更多
关键词 strained Si/Si1-xGex CONDUCTION-BAND k.p method
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一种基于有限自动机的快速串匹配算法 被引量:5
7
作者 陈倩 《计算机技术与发展》 2009年第1期131-133,138,共4页
串匹配是字符串的基本操作之一,因此为它设计一个高效算法具有一定意义。文中基于有限自动机理论,在对经典的K.M.P.算法进行分析的基础上,提出了一种快速的串匹配算法。该算法利用自动机的状态转换表实现串匹配,避免了扫描字符串时的失... 串匹配是字符串的基本操作之一,因此为它设计一个高效算法具有一定意义。文中基于有限自动机理论,在对经典的K.M.P.算法进行分析的基础上,提出了一种快速的串匹配算法。该算法利用自动机的状态转换表实现串匹配,避免了扫描字符串时的失败链回溯,从而加快了算法的运行速度。理论分析与实验结果均表明,在正文串比较长,模式串中局部匹配失败时失败链反馈较多的情况下,该算法在速度上明显优于K.M.P.算法。但在空间复杂度上,该算法需要较多的存储空间。 展开更多
关键词 串匹配 K.M.P.算法 有限自动机
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Florogenesis and Female Gametophyte Development in <i>Allium cepa</i>L. cv. Krishnapuram 被引量:1
8
作者 Gujjula Vijaya Lakshmi Mondam Muni Raja +2 位作者 Mude Lakshmipathi Naik Sake Pradeep Kumar Patan Shaik Sha Valli Khan 《American Journal of Plant Sciences》 2017年第9期2268-2281,共14页
Florogenesis is one of the most complicated and interesting processes in the nature. This process involves developmental, physiological and molecular events leading to transformation from vegetative to reproductive ph... Florogenesis is one of the most complicated and interesting processes in the nature. This process involves developmental, physiological and molecular events leading to transformation from vegetative to reproductive phase for optimal seed production and the continuation of species. The basic knowledge about flowering processes, male and female sexual systems support basic and applied research and breeding programs. Most of the onion varieties from India are short day varieties, more diverse than other exotic germplasm and useful as a source of new alleles for supporting breeding programs. The present investigation was focused to study for the first time florogenesis process by scanning electron study for the first time florogenesis process by scanning electron microscopy (SEM) and development of female gametophytes by light microscopy in order to acquire basic knowledge useful for optimizing in vitro process to produce gynogenic haploid to support and speed breeding program in short-day onion Allium cepa L. cv. Krishnapuram (KP) or Bangalore Rose. This study revealed that shoot primordium differentiated into inflorescence meristem in the month of December, while seeds were planted in the field in the September. The individual florets are preceded by a variying number of floral initials. The female gametophyte developed from chalazal side megaspore. The embryo sac development is a bisporic Allium type showing short-lived antipodals. The histological study suggests that the use of big or preanthesis flower buds with embryo sac for production of gynogenic haploids to support breeding program in onion cv. Krishnapuram (KP). However further studies are needed for confirmation of this observation. 展开更多
关键词 ALLIUM Bangalore ROSE Female GAMETOPHYTE Florogenesis k.p. ONION SEM
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施用磷肥对旱作豌豆生长和氮、磷、钾吸收的影响
9
作者 马文奇 刘社平 《河北农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期188-191,共4页
本文利用田间分期取样。研究了旱作条件下施用磷肥对豌豆地上和根系干物质消长规律及氮、磷、钾吸收的影响.结果表明,施磷能显著提高豌豆根系和地上的干物质重量.磷浓度以及氮、磷、钾单株吸收量.通过对平均吸收速度分析,可以认为... 本文利用田间分期取样。研究了旱作条件下施用磷肥对豌豆地上和根系干物质消长规律及氮、磷、钾吸收的影响.结果表明,施磷能显著提高豌豆根系和地上的干物质重量.磷浓度以及氮、磷、钾单株吸收量.通过对平均吸收速度分析,可以认为,施磷后.氮、钾吸收量的提高,主要是因为根系量增多,吸收面积加大的缘故,而磷吸收量的提高则应是磷吸收速度加快和根系量增多、吸收面积加大共同所致. 展开更多
关键词 磷肥 旱作豌豆 平均吸收速度 N.P.K
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Size and temperature effects on electric properties of CdTe/ZnTe quantum rings
10
作者 Woo-Pyo Hong Seoung-Hwan Park 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第9期450-455,共6页
The electronic properties of CdTe/ZnTe quantum rings (QRs) are investigated as functions of size and temperature using an eight-band strain-dependent k.p Hamiltonian. The size effects of diameter and height on the s... The electronic properties of CdTe/ZnTe quantum rings (QRs) are investigated as functions of size and temperature using an eight-band strain-dependent k.p Hamiltonian. The size effects of diameter and height on the strain distributions around the QRs are studied. We find that the interband transition energy, defined as the energy difference between the ground electronic and the ground heavy-hole subbands, increases with the increasing QR inner diameter regardless of the temperature, while the interband energy decreases with the increasing QR height, This is attributed to the reduction of subband energies in both the conduction and the valence bands due to the strain effects. Our model, in the framework of the finite element method and the theory of elasticity of solids, shows a good agreement with the temperature-dependent photoluminescence measurement of the interband transition energies. 展开更多
关键词 quantum ring eight-band k.p model finite-element method strain and temperatureeffects electronic structure
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Numerical study of strained InGaAs quantum well lasers emitting at 2.33 μm using the eight-band model
11
作者 汪明 谷永先 +2 位作者 季海铭 杨涛 王占国 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第7期380-386,共7页
We investigate the band structure of a compressively strained In(Ga)As/In0.53Ga0.47As quantum well (QW) on an InP substrate using the eight-band k.p theory. Aiming at the emission wavelength around 2.33 μm, we di... We investigate the band structure of a compressively strained In(Ga)As/In0.53Ga0.47As quantum well (QW) on an InP substrate using the eight-band k.p theory. Aiming at the emission wavelength around 2.33 μm, we discuss the influences of temperature, strain and well width on the band structure and on the emission wavelength of the QW. The wavelength increases with the increase of temperature, strain and well width. Furthermore, we design an InAs /In0.53Ga0.47As QW with a well width of 4.1 nm emitting at 2.33 μm by optimizing the strain and the well width. 展开更多
关键词 band structure eight-band k.p theory strained quantum well peak emission wavelength
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集成双波导体半导体光放大器的增益特性研究
12
作者 陈旭 常磊 《光通信技术》 北大核心 2016年第5期46-48,共3页
运用k.p法分析了半导体的能带结构。基于Kane模型,计算了体半导体的能带结构。在分析半导体能带结构的基础上,重点分析了体半导体的材料增益,给出了其理论分析模型,并进行了数值仿真分析。
关键词 体材料 k·p法 Kane模型
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旱作豌豆生长和营养规律的研究
13
作者 马文奇 《河北农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期113-115,共3页
本文在田间,利用分期取样研究了旱作条件下豌豆地上部与根系干物质消长规律和N、P、K养分含量变化规律.结果表明,豌豆地上部和全株干物质的增长符合Logistic生长曲线,而根干重呈抛物线的变化规律.地上和根系的N、P、... 本文在田间,利用分期取样研究了旱作条件下豌豆地上部与根系干物质消长规律和N、P、K养分含量变化规律.结果表明,豌豆地上部和全株干物质的增长符合Logistic生长曲线,而根干重呈抛物线的变化规律.地上和根系的N、P、K含量均呈随生育期推进而逐渐降低的变化趋势. 展开更多
关键词 旱作豌豆 生长 N.P.K含量
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用于中间带太阳电池的InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点研究
14
作者 叶赛 季莲 《建筑热能通风空调》 2021年第8期38-41,共4页
使用8带k.p理论模型对不同Sb元素组分的InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点进行了模拟计算。模拟结果显示InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点在覆盖层中的Sb元素组分增加到14%后会使其能带结构转变为Ⅱ类。在这一转变过程中,载流子的波函数显示电子... 使用8带k.p理论模型对不同Sb元素组分的InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点进行了模拟计算。模拟结果显示InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点在覆盖层中的Sb元素组分增加到14%后会使其能带结构转变为Ⅱ类。在这一转变过程中,载流子的波函数显示电子基态的位置基本不变,始终坐落于量子点内,而空穴基态则在Sb元素组分为10%-14%时从InAs量子点区域移动到GaAsSb覆盖层中,并最终产生电子和空穴的空间分离。研究还表明了增大量子点尺寸会削弱其子带能级间的分离趋势,进而降低量子点的带间跃迁能量。 展开更多
关键词 InAs/GaAs_(1-x)Sb_(x)量子点 8带k.p理论 Ⅱ类结构 中间带太阳电池
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基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1-xSnx能带特性与迁移率计算
15
作者 底琳佳 戴显英 +4 位作者 宋建军 苗东铭 赵天龙 吴淑静 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期211-223,共13页
能带工程通过改变材料的能带结构可以显著提升其电学和光学性质,已广泛应用于半导体材料的改性研究.双轴张应力和Sn组分共同作用下的Ge_(1-x)Sn_x合金,不仅可以解决直接带隙转变所需高Sn组分带来的工艺难题,而且载流子迁移率会显著提升... 能带工程通过改变材料的能带结构可以显著提升其电学和光学性质,已广泛应用于半导体材料的改性研究.双轴张应力和Sn组分共同作用下的Ge_(1-x)Sn_x合金,不仅可以解决直接带隙转变所需高Sn组分带来的工艺难题,而且载流子迁移率会显著提升,在单片光电集成领域有很好的应用前景.根据形变势理论,分析了(001)面双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x的带隙转变条件,并给出了在带隙转变临界点Sn组分和双轴张应力的关系;采用8κ·p方法,得到了临界带隙双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x在布里渊区中心点附近的能带结构,进而计算得到电子与空穴有效质量;基于载流子散射模型,计算了电子与空穴迁移率.计算结果表明:较低Sn组分和双轴张应力的组合即可得到直接带隙Ge_(1-x)Sn_x合金,且直接带隙宽度随着应力的增大而减小;临界带隙双轴张应变Ge_(1-x)Sn_x具有极高的电子迁移率,空穴迁移率在较小应力作用下即可显著提升.考虑工艺实现难度和材料性能两个方面,可以选择4%Sn组分与1.2 GPa双轴张应力或3%Sn组分与1.5 GPa双轴张应力的组合用于高速器件和光电器件的设计. 展开更多
关键词 双轴张应变Ge1-xSnx k·p方法 能带结构 迁移率
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不同氮磷钾配比对仙客来生长发育的影响 被引量:1
16
作者 付印东 金丽丽 《价值工程》 2010年第6期62-62,共1页
对仙客来无土栽培营养液中N、P、K元素采用三因素二次D-饱和最优设计,探讨不同浓度氮磷钾对仙客来生长发育的影响,对仙客来的叶面积、株高、冠幅进行了分析。结果表明:N、P、K最佳浓度组合为300mg/L、60mg/L、325mg/L。
关键词 仙客来 N.P.K浓度 生长发育
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侧壁角对梯形琴键堰泄流能力的影响
17
作者 袁柳 吉庆丰 《长江科学院院报》 CSCD 北大核心 2022年第10期151-157,162,共8页
梯形琴键堰(T.P.K堰)是琴键堰(P.K堰)的进一步发展,具有泄流能力强、受地形限制影响小等优点。为了研究不同侧壁角对T.P.K堰泄流能力的影响,采用RNG k-ε湍流模型VOF法追踪自由表面,对5种不同侧壁角的堰型进行三维数值模拟。结果表明:α... 梯形琴键堰(T.P.K堰)是琴键堰(P.K堰)的进一步发展,具有泄流能力强、受地形限制影响小等优点。为了研究不同侧壁角对T.P.K堰泄流能力的影响,采用RNG k-ε湍流模型VOF法追踪自由表面,对5种不同侧壁角的堰型进行三维数值模拟。结果表明:α<0°对T.P.K堰的泄流能力产生不利影响;随着侧壁角的增大,泄流能力得到了提升,当α=9°时,泄流量不再提高。利用数值模拟的优点,分别对T.P.K堰不同溢流前缘的泄流能力进行研究,并且揭示了侧壁角对泄流能力的内在影响机理。 展开更多
关键词 T.P.K堰 侧壁角 泄流能力 数值模拟 水力特性
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菠萝N.P.K的诊断施肥综合法初步标准
18
作者 D.E.Angeles 刘长全 《福建热作科技》 1993年第1期46-47,共2页
根据早先发表的1185个菠萝叶片养分组成和产量的观察数据,本文提出了菠萝“诊断施肥综合法(DRTS)”标准.所用数据分为高产亚群体(大于60吨/公顷,含650个样本)和低产亚群体(小于60吨/公顷,含535个样本),并通过标准的诊断施肥综合法技术... 根据早先发表的1185个菠萝叶片养分组成和产量的观察数据,本文提出了菠萝“诊断施肥综合法(DRTS)”标准.所用数据分为高产亚群体(大于60吨/公顷,含650个样本)和低产亚群体(小于60吨/公顷,含535个样本),并通过标准的诊断施肥综合法技术得出诊断标准.检验这些标准的可行性是用品外一些独立发表的N.P.K因子试验数据,这些数据包括了其产量的效应.在大多数资料里,这些新的诊断施肥综合法标准可实现临界值方法无法实现的正确N.PK营养诊断.因而,诊断施肥结合法可揭示,在通常被认为在足够范围内的营养缺乏问题.诊断施肥综合法还能增加评价养分平衡的精确性.而这种评价用临界值方法却被忽视了. 展开更多
关键词 菠萝 N.P.K营养 施肥综合法 诊断技术
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D.P.K复合液肌注在小儿全麻手术中的应用
19
作者 李树强 黄佐卿 杨杰 《中国中医药现代远程教育》 2010年第6期85-86,共2页
目的探讨哌替啶(缩写D),异丙嗪(缩写P),氯胺酮(缩写K)最佳配伍计量比在小儿全麻中的应用。方法随机选用三组不同剂量配方(主要是一组和二组比对,第三组配方只适合用1岁以内小儿)比对观察麻醉效果优劣。结果第二组配方哌替啶25mg... 目的探讨哌替啶(缩写D),异丙嗪(缩写P),氯胺酮(缩写K)最佳配伍计量比在小儿全麻中的应用。方法随机选用三组不同剂量配方(主要是一组和二组比对,第三组配方只适合用1岁以内小儿)比对观察麻醉效果优劣。结果第二组配方哌替啶25mg,异丙嗪50mg,氯胺酮125mg。共5ml.。0.2ml/kg复合液肌注优于第一组。结论以D.P.K复合液肌肉注射为基础,辅以氯胺酮静注麻醉。为麻醉性镇痛药,神经安定药与静脉全麻醉药相配伍,采用肌肉注射复合麻醉与氯胺酮静脉麻醉相结合的方法,经临床实践效果好。患儿入室后即肌注D.P.复合液,安静入睡,防止了患儿哭闹和对手术的恐惧心理。避免了手术对忠儿的不良刺激和精神创伤,有利于患儿的康复。为手术前准备提供了方便。 展开更多
关键词 小儿麻醉 D.P.K复合液 中西医结合麻醉学 中医儿科学 中西医结合儿科学
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应变Si价带色散关系模型 被引量:21
20
作者 宋建军 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7228-7232,共5页
基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器... 基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤x≤0.6)衬底上生长的应变Si,并且,通过该模型可以获取任意K矢方向的应变Si价带结构及空穴有效质量,对器件研究设计可提供有价值的参考. 展开更多
关键词 应变SI k.p理论 色散关系
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