深槽刻蚀工艺中lag效应的研究(英文)

等离子体深刻蚀技术是MEMS制备的关键,利用该技术进行刻蚀时,会出现lag效应和反常lag效应,严重影响器件的性能。为了消除lag效应,建立刻蚀和钝化模型分析lag的产生,并利用ARDE表征lag。采用"四因子-三水平"的正交实验研究不同工艺参数对lag的影响,得到工艺参数影响lag的优先级:线圈功率和极板功率对lag产生影响最大,与此同时得到一组最优的实验参数。在低线圈功率和低极板功率条件下,研究了改变压强和气体流量对lag的影响,增加压强和气体流量都会减小lag。最终通过优化工艺参数得到了反常lag结构和lag消除的刻蚀结构。

固定宽度结构等离子体刻蚀中Lag效应的数值模拟

为了对传感器设计与制造中的刻蚀过程进行研究，本文利用等离子体～硅表面交互作用的动力学机制和算法的优化，建立了一种时空归一化的等离子体刻蚀硅片二维模型，并利用该模型，从固定结构尺寸的角度对等离子体刻蚀中的重要现象——Lag效应进行了揭示，证明在固定宽度结构的刻蚀中存在刻蚀速率随时间变小的现象。同时还对刻蚀算法中的时间步长选择问题进行了讨论，从数值计算的角度提出了最优时间步长的概念并加以验证。为工艺过程的数值模拟及实验提供参考和指导。

F等离子体刻蚀Si中Lag效应的分子动力学模拟

通过分子动力学模拟的方法对感应耦合等离子体刻蚀中Lag效应的产生机理进行了研究.研究结果表明,在刻蚀过程中普遍存在Lag效应,宽槽的刻蚀率明显比窄槽的刻蚀率要高,这是由于宽槽更有利于产物从槽中的逸出;窄槽中产物从槽中逸出的速率较低,较多的产物拥挤在窄槽中降低了入射的F等离子体入射的速度,从而降低了F等离子体到达Si表面的能量,而相同条件下,刻蚀率随能量的降低而降低;另一方面,窄槽中入射的等离子体与槽壁的距离较近,使得入射的F更容易与槽壁表面的Si的悬挂键结合沉积在槽壁表面,使刻蚀出的槽宽度变窄,进一步影响到后继粒子的入射;Lag效应随槽宽的减小而增强,随温度的升高而减弱,随入射粒子能量的升高而增强.

一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法

在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异。为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型。

基于ICP的硅高深宽比沟槽刻蚀技术

介绍了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术的基本概念。结合英国STS公司的STS multiplex ICP system刻蚀机,介绍了刻蚀机原理及刻蚀过程。对硅深槽刻蚀技术进行了分析,对其中Footing效应、Lag效应和侧壁光滑问题提出了优化方案,最后在实验的基础上得出了能够刻蚀出高质量硅深沟槽的刻蚀参数。

视觉掩蔽可基于知觉到的客体位置

利用flash-lag效应分离视觉掩蔽中客体的物理位置和知觉位置,以探讨掩蔽效应是否基于知觉到的客体位置。实验中掩蔽刺激做圆周运动,到某一位置时,目标刺激短时呈现,要求被试判断目标刺激(缺角菱形)的缺角方向。通过操作目标呈现时二者之间的相对位置,发现当二者物理位置不重合而知觉位置重合时掩蔽效应最大。该结果表明,视觉掩蔽可基于知觉到的客体位置。