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Effects of the Facet Reflectivity of a Laser Diode on Fiber Bragg Grating Semiconductor Lasers 被引量:2
1
作者 Honggang Yu Chang-Qing Xu +3 位作者 Na Li Zhilin Peng Jacek Wojcik Peter Mascher 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第S1期429-430,共2页
Effects of facet reflectivity of a laser diode on the performance of fiber Bragg grating semiconductor lasers are studied experimentally. Facet reflectivity of less than 10-4 is necessary to obtain stable oscillation ... Effects of facet reflectivity of a laser diode on the performance of fiber Bragg grating semiconductor lasers are studied experimentally. Facet reflectivity of less than 10-4 is necessary to obtain stable oscillation wavelength. 展开更多
关键词 FBG in as MODE of effects of the Facet Reflectivity of a laser Diode on Fiber Bragg Grating semiconductor lasers on
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The Effect of Lateral Guiding Mechanism on Noise Characteristics in Semiconductor Lasers
2
作者 Abbas Zarifkar Afsaneh Falahatpisheh +1 位作者 Mohammad Kazem Moravvej-Farshi Ebrahim Mortazy 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第S1期465-466,共2页
A comparison between intensity noise spectra and also the line shapes of gain-guided, weakly-index-guided, and strongly-index-guided semiconductor lasers are made using numerical solution of Maxwell-Bloch equations in... A comparison between intensity noise spectra and also the line shapes of gain-guided, weakly-index-guided, and strongly-index-guided semiconductor lasers are made using numerical solution of Maxwell-Bloch equations including spontaneous emission noise. 展开更多
关键词 of in The effect of Lateral Guiding Mechanism on Noise Characteristics in semiconductor lasers 林乙 on
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Effects of gain nonlinearities in an optically injected gain lever semiconductor laser
3
作者 J.M.SARRAUTE K.SCHIRES +1 位作者 S.LAROCHELLE F.GRILLOT 《Photonics Research》 SCIE EI 2017年第4期315-319,共5页
The effects of gain compression on the modulation dynamics of an optically injected gain lever semiconductor laser are studied. Calculations reveal that the gain compression is not necessarily a drawback affecting the... The effects of gain compression on the modulation dynamics of an optically injected gain lever semiconductor laser are studied. Calculations reveal that the gain compression is not necessarily a drawback affecting the laser dynamics. With a practical injection strength, a high gain lever effect and a moderate compression value allow us to theoretically predict a modulation bandwidth four times higher than the free-running one without a gain lever,which is of paramount importance for the development of directly modulated broadband optical sources compatible with short-reach communication links. 展开更多
关键词 GL effects of gain nonlinearities in an optically injected gain lever semiconductor laser
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Physics of Power Semiconductor Streamer Laser
4
作者 Valentin V. Parashchuk 《Journal of Physical Science and Application》 2014年第6期398-402,共5页
关键词 半导体激光器 光物理 功率 结晶取向 流光放电 激光激发 放电现象 破坏作用
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Laser frequency locking based on the normal and abnormal saturated absorption spectroscopy of ^(87)Rb
5
作者 万剑宏 刘畅 王延辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第4期145-149,共5页
We present a practical method to avoid the mis-locking phenomenon in the saturated-absorption-spectrum laser- frequency-locking system and set up a simple theoretical model to explain the abnormal saturated absorption... We present a practical method to avoid the mis-locking phenomenon in the saturated-absorption-spectrum laser- frequency-locking system and set up a simple theoretical model to explain the abnormal saturated absorption spectrum. The method uses the normal and abnormal saturated absorption spectra of the same transition 52S1/2, F = 2-52P3/2, F1 = 3 saturated absorption of the 87Rb D2 resonance line. After subtracting these two signals with the help of electronics, we can obtain a spectrum with a single peak to lock the laser. In our experiment, we use the normal and inverse signals of the transitions 52S1/2, F = 2-52P3/2, F1 = 3 saturated absorption of the 87Rb D2 resonance line to lock a 780-nm distributed feedback (DFB) diode laser. This method improves the long-term locking performance and is suitable for other kinds of diode lasers. 展开更多
关键词 laser zeeman effect semiconductor laser
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Transverse modes of a diode-laser pumped monolithic unidirectional non-planar ring laser 被引量:1
6
作者 吴克瑛 杨苏辉 魏光辉 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期157-159,共3页
Diode-laser pumped monolithic single-frequency non-planar ring laser has the advantages of compactness, reliability and high efficiency. But when the pump power is high enough, the thermal effect will be serious and t... Diode-laser pumped monolithic single-frequency non-planar ring laser has the advantages of compactness, reliability and high efficiency. But when the pump power is high enough, the thermal effect will be serious and the high-order transverse modes will appear. Therefore the single-mode output power is limited. In this paper, the mechanism of generating the high-order transverse modes in the monolithic unidirectional non-planar ring cavity is analyzed using ray tracing method. The calculated results are in agreement with the experiments. 展开更多
关键词 Optically pumped lasers Ray tracing semiconductor lasers Thermal effects
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窄脊型波导半导体激光器偏振与横模关系研究
7
作者 宋梁 贺钰雯 +10 位作者 王浩淼 周坤 杜维川 李弋 何林安 胡耀 张亮 高平宽 王欣阳 高松信 唐淳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期158-165,共8页
基于有效折射率法建立了窄脊型波导数值计算模型,通过实验研究了InGaAs量子阱窄脊型波导半导体激光器偏振特性与横模之间的关系。根据理论计算,脊型波导中类TM模式在慢轴方向的有效折射率差更大,类TM模式的限制因子比类TE模式的限制因... 基于有效折射率法建立了窄脊型波导数值计算模型,通过实验研究了InGaAs量子阱窄脊型波导半导体激光器偏振特性与横模之间的关系。根据理论计算,脊型波导中类TM模式在慢轴方向的有效折射率差更大,类TM模式的限制因子比类TE模式的限制因子更大、更容易出现慢轴高阶模式;而随着脊型波导的高度增加,快轴高阶模式被截断,类TE00模式的限制因子逐渐增加至与类TM00模式相近,慢轴高阶模式因其大的散射损耗被抑制,理论上可实现高偏振度、高光束质量激光输出。在实验方面,利用量子阱材料的增益偏振特性,通过脊型高度与宽度的设计,制备了高偏振度、基横模的窄脊型波导半导体激光器。 展开更多
关键词 半导体激光器 光束质量 偏振度 有效折射率法 波导模式分析
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纵向塞曼激光器的磁场分析与研究
8
作者 杜含笑 李华丰 《工具技术》 北大核心 2023年第2期137-140,共4页
双频激光器频差大小直接影响双频激光干涉仪测量速度,而纵向磁场是制约纵向塞曼激光器频差的主要因素。通过理论分析双频激光器频差与纵向磁场强度之间的关系,得出磁场最优参数,并选用三种型号激光管进行实验验证。实验表明,磁场强度为0... 双频激光器频差大小直接影响双频激光干涉仪测量速度,而纵向磁场是制约纵向塞曼激光器频差的主要因素。通过理论分析双频激光器频差与纵向磁场强度之间的关系,得出磁场最优参数,并选用三种型号激光管进行实验验证。实验表明,磁场强度为0.03T时,双频激光器性能达到最优。 展开更多
关键词 激光器 纵向磁场 双频激光器 塞曼效应 纵向塞曼双频激光器
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声光衍射法测量液体中超声声强的数据处理方法
9
作者 王逸君 刘亮 +1 位作者 郑湘粤 刘恒彪 《物理实验》 2023年第2期38-44,共7页
为将半导体激光器用于构建声光效应及声速声强测量教学实验装置,推导了超声光栅远场衍射光场分布,给出了超声光栅相位调制系数分别与声强和各级衍射光强度的关系,总结了从衍射光场图像提取声强值的数据处理方法.通过建立交替使用氦氖激... 为将半导体激光器用于构建声光效应及声速声强测量教学实验装置,推导了超声光栅远场衍射光场分布,给出了超声光栅相位调制系数分别与声强和各级衍射光强度的关系,总结了从衍射光场图像提取声强值的数据处理方法.通过建立交替使用氦氖激光器或半导体激光器的实验系统,进行了液体中超声声强测量的比较实验,验证了半导体激光器作为光源实现声光衍射法超声声强测量的可行性. 展开更多
关键词 超声声强 声光效应 半导体激光器
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半导体激光汽化术与经尿道前列腺双极等离子电切术治疗良性前列腺增生104例效果研究 被引量:2
10
作者 匡载星 《罕少疾病杂志》 2023年第8期13-16,共4页
目的探究半导体激光汽化术与经尿道前列腺双极等离子电切术治疗良性前列腺增生(BPH)的效果。方法选取2020年5月至2021年5月本院收治的BPH患者104例,依据术式分为半导体激光组(DL组)和等离子组(PK组),各52例。记录两组的围术期情况以及... 目的探究半导体激光汽化术与经尿道前列腺双极等离子电切术治疗良性前列腺增生(BPH)的效果。方法选取2020年5月至2021年5月本院收治的BPH患者104例,依据术式分为半导体激光组(DL组)和等离子组(PK组),各52例。记录两组的围术期情况以及治疗效果,对比术前、后尿道功能[前列腺体积、国际l前列腺症状评分(IPSS)、残余尿量]、尿流动力学[最大尿流率(Qmax)、最大尿道关闭压(MUC.P)、膀胱顺应性(BC)]以及性功能[精浆α-葡萄糖苷酶(α-Gu)、精浆.酸性磷酸酶(ACP)、精浆果糖(Fru)]情况的差异性。结果DL组手术时间长于PK组.(P<005),但其血红蛋白下降量、留置尿管以及住院时间均短于PK组(P<0.05)。DL组痊愈、显效以及有效例数均较PK.组更多,其无效例数少于PK组(P<005)。l术后两组的前列腺体积、IPSS评分.以及残余尿量均较术前下降(P<005),且DL组.上述指标水平均低于PK组(P<005)。术后两组Qmax、MUCP、BC、α-Gu、ACP以及Fru均较术前升高(P<005),且DL组上述指标水平均高于PK组(P<005)。结论半导体激光汽化术可明显缩短BPH患者住院周期,同时还可明显改善患者尿道功能以及尿流动力学情况,对性功能影响更小,疗效确切。 展开更多
关键词 良性前列腺增生 半导体激光 双极等离子切割 治疗效果
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激光汽化术与等离子电切术在良性前列腺增生患者中的应用效果对比
11
作者 姚志林 夏朝晖 《基层医学论坛》 2023年第11期7-9,55,共4页
目的对比分析1470nm半导体激光汽化术与经尿道等离子双极电切术(TUPKP)治疗良性前列腺增生(BPH)的临床效果。方法选取重庆市九龙坡区人民医院2018年11月-2021年11月收治的BPH患者82例,通过随机数字表法分为TUPKP组和激光汽化术组各41例... 目的对比分析1470nm半导体激光汽化术与经尿道等离子双极电切术(TUPKP)治疗良性前列腺增生(BPH)的临床效果。方法选取重庆市九龙坡区人民医院2018年11月-2021年11月收治的BPH患者82例,通过随机数字表法分为TUPKP组和激光汽化术组各41例。TUPKP组行TUPKP,激光汽化术组行1470nm半导体激光汽化术,比较2组临床疗效,围术期指标,术前、术后1个月的排尿功能、生活质量评分(QOL)、前列腺症状评分(IPSS),术后并发症发生情况。结果2组总有效率、术后并发症发生率比较,差异无统计学意义(P>0.05)。激光汽化术组膀胱冲洗时间、住院时间短于TUPKP组,血钠、血红蛋白下降值少于TUPKP组(P<0.05)。与术前相比,术后1个月,2组残余尿量减少,最大尿流率加快,前列腺体积缩小,QOL评分、IPSS评分降低,但组间比较差异均无统计学意义(P>0.05)。结论1470nm半导体激光汽化术、TUPKP治疗BPH均有较好的疗效和安全性,均可减轻患者临床症状,改善排尿功能及生活质量,但1470nm半导体激光汽化术有膀胱冲洗时间、住院时间更短,血钠、血红蛋白下降值低的优势。 展开更多
关键词 良性前列腺增生 1470nm半导体激光汽化术 经尿道等离子双极电切术 疗效对比
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双波长光纤半导体激光治疗机辅助治疗小儿肺炎的临床效果
12
作者 马素清 邹颖 朱晓霞 《妇儿健康导刊》 2023年第20期79-81,共3页
目的探讨双波长光纤半导体激光治疗机辅助治疗小儿肺炎的临床效果。方法选取2020年2月至2022年4月莘县中心医院收治的62例肺炎患儿作为研究对象,以投掷硬币法分为参照组(n=31)和研究组(n=31)。参照组采用常规药物治疗,研究组在参照组基... 目的探讨双波长光纤半导体激光治疗机辅助治疗小儿肺炎的临床效果。方法选取2020年2月至2022年4月莘县中心医院收治的62例肺炎患儿作为研究对象,以投掷硬币法分为参照组(n=31)和研究组(n=31)。参照组采用常规药物治疗,研究组在参照组基础上采用双波长光纤半导体激光治疗机辅助治疗,对比两组的治疗效果。结果研究组治疗总有效率高于参照组,差异有统计学意义(P<0.05)。研究组不良反应总发生率低于参照组,差异有统计学意义(P<0.05)。研究组症状改善时间和住院时间短于对照组,治疗后研究组的免疫球蛋白水平高于参照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论双波长光纤半导体激光治疗机辅助治疗小儿肺炎的临床效果显著,值得推广。 展开更多
关键词 双波长光纤半导体激光治疗机 小儿肺炎 临床效果
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LD泵浦Nd:YVO_4晶体Cr^(4+):YAG被动调Q激光特性研究 被引量:8
13
作者 杨克建 赵圣之 +1 位作者 赵宏明 李桂秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2004年第6期567-571,共5页
考虑LD泵浦光强和腔内振荡光强的空间高斯分布以及晶体热效应的影响,给出了Nd:YVO4晶体Cr4+:YAG被动调Q1.06μm激光的耦合速率方程组,数值求解该方程组获得了输出激光的平均输出功率、脉冲宽度、重复率随泵浦功率的变化特性,其理论值与... 考虑LD泵浦光强和腔内振荡光强的空间高斯分布以及晶体热效应的影响,给出了Nd:YVO4晶体Cr4+:YAG被动调Q1.06μm激光的耦合速率方程组,数值求解该方程组获得了输出激光的平均输出功率、脉冲宽度、重复率随泵浦功率的变化特性,其理论值与实验结果相符。 展开更多
关键词 空间分布 热效应 LD泵浦 被动调Q 数值解
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半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法 被引量:14
14
作者 李沫 孙鹏 +2 位作者 宋宇 代刚 张健 《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第1期160-168,共9页
因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效... 因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。 展开更多
关键词 半导体器件 辐射电离效应 激光模拟
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低功率半导体激光血管外照射疗法及其临床应用研究 被引量:6
15
作者 杨玉东 路战红 +2 位作者 李军 张殷华 梁晓光 《激光生物学报》 CAS CSCD 2001年第4期301-305,共5页
本文介绍了一种低功率半导体激光血管外照射疗法 ,同了 5 0 0 0倍电镜下血红细胞照射前后的变化。在临床上分别给出了激光血管外照射和药物及血管内照射疗效对比及血脂 ,血流变指标的影响的对比得出了半导体激光血管外照射疗法是优于药... 本文介绍了一种低功率半导体激光血管外照射疗法 ,同了 5 0 0 0倍电镜下血红细胞照射前后的变化。在临床上分别给出了激光血管外照射和药物及血管内照射疗效对比及血脂 ,血流变指标的影响的对比得出了半导体激光血管外照射疗法是优于药物 ,和He 展开更多
关键词 低功率半导体激光 血管外照射 血液流变学 疗效 临床应用
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一种半导体激光自混合效应模型参数的测量方法 被引量:8
16
作者 李世阳 禹延光 +1 位作者 叶会英 付广春 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期519-521,共3页
从半导体激光自混合干涉系统的一般模型公式出发,建立了一个非线性函数模型,利用非线性最小二乘法的曲线拟合,来估计半导体激光自混合效应的模型参数———线宽展宽因数和光反馈因数。经计算仿真分析表明,该算法有较好的收敛性,迭代次... 从半导体激光自混合干涉系统的一般模型公式出发,建立了一个非线性函数模型,利用非线性最小二乘法的曲线拟合,来估计半导体激光自混合效应的模型参数———线宽展宽因数和光反馈因数。经计算仿真分析表明,该算法有较好的收敛性,迭代次数少且参数估计精度高,是半导体激光自混合效应参数测量的一种有效方法。 展开更多
关键词 半导体激光 自混合效应 非线性拟合 最小二乘法
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InP/InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算 被引量:7
17
作者 张晓波 高鼎三 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期362-367,共6页
本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比... 本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比三元系GaAs/GaAlAs激光器的温升低,有关原因在文中给予讨论. 展开更多
关键词 半导体 激光器 INGAASP 温度特性
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泛昔洛韦联合半导体激光照射治疗带状疱疹疗效观察 被引量:13
18
作者 杨池梅 汪千红 李永双 《海南医学》 CAS 2018年第10期1463-1465,共3页
目的探讨泛昔洛韦联合半导体激光照射治疗带状疱疹的疗效。方法选择2016年1~12月间深圳市第三人民医院皮肤科诊治的60例带状疱疹患者为研究对象,根据随机数表法分为观察组和对照组各30例。对照组应用泛昔洛韦250 mg/次,3次/d,疗程14 d,... 目的探讨泛昔洛韦联合半导体激光照射治疗带状疱疹的疗效。方法选择2016年1~12月间深圳市第三人民医院皮肤科诊治的60例带状疱疹患者为研究对象,根据随机数表法分为观察组和对照组各30例。对照组应用泛昔洛韦250 mg/次,3次/d,疗程14 d,观察组在其基础上应用半导体激光照射治疗,波长810 nm,每日15min,疗程14 d。比较两组患者的治疗效果、水疱消失时间、疼痛缓解时间、完全结痂时间及后遗神经痛情况。结果观察组患者的治疗总有效率为96.7%,明显高于对照组的80.0%,差异有统计学意义(P<0.05);观察组和对照组患者的水疱消失时间[(4.36±1.28)d vs(5.95±1.64)d]、疼痛缓解时间[(3.56±1.21)d vs(6.25±1.81)d]及完全结痂时间[(5.28±1.76)d vs(7.98±2.35)d]比较,观察组均明显短于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05);随访一年,观察组患者治疗后3个月、6个月及12个月的后遗神经痛发生率分别为6.7%、3.3%和0,明显低于对照组的26.7%、20.0%和13.3%,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论泛昔洛韦联合半导体激光照射治疗带状疱疹的具有良好的疗效,值得临床推广应用。 展开更多
关键词 泛昔洛韦 半导体激光 带状疱疹 光疗 疗效
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封装热应力致半导体激光器“Smile”效应的抑制方法 被引量:4
19
作者 陈华 李静 +1 位作者 周兴林 吕悦晶 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期655-661,共7页
封装热应力所致smile效应是阵列封装大功率半导体激光器中普遍存在的问题。为解决这一问题,本文在研究smile效应产生机理的基础上,提出采用错温封装技术和热沉预应力封装技术降低smile效应的措施。以某808nm水平阵列封装半导体激光器为... 封装热应力所致smile效应是阵列封装大功率半导体激光器中普遍存在的问题。为解决这一问题,本文在研究smile效应产生机理的基础上,提出采用错温封装技术和热沉预应力封装技术降低smile效应的措施。以某808nm水平阵列封装半导体激光器为例,采用仿真分析的办法研究了上述技术的可行性和有效性。仿真分析表明,采用传统封装技术,在恢复至室温22℃后,芯片smile值约为39.36μm,采用封装前升高芯片温度至429℃的错温封装技术,可以将smile值降至1.9μm;若采用热沉预应力技术,对热沉的两个端面沿长边方向分别施加190 N的拉力,可以将smile值降至0.35μm。结果表明,这两种封装措施是有效的。错温封装技术和热沉预应力封装技术具有易于实现的优点,其中热沉预应力技术对于各种smile效应类型和不同的smile值都可以调整和修正。 展开更多
关键词 半导体激光器 smile效应 热应力 错温封装 预应力
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SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究 被引量:6
20
作者 梁堃 孙鹏 +3 位作者 李沫 代刚 李顺 解磊 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期187-192,共6页
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计... 为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率-激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。 展开更多
关键词 瞬时剂量率效应 半导体SOI器件 激光模拟技术 瞬时光电流
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