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Fabrication of micro carbon pillar by laser-induced chemical vapor deposition
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作者 周健 罗迎社 +3 位作者 李立君 钟琦文 李新华 殷水平 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2008年第S1期197-201,共5页
Argon ion laser was used as the induced light source and ethane(C2H4) was selected as the precursor gas,in the variety ranges of laser power from 0.5 W to 4.5 W and the pressure of the precursor gas from 225×133.... Argon ion laser was used as the induced light source and ethane(C2H4) was selected as the precursor gas,in the variety ranges of laser power from 0.5 W to 4.5 W and the pressure of the precursor gas from 225×133.3 Pa to 680×133.3 Pa,the experiments of laser induced chemical vapor deposition were proceeded for fabrication of micro carbon pillar.In the experiments,the influences of power of laser and pressure of work gas on the diameter and length of micro carbon pillar were investigated,the variety on averaged growth rate of carbon pillar with the laser irradiation time and moving speed of focus was discussed.Based on experiment data,the micro carbon pillar with an aspect ratio of over 500 was built through the method of moving the focus. 展开更多
关键词 laser-induced chemical vapor deposition(LCVD) GROWING rapid DIAMETER microcarbon.
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GR@Ni复合电极的制备及电化学性能研究 被引量:2
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作者 晏生龙 乔志军 +4 位作者 张志佳 于镇洋 苟金龙 王文强 庞志恒 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期3092-3098,共7页
采用非溶剂致相分离法(NIPS)、高温烧结和化学气相沉积法(CVD)相结合的方法制备了石墨烯/多孔镍复合电极(3DPNGNs),明确了烧结温度和C_(2)H_(2)气流量对电极性能的影响。镍膜生坯经850℃烧结后,C_(2)H_(2)气流量为2 mL/min时,催化生长... 采用非溶剂致相分离法(NIPS)、高温烧结和化学气相沉积法(CVD)相结合的方法制备了石墨烯/多孔镍复合电极(3DPNGNs),明确了烧结温度和C_(2)H_(2)气流量对电极性能的影响。镍膜生坯经850℃烧结后,C_(2)H_(2)气流量为2 mL/min时,催化生长出石墨烯能均匀包覆在多孔镍膜上。结果表明,3DPNGNs作为钠离子电池负极材料展现了良好的电化学性能,在100 mA/g的电流密度下,循环100次后可逆比容量可达260 mA/g,循环500次后,其比容量保持率仍可达84%。当电流密度增大到1 A/g时,循环500次,比容量可达150 mA/g。 展开更多
关键词 非溶剂致相分离法 化学气相沉积 钠离子电池 石墨烯 多孔镍
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AlGaN双势垒结构对高In组分InGaN/GaN MQWs太阳能电池材料晶体质量和发光性能的影响
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作者 单恒升 李明慧 +4 位作者 李诚科 刘胜威 梅云俭 宋一凡 李小亚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期83-88,124,共7页
本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(... 本文利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长了一种含有AlGaN-InGaN/GaN MQWs(multiple quantum wells)-AlGaN双势垒结构的高In组分太阳能电池外延材料。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)谱分析表明,与含有AlGaN电子阻挡层的低In组分的量子阱结构太阳能电池外延材料相比,该结构材料具有较小的半峰全宽(FWHM),计算表明:此结构材料的位错密度降低了一个数量级,达到10^(7)cm^(-2);同时,有源区中的应变弛豫降低了51%;此外,此结构材料的发光强度增强了35%。研究结果表明含有AlGaN双势垒结构的外延材料可以减小有源区的位错密度,降低非辐射复合中心的数目,增大有源区有效光生载流子的数目,为制备高质量太阳能电池提供实验依据。 展开更多
关键词 金属有机化合物化学气相沉积 太阳能电池外延材料 AlGaN双势垒结构 InGaN/GaN MQWs 位错密度 光生载流子
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通过激光诱导化学气相沉积来制造微碳柱的研究 被引量:7
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作者 温宗胤 李宝灵 周健 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-82,共4页
使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均... 使用氩离子激光作为光源,乙烷(C2H6)作为工作气体,在激光功率0.5—4.5W,气体压力0.03—0.09MPa的变化范围内,进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响,讨论了碳柱平均生长率随照射时间、焦点移动速度的变化规律。根据实验数据,使用焦距移动方法,生成长径比超过500的微碳柱。 展开更多
关键词 激光诱导化学气相沉积 生长速度 直径 微碳柱
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TiN类薄膜的激光化学气相沉积 被引量:7
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作者 张鸿俭 冯钟潮 张鹤 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期41-44,共4页
研究了激光化学气相沉积的方法在Ti和Ti-6Al-4V基材上沉积TiN、TiC、 Ti(Cn、Nm)薄膜的工艺方法,并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学气相沉积 (LCVD)方法制备成功的TiN类薄膜颜色金黄... 研究了激光化学气相沉积的方法在Ti和Ti-6Al-4V基材上沉积TiN、TiC、 Ti(Cn、Nm)薄膜的工艺方法,并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学气相沉积 (LCVD)方法制备成功的TiN类薄膜颜色金黄,成份均匀,其平均显微硬度为HK2500,耐磨 性比基材提高了六倍。 展开更多
关键词 TiN类薄膜 钛合金 激光化学气相沉积
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石英衬底上大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征 被引量:2
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作者 马蕾 郭延岭 +3 位作者 张志刚 江子荣 娄建忠 彭英才 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期872-875,共4页
利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射和可见-紫外分光光度计等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表... 利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射和可见-紫外分光光度计等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、择优取向与光反射等特性。结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状况。1000℃下沉积薄膜的平均晶粒尺寸为~3μm,择优取向为<111>晶向。反射谱测量表明,920℃下制备薄膜的反射率比1000℃下制备的更低,最低值达18.4%,这应归功于前者具有更大的表面粗糙度。 展开更多
关键词 高频感应加热化学气相沉积 石英衬底 多晶Si膜 结构特性
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AIC多晶硅薄膜的制备与其上HWCVD低温外延生长多晶硅薄膜的研究 被引量:1
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作者 唐正霞 沈鸿烈 +1 位作者 江丰 张磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1757-1761,共5页
铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽... 铝诱导晶化法(AIC)是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅薄膜,前者表面粗糙,后者表面光滑。以后者为籽晶层,在其上用HWCVD法300℃低温下外延生长了表面形貌与籽晶层相似的多晶硅薄膜。铝诱导晶化过程中,在原始非晶硅层中会形成多晶硅、非晶硅和铝的混合层,去除铝后残留的硅将使表面粗糙,而在原始铝层中则形成连续的多晶硅薄膜。Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层的上层分别是非晶硅层和铝层,发生层交换后,前者上层是硅铝混合层,因此表面粗糙,后者上层是连续的多晶硅薄膜,因此表面光滑。在AIC多晶硅薄膜表面外延生长多晶硅薄膜等效于铝诱导多晶硅的晶核在垂直于薄膜方向上的继续生长,因此外延生长的薄膜与AIC多晶硅薄膜呈现相似的枝晶状形貌。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 铝诱导晶化 热丝化学气相沉积 外延生长
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激光合成纳米硅的红外光声光谱 被引量:1
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作者 王卫乡 刘颂豪 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1996年第1期28-34,共7页
利用光声技术对激光气相沉积的纳米硅进行了红外光声光谱的研究,考察了红外光声谱随退火处理和外加压力的变化行为,给出了纳米硅红外吸收峰的指认和解释,讨论了固态效应对吸收峰位置的影响.
关键词 红外光谱 光声光谱 纳米硅 激光合成 半导体
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纳米材料的激光制备技术
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作者 王赛玉 黄楚云 熊惟皓 《金属功能材料》 CAS 2005年第4期31-34,共4页
本文综述了纳米材料的激光制备方法。其中重点介绍了激光消融法制备纳米颗粒、纳米纤维、纳米薄膜的原理和现状。
关键词 激光诱导气相沉积法 激光消融法 纳米材料 纳米纤维 纳米薄膜 纳米颗粒
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LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究
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作者 黄永攀 李道火 +1 位作者 王锐 黄伟 《光电子技术与信息》 CAS 2005年第1期27-29,共3页
激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4/... 激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3),反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。 展开更多
关键词 激光诱导化学气相沉积 氮化硅 纳米
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激光化学气相沉积技术在掩模版修复中的应用 被引量:3
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作者 黄河 朱晓 +4 位作者 朱长虹 朱广志 李跃松 张沛 万承华 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期330-332,共3页
为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×108W/cm2的355nm紫外激光诱导Cr(CO)6分解,在1.5 s内获得了光掩模亮场区域附着力强、消光比高的金属Cr膜。结果表明,在开放的环境下,采用高功率密... 为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×108W/cm2的355nm紫外激光诱导Cr(CO)6分解,在1.5 s内获得了光掩模亮场区域附着力强、消光比高的金属Cr膜。结果表明,在开放的环境下,采用高功率密度、短作用时间的方法能够得到高质量的沉积薄膜,满足了微电子行业中对掩模版修复的要求。 展开更多
关键词 激光技术 光化学 光掩模修复 激光化学气相沉积 开放式
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PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究 被引量:5
12
作者 李鹏 杭凌侠 +1 位作者 徐均琪 李林军 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期206-213,共8页
采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PE... 采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT,薄膜光学厚度在λo/4~λo/2之间时,在光学厚度为350nm时,LIDT有最小值21.7J/cm2,光学厚度为433nm时,LIDT有最大值27.9J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小,在光学厚度为λo/4时,LIDT有最大值29.3J/cm2,光学厚度为λo/2时,LIDT有最小值4.9J/cm2。 展开更多
关键词 PECVD 光学薄膜 激光损伤阈值 激光损伤特性测试装置 损伤形貌
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多晶硅薄膜材料制备技术研究进展 被引量:2
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作者 李嘉 焦玉娟 +3 位作者 周正扬 高肖汉 吕雪川 范志平 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期25-29,共5页
阐述了多种多晶硅薄膜的制备方法和相关工艺技术,介绍了各种工艺条件对多晶硅薄膜材料的结构和性能等的影响,并比较了多种制备方法优点与不足,并对今后发展趋势和前景做出展望。
关键词 多晶硅薄膜 化学气相沉积 固相晶化 金属诱导晶化 太阳能电池
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激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究 被引量:7
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作者 王锐 李道火 +2 位作者 黄永攀 罗丽明 浦坦 《中国粉体技术》 CAS 2003年第4期35-38,共4页
研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有很多奇异物理性能和光谱特性。
关键词 激光诱导化学气相沉积法 氮化硅 纳米粉体 红外吸收光谱 拉曼光谱
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非晶硅薄膜晶化过程的研究 被引量:1
15
作者 黄木香 杨琳 +1 位作者 刘玉琪 王江涌 《真空》 CAS 2012年第5期35-38,共4页
多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的优质材料。多晶硅薄膜被公认为是制备高效、低耗、最理想的薄膜太阳能电池的材料。因此,如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究... 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的优质材料。多晶硅薄膜被公认为是制备高效、低耗、最理想的薄膜太阳能电池的材料。因此,如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法,它是在高温退火的条件下,使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X-ray衍射及拉曼光谱,对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。 展开更多
关键词 硅薄膜 非晶硅晶化 固相法 激光诱导晶化 磁控溅射 化学气相沉积
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纳米硅制备过程中微结构与反应气体流量之间的关系研究(英文)
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作者 刘英才 尹衍升 +2 位作者 李静 李嘉 初蕾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期644-646,共3页
利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变... 利用LICVD方法制备了纳米硅颗粒。研究了不同反应气体流量条件下 ,纳米硅微结构的转变规律 ,分析了制备工艺参数对纳米硅微结构的影响机制。研究表明 ,在激光功率密度恒定条件下 ,随着反应气体流量的增加 ,所制备纳米硅颗粒的尺寸逐渐变小 ,微结构中非晶态比例随反应气流的增加而增加。 展开更多
关键词 纳米硅 制备 微结构 反应气体流量 LICVD方法 晶体生长 激光诱导化学气相沉积法
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金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
17
作者 鄢波 张匡吉 +4 位作者 施毅 濮林 韩平 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期712-716,共5页
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结... 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/aSi量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的aSi层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一aSi系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各αSi层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4~5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面. 展开更多
关键词 Oe/Si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶
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大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
18
作者 赵悦 杨盛玮 +2 位作者 韩坤 刘丰满 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期51-57,72,共8页
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据... 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。 展开更多
关键词 大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB)
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Effect of Doping with Sulfur on the Optical Constant of the SiC Films Prepared by TEA-CO2 Laser
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作者 Majida Ali Ameen 《材料科学与工程(中英文版)》 2010年第12期6-11,共6页
关键词 SIC薄膜 掺杂效应 六氟化硫 光学特性 光学常数 CO2激光 TEA 二氧化碳激光
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激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究 被引量:4
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作者 王卫乡 刘颂豪 +1 位作者 李道火 刘宗才 《应用激光》 CSCD 北大核心 1995年第3期97-99,126,共4页
研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程,探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系,获得较佳的工艺参数:激光功率密度2000W/cm2,反应气体配比ΦNH3/ΦSH4=4,反应气体总流量200cm3/s,反应池压... 研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程,探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系,获得较佳的工艺参数:激光功率密度2000W/cm2,反应气体配比ΦNH3/ΦSH4=4,反应气体总流量200cm3/s,反应池压力35kPa。 展开更多
关键词 激光诱导 化学气相沉积 纳米级 氮化硅 制备
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