CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究

利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。

栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究

测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。

α-溶血素纳米孔道限域空间内的识别

α-溶血素纳米孔道已被广泛认为是一种天然且理想的生物纳米传感界面。其凭借多重限域空间的敏感识别和多相互作用位点,提供了一个可精确识别待测分子构象和实时监测微观反应过程的通用平台,并广泛用于核酸、氨基酸、多肽、聚合物以及金属离子等的灵敏检测,在样本用量微少、多组分同时检测、高灵敏和超分辨等方面有显著优势。本文重点综述α-溶血素纳米孔道3类不同限域空间(即β-桶、内腔、闩锁区域)在解密微观反应机理、探索分子细微构象变化、区分三维精细结构、功能化修饰孔道等领域的近期研究成果与进展。