Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTi_cO_3三元系压电陶瓷的压电和介电性能

对Pb1 -xSrx(Mn1 /3Sb2 /3) aZrbTicO3+0 .2 % (质量分数 )CeO2 (PMS -PZ -PT)三元系压电陶瓷的烧结温度 ( 115 0～ 12 2 5℃ )和Sr2 + 取代量(摩尔分数 0～ 8% )进行了系统研究 .通过XRD图谱计算的晶格参数说明Sr2 + 取代Pb2 + 后 ,晶胞更趋于各向同性且产生收缩 ,从而改善样品的性能 .实验结果表明 :当x =0 .0 2时 ,在 12 0 0℃ ,2h条件下烧结 ,能获得优良的综合性能 :εr=14 6 1,tanδ =0 .0 0 3 8,Kp=0 .6 3,Qm=132 1,d33 =40 9× 10 - 1 2 C·N- 1 。

烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。

锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的铁电性能

通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性。同时研究了Ba2+取代Pb2+对材料铁电性能的影响。结果表明:三方相含量较高的0.2PMnS-0.8PZN陶瓷具有较高的矫顽场和较大的剩余极化强度;四方相含量较高的0.5PMnS-0.5PZN和0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有较低的矫顽场和较小的剩余极化强度,Ba2+取代使三方相含量增加,铁电性能明显提高。

镍掺杂PMS-PZ-PT三元系压电陶瓷压电性能及其热老化行为的研究

研究了Ni掺杂xPb(Mn1/3Sb2/3)O3yPbZrO3zPbTiO3(PMSPZPT)三元系压电陶瓷的综合机电性能及其介电和压电性能的热老化行为。实验结果表明:适量的掺杂能显著优化体系的压电和介电性能;对于掺NiO量为0.2%(质量分数)的样品,在25,50,100℃时,其介电和压电性能的老化行为,与老化时间的对数呈线性关系;而在150℃和200℃时与老化时间的对数呈指数延伸规律。这一现象与陶瓷内部的畴结构有关。

标准加入原子吸收法连续测定铬粉中微量Ni、Cu、Mn、Fe、Pb、Sb、Zn、Ca、Mg的含量

用王水溶解试样，在几个相同量的试液中，分别加入浓度依次递增的9种元素的标准溶液。用空气一乙炔火焰原子吸收法连续测定M、Cu、Mn、Fe、Ph、Sb、Zn、Ca、Mg的含量．建立了优化的仪器测定条件，并对可能存在的元素进行了干扰实验．Ni、Cu等9种元素的回收率为97.5％～103．0％，相对标准偏差为1.6％～2．9％．

SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响

探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。

Cr_2O_3掺杂Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3压电陶瓷的性质(英文)

探讨了Cr2O3掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射,电子顺磁共振以及扫描电镜分析了PMSZT+z Cr2O3(z=0.2%～0.8%,质量分数)陶瓷的相组成,元素价态以及显微结构.结果表明:合成温度900℃保温2 h后,可以得到钙钛矿结构.随着Cr2O3掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同相界向三方相移动.掺杂Cr2O3的质量分数为0.6%时:相对介电常数εr=1 650,介电损耗tanδ=0.006,压电常数d33=328 pC/N,机电耦合系数Kp=0.63,机械品质因数Qm=2 300,电性能优于Cr2O3掺杂量为0.2%,0.4%,0.8%的样品,但比未掺杂时的稍差.随着Cr2O3掺杂量的增加,PMSZT陶瓷的Curie温度降低,谐振频率变化率随温度变化由正变负.

高纯氧化铽中非稀土元素的发射光谱分析

本文研究了直接光谱法测定氧化铽中11种微量非稀土元素(Mn、Sn、Sb、Bi、B、V、Co、Ni、Cr、Pb、Zn)。比较了15种载体对杂质元素谱线强度的影响,最后选定NaCl为载体。应用正交设计确定最佳摄谱条件。样品在Ar和O_2控制气氛中直接电弧激发。不同杂质元素测定的最低浓度为1～5ppm,此法可同于测定99.9～99.997%高纯氧化铽中非稀土元素。

不同铅气氛对PMSZT压电陶瓷机电性能的影响

采用固相烧结法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02（Mn1/3Sb2/3）x（Zr0.5Ti0.5）1-xO3（0%〈x〈0.1）（PMSZT），研究了铅气氛和非铅气氛保护条件烧结对其相结构、微观结构、介电性能以及压电性能的影响．实验结果表明：在烧结温度1100-1300℃范围内，铅气氛保护烧结的试样其综合性能优于非铅气氛保护烧结的试样．铅气氛保护条件下于1200℃得到最佳性能：εr=1717、d33=301、Kp=0．55、tanδ=0．42％、Qm=1453．

烧结温度对PMSZT压电陶瓷相结构和机电性能的影响

采用固相合成法制备了三元系压电陶瓷Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.5Ti0.5)1-xO3(0<x<0.1)(PM-SZT),研究了不同烧结温度对其相结构、微观结构、介电性能及压电性能的影响.实验结果表明:在烧结温度范围内,均可以得到纯的钙钛矿结构的PMSZT陶瓷.随着烧结温度的升高,物相组成由四方相向三方相转变,机械品质因数Qm持续减小,相对介电常数εr、机电耦合系数Kp、压电常数d33先增加后减小,介电损耗tanδ先减小后增加.烧结温度为1200℃时得到最佳的综合性能:Qm=1500、εr=1866、Kp=0.56、d33=326、tanδ=0.4%.

先驱体法制备Pb_(1-x)Sr_x(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_aZr_bTicO_3压电陶瓷的压电和介电性能

采用先驱体法制备了Pb1-xSrx(Mn1/3Sb2/3)aZrbTicO3压电陶瓷。通过XRD研究表明,随着Sr2+取代量的增加,相界向富锆方向移动,并改善了相界附近组分的压电性能和介电性能。与传统的固相合成制备工艺相比,先驱体法制备的陶瓷具有优良的压电性能,所得样品的综合性能:r为1791,tg为0.0035,d33为454?0-12C種-1,kp为0.61。

Pr_6O_(11)掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的温度稳定性

探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(leadantimony-manganesezirconatetitanate,PMSZT)压电陶瓷温度稳定性的影响。测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31,压电系数d31在-20～80℃之间随温度的变化。结果表明:与未掺杂的样品相比,掺杂适量Pr6O11的PMSZT陶瓷具有较低的Curie温度,而且体系的压电系数d31的温度稳定性较好,同时机电耦合系数K31的温度稳定性也得到了改善。当掺杂Pr6O11的质量分数为0.05%时,能得到机电性能优良的压电陶瓷,εr=1650,tanδ=0.006,d33=350pC/N,平面机电耦合系数Kp=0.67,机械品质因数Qm=2000。

标准加入-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锑铍芯块中铁镁锰铅铝

在锑铍芯块中,锑的质量分数为80%左右,铍的质量分数为20%左右。铍的存在会干扰电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定铁、镁、锰、铅、铝,另外锑的水解也会影响测定。试验使用盐酸、硝酸和酒石酸处理样品,选择Fe 240.488nm、Mg 285.213nm、Mn259.373nm、Pb 182.205nm、Al 308.215nm作为分析谱线,采用标准加入法(MSA)绘制校准曲线可消除铍、锑基体效应的影响,酒石酸也可完全抑制锑的水解,使用ICP-AES测定铁、镁、锰、铅、铝,从而建立了锑铍芯块中铁、镁、锰、铅、铝等杂质元素的分析方法。各元素在10~400μg/g范围内,校准曲线的线性相关系数均大于0.9998;方法中各元素的检出限为0.48~3.6μg/g。实验方法用于测定2个铍锑芯块样品中铁、铅、镁、锰、铝,结果的相对标准偏差(RSD,n=11)为1.1%~4.9%。按照实验方法和其他方法(铁、铅、镁、锰采用原子吸收光谱法,铝使用分光光度法)测定2个锑铍芯块样品中铁、铅、镁、锰、铝,测定结果相一致。

锑锰掺杂对Pb_(0.80)Ca_(0.20)TiO_3陶瓷显微结构及性能的影响

以Ca CO3、Sb2O3、Pb3O4、Ti O2、Mn CO3为原料,采用传统固相法制备Pb0.80Ca0.20Ti O3陶瓷,研究了掺入2%~10%（摩尔分数）的Sb2/3Mn1/3对Pb0.80Ca0.20Ti O3陶瓷显微结构、电阻率、介电性能、热释电性能的影响。结果表明：当Sb2/3Mn1/3掺杂量≤5%时为单一钙钛矿相,晶粒随掺杂量的增大而减小,致密性逐渐变好。当Sb2/3Mn1/3掺杂量〉5%时,陶瓷为钙钛矿和焦绿石两相混合物,致密性和晶粒均匀性变差。加入Sb2/3Mn1/3后,陶瓷电阻率数量级由108增加到1012,介电损耗大幅降低,热释电系数增大,探测率优值Fd显著提高。在Sb2/3Mn1/3掺杂量为5%时,获得了高电阻率、综合热释电性能良好、晶粒尺寸小的热释电陶瓷材料。

PMS对PBSZT压电陶瓷结构与性能的影响

采用传统固相合成法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)O3掺杂的(1–x)(Pb0.92Ba0.02Sr0.06)(Zr0.52Ti0.48)O3-xPb(Mn1/3Sb2/3)O3[xPMS-(1–x)PBSZT]压电陶瓷。通过XRD、SEM和准静态d33仪等手段探讨了PMS掺杂量对xPMS-(1–x)PBSZT陶瓷样品的相结构、显微结构和电性能的影响。结果表明:适量的PMS掺杂有助于降低陶瓷样品的烧结温度,x=0.01的样品在1 230℃烧结具有最大体积密度7.83 g/cm3。当x=0.02时,其具有最佳综合电性能,主要参数为:d33=349pC/N,kp=0.592,εr=1 587,tanδ=0.46%。