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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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FABRICATION OF PIEZOELECTRIC BIMORPH USING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM DEPOSITED BY HYDROTHERMAL METHOD
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作者 DU Liqun Lü Yan +1 位作者 DONG Weijie GAO Xiaoguang 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期5-8,共4页
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTi... In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTiOJPbZrO3 in LZT is 53/47, which is around morphotropic phase boundary (MPB). LZT film is composed of cubic particles with the average size of 5 ~ma. Density of thin film is figured out through the datum measured in experiments. The displacement model used to analyze the driving ability of bimorph is set up, and the effect of elastic intermediate layer is taken into account. Piezoelectric coefficient of LZT film is worked out by using the displacement model. Experiments of driving ability show that deformation of bimorph free end does not increase with times of crystal growth processes and the maximum deformation is obtained after two times crystal growth processes. Finally, the ferroelectric property of the bimorph is investigated and coercive voltage of the bimorph is obtained. 展开更多
关键词 Piezoelectric bimorph lead zirconate titanate (LZT) film Hydrothermal method
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Constitutive Relations of Ferroelectric Ceramics with Electric Fatigue Effects 被引量:1
3
作者 喻丽 余寿文 冯西桥 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第7期1911-1914,共4页
Recent experiments have demonstrated that cyclic electric loading may cause polarization switching fatigue of ferroelectric ceramics. We formulate a novel constitutive model for ferroelectric ceramics with electric fa... Recent experiments have demonstrated that cyclic electric loading may cause polarization switching fatigue of ferroelectric ceramics. We formulate a novel constitutive model for ferroelectric ceramics with electric fatigue induced by the two most important physical mechanisms, i.e. accumulation of point defects (or microcracking damage) and domain wall pinning. The local domain pinning effect is considered to be associated with the nonhomogeneous spatial distribution of positive and negative space charges. The proposed model can elucidate various experimental phenomena reported in the literature. It is found that the electric property of space charges has an essential effect on the asymmetry of strain hysteresis loops while point defects influence the change of remanent polarization and coercive field. 展开更多
关键词 lead-zirconate-titanate thin-filmS MODEL
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PLZT透明陶瓷的微区组分调控及梯度设计与电光性能研究
4
作者 吴文杰 何代华 +1 位作者 程思远 何夕云 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期1956-1963,共8页
镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10... 镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10/65/35)透明陶瓷开展了材料铁电、介电及电光性能随温度变化的相关研究,通过对关键掺杂离子La^(3+)含量的微区调控和构建一定分布梯度,改善材料的电光性能及其温度稳定性。通过传统氧气氛热压烧结获得系列纯钙钛矿相结构的PLZT陶瓷,材料显微结构均匀致密;所有样品均呈现良好的光学透过率(52%~60%,λ=632.8 nm);随着La^(3+)含量微量增加,PLZT陶瓷的介电峰谱弛豫性增大,同时微区La^(3+)组分波动性增强的0-3复合和2-2复合PLZT陶瓷的介电温谱谱峰显著展宽且介电常数峰值提高;随温度的升高,陶瓷样品的铁电电滞回线(P-E)中最大极化值(P_(max))、剩余极化值(P_(r))和矫顽力场强(E_(c))逐渐减小;0-3复合和2-2复合PLZT(10/65/35)陶瓷的铁电极化值P max比均匀混合PLZT(10/65/35)陶瓷明显提高,且其等效二次电光系数在弥散相变温区显著增加。 展开更多
关键词 透明陶瓷 镧掺杂锆钛酸铅 梯度设计 温度稳定性 电光系数 铁电性能 光学透过率
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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量:6
5
作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.S... 采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 展开更多
关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 PZT铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法
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高取向度PZT铁电薄膜的研制 被引量:6
6
作者 王西成 曹伟 +1 位作者 田杰 莫小洪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期16-18,共3页
用无机盐替代锆的醇盐,通过Sol-Gel方法,合成均匀、稳定的PZT溶胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理,制备出沿(100)高度定向的PZT陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。
关键词 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 铁电薄膜 薄膜
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PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
7
作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 PZT
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PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制 被引量:6
8
作者 夏冬林 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 陈实 赵修建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期196-199,共4页
对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。
关键词 锆钛酸铅(PZT) 铁电厚膜 铁电声纳换能器 湿法化学刻蚀
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PZT薄膜的MOD制备及形成机理研究 被引量:7
9
作者 包定华 张良莹 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期592-597,共6页
采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜.XRD分析显示薄膜结晶状况良好,无焦绿石相存在.AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅.分析... 采用金属有机物热分解(MOD)工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜.XRD分析显示薄膜结晶状况良好,无焦绿石相存在.AES测量表明:薄膜成分沿膜厚均匀分布,膜中无碳存在,表面不富含铅.分析了薄膜的形成机理,定性地解释了晶粒的生长过程. 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 热分解 MOD 铁电薄膜 PZT 陶瓷
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
10
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 PZT铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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采用金属有机化合物热分解法研制锆钛酸铅薄膜 被引量:6
11
作者 张之圣 刘如净 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第1期44-48,共5页
详细研究了采用金属有机化合物热分解法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3铁电薄膜的工艺 ,讨论了影响
关键词 铁电薄膜 金属有机化合物 锆钛酸铅 热处理 热分解法
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Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响 被引量:4
12
作者 赵素玲 官建国 +1 位作者 张联盟 王龙海 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期703-707,共5页
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜表征了... 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能。结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度P=21μC/cm2,矫顽场Ec=37kV/cm。 展开更多
关键词 锆钛酸铅薄膜 铁电薄膜 微观结构 铁电性能
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Pb(Zr,Sn,Ti)O_3中组份变化对反铁电-铁电相变的影响 被引量:3
13
作者 冯玉军 徐卓 +2 位作者 刘鹏 杨同青 姚熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期395-398,共4页
探讨了掺铌Pb(Zr,Sn ,Ti)O3反铁电陶瓷中 ,组份变化对晶体结构及电场诱导反铁电 -铁电相变性能的影响 .分析结果表明 :在Pb0 .99Nb0 .0 2 [(Zr1-xSnx) 1-yTiy]0 .98O3反铁电陶瓷中 ,y增加 ,反铁电四方相晶轴比a/c减小 ,增加晶胞体积 ,... 探讨了掺铌Pb(Zr,Sn ,Ti)O3反铁电陶瓷中 ,组份变化对晶体结构及电场诱导反铁电 -铁电相变性能的影响 .分析结果表明 :在Pb0 .99Nb0 .0 2 [(Zr1-xSnx) 1-yTiy]0 .98O3反铁电陶瓷中 ,y增加 ,反铁电四方相晶轴比a/c减小 ,增加晶胞体积 ,诱导反铁电 -铁电相变的开关电场强度降低 .x增加 ,反铁电四方相的晶轴比a/c和晶胞体积减小 ,结果是扩大了可以发生电场诱导反铁电 -铁电相变的反铁电相区 . 展开更多
关键词 锆锡钛酸铅 反铁电陶瓷 反铁电-铁电相变 成分
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两步沉淀法合成锆钛酸铅相形成的反应机理 被引量:2
14
作者 徐刚 赵高凌 +3 位作者 翁文剑 杜丕一 沈鸽 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期733-738,共6页
用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1–xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界。结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT。XRD分析结果表明:900℃煅... 用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1–xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界。结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT。XRD分析结果表明:900℃煅烧合成的PZT粉体,摩尔组成在0.47≤x≤0.55范围时,菱方相和四方相共存,两相相等的组成点为x=0.515。基于PbO–PZT和PZT–ZrxTi1–xO3(ZT)2个反应界面以及离子扩散,提出了关于两步沉淀法合成PZT相形成反应机理的模型。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 铁电 准结晶学相界 X射线衍射 合成
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采用MOD工艺制备PZT铁电薄膜及其性能 被引量:2
15
作者 张之圣 李霄云 +1 位作者 陈金亭 刘如净 《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》 EI CAS CSCD 2000年第3期378-381,共4页
研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究... 研究了采用金属有机化合物热分解 (MOD)法制备锆钛酸铅 Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3铁电薄膜的工艺及 PZT薄膜的介电性能 .利用 XRD分析了薄膜的结晶过程 ,制得具有钙钛矿结构的 PZT薄膜 ,铂电极有利于钙钛矿相的形成 .薄膜的介电温谱研究结果表明 ,薄膜的居里温度约为 430℃ (1 k Hz) 展开更多
关键词 金属有机化合物 锆钛酸铅 铁电薄膜 MOD工艺
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锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的铁电性能 被引量:3
16
作者 周静 彭蔚蔚 +1 位作者 郭吉丰 陈文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期174-177,共4页
通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性。同时研究了Ba2+取代Pb2+对材料铁电性能的影响。结果表明:三方相含量较高的0... 通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性。同时研究了Ba2+取代Pb2+对材料铁电性能的影响。结果表明:三方相含量较高的0.2PMnS-0.8PZN陶瓷具有较高的矫顽场和较大的剩余极化强度;四方相含量较高的0.5PMnS-0.5PZN和0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有较低的矫顽场和较小的剩余极化强度,Ba2+取代使三方相含量增加,铁电性能明显提高。 展开更多
关键词 锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷 铁电性能 压电陶瓷 钡取代
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镧钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨 被引量:3
17
作者 吴小清 任巍 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第6期402-407,共6页
采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜进行了热处理,用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的PLT薄膜的形貌进行了分析。结果表明,快速热处理工艺有利于活性高,较薄膜层的结晶和... 采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜进行了热处理,用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的PLT薄膜的形貌进行了分析。结果表明,快速热处理工艺有利于活性高,较薄膜层的结晶和致密化反应;PLT薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似,薄膜的形成经历了岛状-网状-连续的过程,即随层数的增加,薄膜逐渐从不连续转变为连续,而热处理工艺只影响形成连续薄膜的厚度。 展开更多
关键词 镧钛酸铅 铁电薄膜 热处理工艺 薄膜形成过程
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三种铁电阴极材料电子发射性能试验研究 被引量:2
18
作者 陈忠道 张树人 +1 位作者 郭曙光 蔡雪梅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期177-180,共4页
本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲... 本文采用锆钛酸铅、钛酸铋钠和钛酸钡三种不同铁电阴极材料,进行了电子发射试验,测定了电子发射电流密度,并对其在电子发射试验时的波形进行了分析讨论。结果认为:锆钛酸铅材料的电子发射电流密度略优于其他两种材料,但从无铅化角度来讲,钛酸钡与钛酸铋钠材料将有望取代现有的锆钛酸铅铁电阴极材料。 展开更多
关键词 铁电阴极材料 锆钛酸铅 钛酸铋钠 钛酸钡 电子发射
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硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究 被引量:2
19
作者 娄利飞 杨银堂 +1 位作者 李跃进 张萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期778-782,共5页
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细... 对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀
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溶胶-凝胶法制备Pb(Zr,Ti)O_3玻璃陶瓷过程中的结构变化 被引量:2
20
作者 姚奎 孔令兵 +1 位作者 张良莹 姚熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期38-44,共7页
本文介绍溶胶-凝胶法制备均匀PbZr-Ti-B-Si凝胶玻璃,并通过适当热处理在凝胶玻璃中原位生长Pb(Zr;Ti)O3微晶的新工艺·利用IR谱考察了凝胶玻璃中的元素键合结构随温度的变化.结合热分析和XRD;SE... 本文介绍溶胶-凝胶法制备均匀PbZr-Ti-B-Si凝胶玻璃,并通过适当热处理在凝胶玻璃中原位生长Pb(Zr;Ti)O3微晶的新工艺·利用IR谱考察了凝胶玻璃中的元素键合结构随温度的变化.结合热分析和XRD;SEM技术,研究了Pb(Zr,Ti)O3微晶在凝胶玻璃中的生长过程及该材料的结构特点.发现Pb2(Zr,Ti)2O6+x立方焦绿石介稳过渡相的纳米微晶首先出现于该体系中,并在更高的温度下先后完全转变成三方和四方Pb(Zr,Ti)O3钙钛矿相.电子显微观察结果表明,该工艺制备的Ph(Zr;Ti)O3玻璃陶瓷具有均匀的细晶结构. 展开更多
关键词 铁电玻璃陶瓷 玻璃陶瓷 溶胶-凝胶法 焦绿石相
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