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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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Lead zirconate titanate behaviors in an LDMOS
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作者 翟亚红 李威 +5 位作者 李平 李俊宏 胡滨 霍伟荣 范雪 王刚 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期578-581,共4页
The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 3... The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current–gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system. 展开更多
关键词 laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) lead zirconate titanate memory behavior RETENTION
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FABRICATION OF PIEZOELECTRIC BIMORPH USING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM DEPOSITED BY HYDROTHERMAL METHOD
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作者 DU Liqun Lü Yan +1 位作者 DONG Weijie GAO Xiaoguang 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期5-8,共4页
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTi... In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTiOJPbZrO3 in LZT is 53/47, which is around morphotropic phase boundary (MPB). LZT film is composed of cubic particles with the average size of 5 ~ma. Density of thin film is figured out through the datum measured in experiments. The displacement model used to analyze the driving ability of bimorph is set up, and the effect of elastic intermediate layer is taken into account. Piezoelectric coefficient of LZT film is worked out by using the displacement model. Experiments of driving ability show that deformation of bimorph free end does not increase with times of crystal growth processes and the maximum deformation is obtained after two times crystal growth processes. Finally, the ferroelectric property of the bimorph is investigated and coercive voltage of the bimorph is obtained. 展开更多
关键词 Piezoelectric bimorph lead zirconate titanate (LZT) film Hydrothermal method
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Effects of loading contact on electric-power generation of lead zirconate titanate piezoelectric ceramic plate 被引量:1
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作者 Mitsuhiro OKAYASU Tsukasa OGAWA 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2019年第4期509-518,共10页
To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics ... To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics during cyclic bending under various loading fixtures(?0–?20 mm),i.e.,different contact areas.Increasing the load-contact area on the PZT ceramic leads to a nonlinear decrease in the generated voltage.Decreasing contact area basically enhances the generated voltage,although the voltage saturates during loading when the contact area is less than?5 mm.A similar voltage is generated for?0 and?5 mm,which is attributed to strain status(ratio of compressive and tensile strain)and material failure due to different stress distribution in the PZT ceramic.On the basis of the obtained electric generation voltage,suitable loading conditions are clarified by loading with the?5 mm fixture,which generates a higher voltage and a longer lifetime of the PZT ceramic.From this approach,it is appeared that the area contact with the area ratio of 0.04(?5 mm/?20 mm)is suitable to obtain the high efficiency of the electric voltage. 展开更多
关键词 PIEZOELECTRIC CERAMIC lead zirconate titanate CERAMIC ELECTRIC power generation
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Thermal expansion in lead zirconate titanate
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作者 Yujun Feng Zhuo Xu Xi Yao 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2002年第16期1351-1355,共5页
The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with t... The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with temperature. The magnitude and orientation of crystal volume changes are dependent on the particular phase transition. When antiferroelectrics is transformed to ferroelectrics or paraelectrics the volume expands. Oppositely when ferroelectrics is transformed to antiferroelectrics or paraelectrics the volume contracts. In the transition of antiferroelectric orthorhombic structure to tetragonal structure or ferroelectric low-temperature rhombohedral structure to high-temperature rhombohedral structure, there are also revealed apparent anomalies in the curves of thermal expansion. Among them, the volume strain caused by the transition between antiferroelectrics and ferroelectrics is the biggest in magnitude, and the linear expansion dL/L0 and the expansion coefficient (dL/L0)/dT can reach 2. 展开更多
关键词 lead zirconate titanate THERMAL EXPANSION PHASE transi-tions induced by temperature.
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不同纤维增强对PZT/PVA复合材料性能影响的研究 被引量:1
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作者 姬程飞 宋崇阳 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期114-122,128,共10页
压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及... 压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及PZT/PVA体积比对试件介电、压电性能及弯曲、拉伸性能的影响规律,并结合电镜扫描(SEM)分析纤维掺量对试件性能的影响。结果表明,少量的纤维掺量能够提高复合材料的电学性能,过量的纤维使得复合材料结构孔隙结构增加,介质常数和压电常数均减小,介质损耗增大。7%芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、5%芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、3%芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA复合材料的介电性能和压电性能较高。芳纶纤维掺量为9%时,芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA、芳纶纤维/0.8PZT/0.2PVA复合材料的弯曲强度分别提高了10.72%、14.49%、13.85%及16.78%,拉伸强度分别提高了24.04%、23.94%、27.00%和28.52%。纤维在试件内部形成网状结构从而提升试件力学性能,且由于芳纶纤维不导电,因此可以在复合材料中加入芳纶纤维的数量比碳纤维多,其力学性能也会大大提高。 展开更多
关键词 碳纤维 芳纶纤维 锆钛酸铅/聚乙烯醇 介电性能 压电性能 力学性能 微观结构
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四方相锆钛酸铅陶瓷制备及温度稳定性研究
7
作者 杨洋 侯育冬 +2 位作者 杜红亮 张阿梅 侯鸿平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期351-355,共5页
采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时... 采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时,d33变化率为±14.7%。在1250℃下烧结的Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)陶瓷具有最佳的电学性能:压电常数d_(33)=183 pC/N,居里温度TC=402℃,相对介电常数ε_(r)=1209。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 四方相 温度稳定性 烧结温度
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PLZT透明陶瓷的微区组分调控及梯度设计与电光性能研究
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作者 吴文杰 何代华 +1 位作者 程思远 何夕云 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期1956-1963,共8页
镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10... 镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10/65/35)透明陶瓷开展了材料铁电、介电及电光性能随温度变化的相关研究,通过对关键掺杂离子La^(3+)含量的微区调控和构建一定分布梯度,改善材料的电光性能及其温度稳定性。通过传统氧气氛热压烧结获得系列纯钙钛矿相结构的PLZT陶瓷,材料显微结构均匀致密;所有样品均呈现良好的光学透过率(52%~60%,λ=632.8 nm);随着La^(3+)含量微量增加,PLZT陶瓷的介电峰谱弛豫性增大,同时微区La^(3+)组分波动性增强的0-3复合和2-2复合PLZT陶瓷的介电温谱谱峰显著展宽且介电常数峰值提高;随温度的升高,陶瓷样品的铁电电滞回线(P-E)中最大极化值(P max)、剩余极化值(P r)和矫顽力场强(E c)逐渐减小;0-3复合和2-2复合PLZT(10/65/35)陶瓷的铁电极化值P max比均匀混合PLZT(10/65/35)陶瓷明显提高,且其等效二次电光系数在弥散相变温区显著增加。 展开更多
关键词 透明陶瓷 镧掺杂锆钛酸铅 梯度设计 温度稳定性 电光系数 铁电性能 光学透过率
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ZnO亚微球添加对放电等离子烧结PZT陶瓷结构和性能的影响
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作者 张志伟 刘志阳 +1 位作者 秦雷 梁立兴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期19-26,共8页
通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出... 通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出相对密度超过97%的PZT陶瓷。ZnO亚微球的添加有利于PZT陶瓷的烧结和晶粒生长,随着ZnO亚微球添加量的增加,PZT三方相(R)的含量逐渐增大。适量ZnO亚微球的添加能够改善PZT陶瓷的压电性能和介电性能,ZnO质量分数为0.10%时,材料的综合性能最优,在1 kHz频率下,压电常数d_(33)=432 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.56,机械品质因数Q_(m)=69.8,相对介电常数ε_(r)=1360,介电损耗tanδ=0.0227。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 放电等离子烧结 压电性能 介电性能
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PZT基多层剪切型压电陶瓷致动器驱动性能
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作者 王振宇 王世杰 +4 位作者 王鹏 张东雷 郭明楷 秦国帅 卢春生 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期97-105,共9页
随着驱动技术向微型化与高精度化方向发展,压电致动器因其在精确位移控制和快速响应方面的优势而受到广泛关注。提出了一种基于锆钛酸铅(PZT)陶瓷的多层剪切型压电致动器,并采用有限元分析方法及自主开发的新型实验平台对其驱动性能进... 随着驱动技术向微型化与高精度化方向发展,压电致动器因其在精确位移控制和快速响应方面的优势而受到广泛关注。提出了一种基于锆钛酸铅(PZT)陶瓷的多层剪切型压电致动器,并采用有限元分析方法及自主开发的新型实验平台对其驱动性能进行深入研究。结果表明,致动器的驱动性能主要受输入电压频率和幅值的影响,在适当的频率与低电压条件下可实现更高的调控分辨率。此外,当结构施加的预紧力超过最大负载时,致动器的驱动性能下降约50%,即通过预紧力可有效调控致动器的驱动性能,该结果为压电致动器的工作模式分析以及多层压电陶瓷的电学结构优化提供了重要的依据。 展开更多
关键词 压电致动器 锆钛酸铅(PZT) 多层剪切型 驱动性能 微型化
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玻璃掺杂及烧结工艺对BCZT压电陶瓷的影响
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作者 周源 曾梦诗 +1 位作者 曹丽嘉 余洪滔 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期20-27,35,共9页
采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介... 采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介电性能和压电性能的影响。最后通过正交试验确定了其烧结工艺。结果显示BCZT粉体的最佳预烧温度在1100℃。掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉能够有效降低BCZT陶瓷的烧结温度。通过烧结工艺正交实验获得了最佳烧结工艺:1100℃预烧,1350℃烧结,升温速度为2℃/min,保温时间为7 h,在110 min降温至800℃。验证正交试验所得到的结果是掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT陶瓷的居里温度点的介电常数为12228,压电常数d_(33)为425 p C/N。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 锆钛酸钡钙(BCZT) 正交试验 压电性能
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Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅压电陶瓷的制备与表征
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作者 贝颂 何宜珂 +1 位作者 马寅博 刘贵山 《大连工业大学学报》 CAS 2024年第4期291-295,共5页
以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)... 以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷具有更好的致密性,当掺杂质量分数为1%的Sb_(2)O_(3)和2%的BaO时,机电性能显著提升,相对介电常数为1854,压电系数为439.6 pC/N,机电耦合系数为66%,居里温度从398℃降至380℃。高的压电系数有利于提升锆钛酸铅所制备电子元器件的接收和发射的灵敏度。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 共掺杂 压电陶瓷 机电耦合系数
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以硝酸氧锆为锆源溶胶-凝胶合成PZT纳米晶的研究 被引量:21
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作者 刘大格 蔡伟 +2 位作者 张洪喜 吴湘伟 赵连城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期313-318,共6页
以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧... 以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧锆能很好地溶于乙二醇.通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过X射线衍射分析,热重及差热分析,透射电镜显微分析对从凝胶到PZT纳米晶的形成过程及粉体性能进行了表征.实验证明:在415℃PZT开始结晶,450℃恒温2h粉末粒径约为50nm. 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 锆钛酸 钙钛矿相 纳米级 压电陶瓷
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PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
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作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 PZT
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三大无铅压电陶瓷体系的最新研究进展 被引量:19
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作者 沈宗洋 李月明 +1 位作者 王竹梅 廖润华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期309-315,共7页
铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发... 铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 铌酸钾钠 钛酸铋钠 锆钛酸钡
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内蒙古比利亚谷铅锌银矿床地质地球化学特征及成因 被引量:22
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作者 吴涛涛 赵东芳 +2 位作者 邵军 鲍庆中 王宏博 《中国地质》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期1242-1252,共11页
比利亚谷铅锌银矿位于海拉尔—根河中生代火山盆地北西缘地区。该矿床赋存于上侏罗统满克头鄂博组酸性火山岩中,受北西向断裂构造控制,主矿体呈脉状产出。赋矿围岩流纹质火山角砾熔岩LA-ICP-MS锆石U-Pb测年结果表明,其成岩时代为(159.2&... 比利亚谷铅锌银矿位于海拉尔—根河中生代火山盆地北西缘地区。该矿床赋存于上侏罗统满克头鄂博组酸性火山岩中,受北西向断裂构造控制,主矿体呈脉状产出。赋矿围岩流纹质火山角砾熔岩LA-ICP-MS锆石U-Pb测年结果表明,其成岩时代为(159.2±1.8)Ma,并依据赋矿围岩与成矿的关系推测成矿时代为晚侏罗世。矿床赋矿围岩流纹质火山角砾熔岩和流纹岩的主量元素具有富硅(68.31%~77.18%)、富钾(3.39%~4.28%)、低钠(0.14%~0.18%)、高铝(11.74%~14.93%)的特征,属高钾钙碱性系列;岩石REE总量较低(93.65×10^(-6)98.94×10^(-6)),以轻稀土相对富集、轻稀土和重稀土分异明显、弱的Ce负异常和Eu负异常为特征;结合岩石具有亏损Sr、高度富集轻稀土等特征认为火山岩产于板内,与其有关的岩浆可能来源于上地幔,并混染了壳源物质。综合本次研究和区域构造演化特征,初步认为矿床形成于鄂霍次克板块剪刀式闭合时期的拉张伸展环境。 展开更多
关键词 铅锌银矿床 地球化学 LA-ICP-MS锆石U-PB测年 矿床成因 比利亚谷
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硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究 被引量:6
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作者 赵宏锦 刘建设 +3 位作者 任天令 刘燕翔 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第4期290-292,共3页
采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了... 采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 刻蚀工艺 PZT薄膜 硅基
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路面用PZT/沥青压电复合材料的制备及性能 被引量:15
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作者 谭忆秋 钟勇 +2 位作者 吕建福 欧阳剑 周水文 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期975-980,共6页
以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明... 以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明:优化的制备工艺为成型压应力10MPa,成型时间3min;最佳的极化条件是极化电场强度为3kV/mm,极化时间为10min,极化温度为50℃;PZT的最佳体积分数为75%;沥青基压电复合材料的相对介电常数εr及压电应变常数d33分别为32.95和53.7pC/N,荷载响应稳态输出电压为7.2V,其储存的能量为259.2μJ. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 沥青压电复合材料 制备工艺 极化条件 压电性能 沥青路面
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机械力化学合成纳米晶PZT的研究 被引量:6
19
作者 吴其胜 高树军 +1 位作者 张少明 杨南如 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1197-1201,共5页
通过研究PbO-ZrO2-TiO2机械力化学过程,探明了机械力化学法制备PZT纳米粉体的工艺条件。在一定操作参数的条件下(公转转速250 r/min,自转转速为62.5 r/min)粉磨60 b,能够制备出10~30 nm PZT纳米粉体。采用XRD,DTA,SEM,TEM对不同粉磨时... 通过研究PbO-ZrO2-TiO2机械力化学过程,探明了机械力化学法制备PZT纳米粉体的工艺条件。在一定操作参数的条件下(公转转速250 r/min,自转转速为62.5 r/min)粉磨60 b,能够制备出10~30 nm PZT纳米粉体。采用XRD,DTA,SEM,TEM对不同粉磨时间的混合粉体进行表征分析。发现机械力化学合成纳米粉体经过颗粒细化、晶粒尺寸减小、晶格畸变、混合物粉体无定形化、固相反应等阶段。铅黄型PbO经高能球磨晶型转变为密陀僧型PbO,混合物粉体保持化学计量。 展开更多
关键词 机械力化学 锆钛酸铅 纳米晶 固相反应
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高取向度PZT铁电薄膜的研制 被引量:6
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作者 王西成 曹伟 +1 位作者 田杰 莫小洪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期16-18,共3页
用无机盐替代锆的醇盐,通过Sol-Gel方法,合成均匀、稳定的PZT溶胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理,制备出沿(100)高度定向的PZT陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。
关键词 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 铁电薄膜 薄膜
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