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带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管 被引量：1
1
作者 王大军 章 蓓 +3 位作者 栾 峰 杨 涛 徐万劲 马骁宇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期87-90,共4页
在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型Ｉｎ－ＧａＡｌＰ量子阱发光二极管．这种ＬＥＤ的制备工艺简单易行,效果明显结果证实,与同样面积方形台面普通ＬＥＤ相比,这种ＬＥＤ的出光强... 在分析和研究圆盘型光学模式的基础上,本文提出并研制成功一种带有周期性环形沟槽结构的新型Ｉｎ－ＧａＡｌＰ量子阱发光二极管．这种ＬＥＤ的制备工艺简单易行,效果明显结果证实,与同样面积方形台面普通ＬＥＤ相比,这种ＬＥＤ的出光强度和效率都得到明显的增强和提高,为改进发光二极管的性能提供了一条新途径． 展开更多
关键词 发光二极管 ingaalp量子阱 红光发光二极管 出光效率 回音壁模式.
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