TFT-LCD横向线状未确认Mura分析及改善研究

研究了产品开发过程中新出现的一种原因未知的横向线状Mura问题。通过分析和改善研究表明,Gate Fan-out区域栅极线金属交替布线设计中不同金属层线电阻差异是导致横向线状未确认Mura发生的主要原因;通过变更栅极线金属层厚度及材料,以降低整体电阻和不同金属层线电阻差异可以解决此种不良现象;并通过试验论证此方法的量产可行性。

横线Mura的分析与改善

横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响。文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构,认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中,玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大,造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密,从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移。提出对栅电极膜层结构进行调整,将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率,并进行了相关验证。

负性液晶边缘场切换模式的亮线不良分析

对于高分辨率小尺寸的边缘场切换模式(FFS)产品,负性液晶可以有效提升穿透率与对比度,从而改善画质。在使用负性液晶过程中出现了暗态显示区边缘发亮,即亮线不良(Line Mura)的现象。通过光学和电性仿真以及解析实验对亮线不良问题进行了分析。发现显示器周边的虚拟像素(Dummy pixel)是产生亮线不良最直接的原因,因为这种设计在蟹角(Crab)区域产生了异常高电场,导致暗态时液晶旋转从而产生亮线。本文通过软件模拟分析了亮线产生的因素,并进行了实验验证,最后提出了改善方案。为以后负性液晶FFS模式的显示屏设计提供了很好的指导。

垂直线不良分析与改善

针对栅极绝缘层和栅极引线接触处形成过孔倒角造成的一种垂直线不良进行分析和改善。研究气相沉积、干法刻蚀和磁控溅射对过孔倒角的影响,通过扫描电子显微镜对过孔形貌进行表征,并用成盒检测设备检测不良发生情况。实验结果表明:通过过孔刻蚀功率、气压、气体流量的变更可以消除倒角现象,垂直线不良由1.4%降为0.7%。

阵列基板铜工艺不良研究

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。

基于候选区域对比度的显示屏缺陷检测方法

显示屏在生产、组装过程中易出现多种类型的缺陷,传统的人工检测方法工作量大,主观性强,检测标准难以量化,误判率高。为此,提出一种使用折线阈值对候选区域对比度进行阈值判断的显示屏缺陷检测方法。通过计算候选区域对比度来检出点状、块状、Mura缺陷,候选区域对比度的计算方式克服了显示屏亮度不均匀产生的影响,使用折线阈值对候选区域对比度进行阈值判断,提高了低对比度Mura缺陷的检测精度。