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Simultaneous acceleration of two kinds of ion beams in the RISP 被引量:1
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作者 Siwon Jang Eun-San Kim 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2019年第6期70-77,共8页
The Rare Isotope Science Project (RISP) is a research complex consisting of a heavy-ion accelerator, which contains a front-end system, a super-conducting linear accelerator, an isotope separator online (ISOL) system,... The Rare Isotope Science Project (RISP) is a research complex consisting of a heavy-ion accelerator, which contains a front-end system, a super-conducting linear accelerator, an isotope separator online (ISOL) system, and an in-flight system. The original purpose of the post-linear-accelerator (post-linac) section was to accelerate either a stable driver beam derived from an electron cyclotron resonance ion source, or an unstable rare-isotope beam from an ISOL system. The post-linac lattice has now been redesigned using a novel and improved acceleration concept that allows the simultaneous acceleration of both a stable driver beam and a radioisotope beam. To achieve this, the post-linac lattice is set for a mass-to-charge ratio (A/q) that is the average of the two beams. The performance of this simultaneous two-beam acceleration is here assessed using two ion beams: 58Ni^8+ and 132Sn^20+. A beam dynamics simulation was performed using the TRACK and TraceWin codes. The resultant beam dynamics for the new RISP post-linac lattice design are examined. We also estimate the effects of machine errors and their correction on the post-linac lattice. 展开更多
关键词 linear ACCELERATOR SIMULTANEOUS two-beam ACCELERATion HEAVY-ion ACCELERATOR beam dynamics
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衬底负偏压对线性离子束DLC膜微结构和物性的影响 被引量:10
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作者 代伟 吴国松 +1 位作者 孙丽丽 汪爱英 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期598-603,共6页
采用一种新型线性离子束PVD技术制备出大面积类金刚石薄膜(DLC膜),研究了衬底负偏压对薄膜微结构和物性的影响.结果表明:制备出的类金刚石薄膜在300 mm×100 mm范围内纵向厚度均方差约10-12 nm,横向薄膜厚度均方差约2-4 nm.随着衬... 采用一种新型线性离子束PVD技术制备出大面积类金刚石薄膜(DLC膜),研究了衬底负偏压对薄膜微结构和物性的影响.结果表明:制备出的类金刚石薄膜在300 mm×100 mm范围内纵向厚度均方差约10-12 nm,横向薄膜厚度均方差约2-4 nm.随着衬底偏压的提高,薄膜中sp^3键的含量先增加后减小,在衬底偏压为-100 V时sp^3键的含量最大;DLC膜的残余应力、硬度和弹性模量与sp^3键的含量呈近似线性的关系,在衬底偏压为-100 V时其最大值分别为3.1 GPa、26 GPa和230 GPa.DLC薄膜的摩擦学性能与薄膜中sp^3碳杂化键的含量密切相关,但是受衬底偏压的影响不大,其摩擦系数大多小于0.25.偏压对磨损的影响很大,在偏压比较低(0~-200 V)时,薄膜的磨损率约为10^(-8)mm^3/N·m,偏压升高到300 V磨损率急剧提高到10^(-7)mm^3/N·m. 展开更多
关键词 无机非金属材料 线性离子束 DLC薄膜 微结构 力学性能 摩擦性能
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几种常用光学材料的离子束刻蚀特性研究 被引量:3
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作者 刘颖 徐德权 +3 位作者 徐向东 周小为 洪义麟 付绍军 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期536-538,553,共4页
利用基于射频离子源的离子束刻蚀装置,分别以氩气、三氟甲烷为工作气体,初步研究了离子能量、束流和加速电压等条件对K9、石英、氧化硅薄膜、氧化铪薄膜这4种常用光学材料和光刻胶的离子束刻蚀特性和反应离子束刻蚀特性的影响.实验结果... 利用基于射频离子源的离子束刻蚀装置,分别以氩气、三氟甲烷为工作气体,初步研究了离子能量、束流和加速电压等条件对K9、石英、氧化硅薄膜、氧化铪薄膜这4种常用光学材料和光刻胶的离子束刻蚀特性和反应离子束刻蚀特性的影响.实验结果表明:以三氟甲烷为工作气体的反应离子束刻蚀,在较低离子能量、束流和加速电压的条件下,就可对氧化硅薄膜和氧化铪薄膜实现较高的刻蚀选择比(分别为2.5∶1和1∶1).并在此基础上,研制出亚微米周期的氧化硅光栅和氧化铪光栅,其中氧化硅光栅线条的侧壁倾角大于85°;氧化铪光栅在1064 nm自准直入射角下的负一级衍射效率高于95%. 展开更多
关键词 离子束刻蚀 射频离子源 选择比 衍射光学元件
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条形射频源大口径离子束刻蚀机性能(英文) 被引量:2
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作者 董晓浩 刘颖 +8 位作者 赵飞云 徐德权 徐向东 周银贵 汪啸 姚传荣 洪义麟 付绍军 徐朝银 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期530-535,共6页
针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点,实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能.利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度,通过控制气体流量、调节加速电压等,得到了纵向束流密度±5... 针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点,实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能.利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度,通过控制气体流量、调节加速电压等,得到了纵向束流密度±5.3%均匀性的较好结果.刻蚀实验表明40 cm长度范围刻蚀深度均匀性为±5.4%,同时具有较好的束流稳定性.添加束阑,并结合掩模修正束流,会得到更好的束流密度与刻蚀深度均匀性. 展开更多
关键词 离子束刻蚀机 条形射频离子源 束流密度均匀性 束阑 大口径衍射光学元件
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高色散系数线性渐变滤光片的研制 被引量:5
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作者 张建 高劲松 李玉东 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1221-1226,共6页
采用双离子束溅射物理沉积方法,通过修正线性渐变沉积速率制备了高透过率、高色散系数的线性渐变滤光片。在不同材料的膜厚修正过程中,通过匹配高低折射率材料的线性渐变趋势来减小两种材料的失配误差。利用微小光斑测试方法获得了线性... 采用双离子束溅射物理沉积方法,通过修正线性渐变沉积速率制备了高透过率、高色散系数的线性渐变滤光片。在不同材料的膜厚修正过程中,通过匹配高低折射率材料的线性渐变趋势来减小两种材料的失配误差。利用微小光斑测试方法获得了线性渐变滤光片的线性渐变光谱数据,使用扫描电子显微镜表征了滤光片的表面形貌及微观结构。测试结果表明:制备的线性渐变滤光片各个位置的中心波长峰值透过率均达到85%以上,其工作波长为650~1 050nm,中心波长的线性变化率为20nm/mm,线性度误差在5nm以内,带外截止度在0.1%以下。制备的线性渐变滤光片不仅具有好的光谱特性,也具有良好的稳定性,完全满足滤光片在空间应用时对小型化、集成化和稳定性的需求。 展开更多
关键词 线性渐变滤光片 双离子束溅射 色散 透过率 膜厚修正
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离子束辐照结合组织培养在植物诱变中的研究进展 被引量:14
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作者 周利斌 李文建 +1 位作者 曲颖 李萍 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期232-236,共5页
简述了植物组织培养方法与离子束辐射相结合这一新诱变技术的研究进展,从原理、操作步骤、分子机理等诸方面对该方法进行了阐释。该诱变技术具备传统辐射诱变技术所不具备的优势,从而能够为利用无性繁殖技术进行后代繁衍的植物提供新的... 简述了植物组织培养方法与离子束辐射相结合这一新诱变技术的研究进展,从原理、操作步骤、分子机理等诸方面对该方法进行了阐释。该诱变技术具备传统辐射诱变技术所不具备的优势,从而能够为利用无性繁殖技术进行后代繁衍的植物提供新的育种思路。与此同时,使用该方法还能够开展植物组织细胞的传能线密度(Linear energy transfer,LET)生物学效应的研究,从理论上及实践上进一步优化该技术。 展开更多
关键词 离子束 植物组织培养 辐射 诱变 传能线密度
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载能团簇离子在物质中的能量损失 被引量:3
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作者 丁富荣 史平 +2 位作者 王尧 何卫红 聂锐 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期225-230,共6页
实验表明,团簇离子在物质中的能量损失并不等于各成分单独作用的总和,而是具有非线性效应.这种非线性效应与团簇离子的能量、团簇的种类和大小、团簇成分之间的空间关联程度以及作用物质的结构有关.对团簇作用的非线性效应研究对于了解... 实验表明,团簇离子在物质中的能量损失并不等于各成分单独作用的总和,而是具有非线性效应.这种非线性效应与团簇离子的能量、团簇的种类和大小、团簇成分之间的空间关联程度以及作用物质的结构有关.对团簇作用的非线性效应研究对于了解团簇与物质相互作用的机制具有非常重要的理论意义.MeV能区的团簇离子在物质中的非线性电子能损和核能损方面的直接实验数据还相当缺乏,其理论模型也更待建立.评述了载能团簇离子在物质中的能量损失及测量方法. 展开更多
关键词 团簇离子 非线性效应 能量损失 脉冲幅度亏损 离子束混合
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光学元件表面离子束抛光过程边缘效应抑制 被引量:7
8
作者 李晓静 王大森 +5 位作者 王刚 张旭 张宁 裴宁 聂凤明 齐子诚 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期349-355,共7页
目的为解决光学元件表面进行离子束抛光加工过程中存在边缘效应的问题。方法采用将驻留时间网格在面形采样网格的基础上进行延拓的方法来抑制边缘效应的产生,即将驻留点的网格范围向外进行延拓,使元件边缘部分的采样点中有去除作用的驻... 目的为解决光学元件表面进行离子束抛光加工过程中存在边缘效应的问题。方法采用将驻留时间网格在面形采样网格的基础上进行延拓的方法来抑制边缘效应的产生,即将驻留点的网格范围向外进行延拓,使元件边缘部分的采样点中有去除作用的驻留点的数量与中间部分相同,延拓距离大于离子束半径。使用截断奇异值方法求解线性方程组模型的驻留时间,分析仿真结果中边缘效应出现的原因。结果当驻留时间采用和面形误差同样的网格划分时,残留面形不收敛,且发生严重的边缘效应。当取截断参数k=80时,其面形PV值由初始的104.489 nm下降到11.675 nm,RMS值由28.009 nm收敛到1.572 nm,且没有边缘效应的产生。采用上述模拟结果作为实验设定参数,在平面光学元件上进行离子束抛光实验研究,抛光前后,PV值由102 nm降为37 nm,RMS由23 nm降为2 nm。结论实验结果验证了模拟结果的有效性,使用驻留时间网格延拓的方法可以避免边缘效应的产生,在此基础上进行离子束抛光,光学元件面形PV及粗糙度达到了非常好的收敛效果。 展开更多
关键词 离子束抛光 光学元件 驻留时间 线性方程组模型 边缘效应 边缘延拓 面形误差
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不同LET ^12C^6+离子对生防菌BJ1的辐射诱变效应
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作者 马爽 李文建 +5 位作者 王菊芳 周利斌 余丽霞 董喜存 陆栋 刘敬 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期168-171,共4页
选取高低两个LET点(40和60keV/m),剂量点分别为50,100,200,400,600Gy进行辐照处理,研究了生防菌的存活率与突变率的关系,抑菌谱以及活性等。结果表明,在高LET条件下,低剂量辐照就可以得到较多的突变体,并且BJ1有较高的存活率和突变谱,... 选取高低两个LET点(40和60keV/m),剂量点分别为50,100,200,400,600Gy进行辐照处理,研究了生防菌的存活率与突变率的关系,抑菌谱以及活性等。结果表明,在高LET条件下,低剂量辐照就可以得到较多的突变体,并且BJ1有较高的存活率和突变谱,有利于筛选优良的正突变体。因此高LET较低LET有更为明显的辐射诱变效应。 展开更多
关键词 传能线密度 C离子 生防菌BJ1 辐射 诱变效应
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线性渐变滤光片的制备方法研究 被引量:2
10
作者 陈鹏 罗露雯 +1 位作者 盛斌 黄元申 《光学仪器》 2016年第4期308-312,共5页
提出了一种离子束刻蚀制备线性渐变滤光片(LVOF)的方法。离子束刻蚀过程中,通过在样片和离子束出射窗口之间加入开有三角形透射窗口的挡板以及样片水平方向多次来回运动完成楔形谐振腔层制备,配合离子束辅助反应电子束真空镀膜技术,完... 提出了一种离子束刻蚀制备线性渐变滤光片(LVOF)的方法。离子束刻蚀过程中,通过在样片和离子束出射窗口之间加入开有三角形透射窗口的挡板以及样片水平方向多次来回运动完成楔形谐振腔层制备,配合离子束辅助反应电子束真空镀膜技术,完成线性渐变滤光片的制作。设计三组不同刻蚀次数的制作实验,制作出了工作波长为500~580 nm、线色散系数为1.03 nm·mm^(-1)的线性渐变滤光片。实验结果表明,通过调节样品台运动速率或者刻蚀次数,能够制备出具有预期楔角谐振腔层的线性渐变滤光片。 展开更多
关键词 线性渐变滤光片(LVOF) 间隔层 离子束刻蚀
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Varian高能加速器的剂量监测与维护 被引量:1
11
作者 唐志全 王明槐 《中国医疗器械杂志》 2017年第4期309-312,共4页
从机器物理和机电构造双重角度,该文系统全面地解析了瓦里安C-系列高能直线加速器的剂量监测与控制系统全貌,剖析了电离室的构造特征和束流导向的具体实现,阐述了完整的剂量学质量控制调整方法和该系统的维修维护方法。
关键词 直线加速器 剂量监测与控制 电离室 剂量学 束流导向
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基于线性离子束技术的镁合金表面类金刚石膜的制备与性能研究 被引量:1
12
作者 吴国松 代伟 +2 位作者 孙丽丽 胡清文 汪爱英 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期172-175,179,共5页
为了提高AZ31镁合金的力学性能和耐蚀性能,采用线性离子束技术在其表面沉积了类金刚石薄膜。分别利用原子力显微镜和扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌和截面形貌,利用X射线衍射分析了薄膜的相结构,利用X射线光电子能谱分析了薄膜中... 为了提高AZ31镁合金的力学性能和耐蚀性能,采用线性离子束技术在其表面沉积了类金刚石薄膜。分别利用原子力显微镜和扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌和截面形貌,利用X射线衍射分析了薄膜的相结构,利用X射线光电子能谱分析了薄膜中元素的价态。利用纳米压痕仪和显微硬度计考察了镁合金镀膜后的表面硬度。利用极化曲线考察了镀膜镁合金在3.5%(质量分数)氯化钠溶液中的耐腐蚀性能。结果表明,利用线性离子束可以获得光滑致密的类金刚石膜,镀膜后镁合金的表面硬度和耐蚀性能得到显著提高。 展开更多
关键词 镁合金 类金刚石薄膜 线性离子束 硬度 耐蚀性能
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低剂量率下高线性能量转移碳离子束辐照人类唾液腺细胞的存活效应
13
作者 李强 Y.FURUSAWA +3 位作者 M.KANAZAWA M.AOKI E.URAKABE S.SATO 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第9期895-899,共5页
利用日本千叶重离子医用加速器HIMAC提供的碳离子束,对人类唾液腺细胞(HSG)在剂量率为0.5Gy/h的低剂量率条件下进行了辐照,运用标准的克隆形成法得到了3种不同剂量平均线性能量转移(LET)碳离子束辐照HSG细胞的剂量存活效应.与先前HSG细... 利用日本千叶重离子医用加速器HIMAC提供的碳离子束,对人类唾液腺细胞(HSG)在剂量率为0.5Gy/h的低剂量率条件下进行了辐照,运用标准的克隆形成法得到了3种不同剂量平均线性能量转移(LET)碳离子束辐照HSG细胞的剂量存活效应.与先前HSG细胞在治癌剂量率(1 ̄5Gy/min)下对相近剂量平均LET碳离子束辐照的剂量存活效应数据相比,HSG细胞对高LET碳离子束辐射表现出明显的剂量率效应.为在相同条件下得到碳离子束对HSG细胞的相对生物学效应(RBE),利用60Co-#射线在剂量率为0.5Gy/h的条件下辐照了HSG细胞,得到该细胞系对低LET射线响应的剂量存活效应.与先前在治癌剂量率下得到的RBE值相比,低剂量率条件下得到的RBE值总体减小.由实验发现的剂量率效应及低剂量率条件下RBE值的减小,表明由高LET碳离子束造成的辐射损伤在低剂量率条件下也存在着显著的修复效应.据此,对辐射造成细胞致死的原因进行了探讨. 展开更多
关键词 碳离子束 剂量率 高LET 剂量存活效应 损伤修复
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Simulation study on single event burnout in linear doping buffer layer engineered power VDMOSFET 被引量:3
14
作者 贾云鹏 苏洪源 +2 位作者 金锐 胡冬青 吴郁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第2期90-93,共4页
The addition of a buffer layer can improve the device's secondary breakdown voltage, thus, improving the single event burnout (SEB) threshold voltage. In this paper, an N type linear doping buffer layer is proposed... The addition of a buffer layer can improve the device's secondary breakdown voltage, thus, improving the single event burnout (SEB) threshold voltage. In this paper, an N type linear doping buffer layer is proposed. According to quasi-stationary avalanche simulation and heavy ion beam simulation, the results show that an op- timized linear doping buffer layer is critical. As SEB is induced by heavy ions impacting, the electric field of an optimized linear doping buffer device is much lower than that with an optimized constant doping buffer layer at a given buffer layer thickness and the same biasing voltages. Secondary breakdown voltage and the parasitic bipolar turn-on current are much higher than those with the optimized constant doping buffer ~ayer. So the linear buffer layer is more advantageous to improving the device's SEB performance. 展开更多
关键词 single event burnout (SEB) quasi-static avalanche linear doping buffer layer heavy ion Au beam
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不同LET碳离子束辐照拟南芥干种子的当代损伤效应 被引量:4
15
作者 陈玉泽 杜艳 +6 位作者 余丽霞 骆善伟 冯慧 穆金虎 司怀军 李文建 周利斌 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期494-499,共6页
本研究以拟南芥(Columbia野生型)干种子为材料,利用兰州重离子研究装置(HIRFL)产生的碳离子束对材料进行辐射处理,统计其存活率、根长、下胚轴长及每果荚种子数,以探讨不同传能线密度(Linear Energy Transfer,LET)的碳离子束辐照对拟南... 本研究以拟南芥(Columbia野生型)干种子为材料,利用兰州重离子研究装置(HIRFL)产生的碳离子束对材料进行辐射处理,统计其存活率、根长、下胚轴长及每果荚种子数,以探讨不同传能线密度(Linear Energy Transfer,LET)的碳离子束辐照对拟南芥当代损伤效应的影响。结果表明,在相同LET辐射条件下,随着辐射剂量的增大,拟南芥的存活率、根长、下胚轴长度、每果荚种子数都呈现下降趋势。在相同剂量不同LET辐射处理情况下,随着LET的增大,存活率、根长、下胚轴长、每果荚种子数都显著下降,可见高LET辐射严重抑制了拟南芥的生长和发育。研究表明,当LET为50 keV/μm时,碳离子束辐射拟南芥干种子对应的最佳诱变剂量为200 Gy,为后续开展碳离子束辐射的诱变效率研究奠定了前期基础。 展开更多
关键词 碳离子束 拟南芥 LET 辐射诱变
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离子俘获的线性理论及其应用
16
作者 张闯 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 1998年第11期1050-1056,共7页
从线性理论出发,研究了电子束团在储存环里均匀分布和束团串两种情况下离子俘获的条件;在离子系统里引入Twiss参量,推导出电子束团串俘获离子的阈值流强的公式;并以此讨论北京正负电子对撞机(BEPC)在同步辐射专用运行时观察到的... 从线性理论出发,研究了电子束团在储存环里均匀分布和束团串两种情况下离子俘获的条件;在离子系统里引入Twiss参量,推导出电子束团串俘获离子的阈值流强的公式;并以此讨论北京正负电子对撞机(BEPC)在同步辐射专用运行时观察到的电子束流现象,提出采用束团串运行来克服BEPC中的束流寿命下降. 展开更多
关键词 离子俘获 束流寿命 线性理论 Twiss参量 储存环
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BEPC上离子引起的耦合束团不稳定性分析
17
作者 罗云 国智元 张闯 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2001年第3期258-263,共6页
对在北京正负电子对撞机 (BEPC)上观测到的由离子引起的电子束二极耦合束团不稳定性的实验数据作了分析处理 ,给出了这种二极耦合束团不稳定性的边带 .首先用离子俘获的线性两束流理论定量计算了离子引起的二极耦合束团不稳定性发生的... 对在北京正负电子对撞机 (BEPC)上观测到的由离子引起的电子束二极耦合束团不稳定性的实验数据作了分析处理 ,给出了这种二极耦合束团不稳定性的边带 .首先用离子俘获的线性两束流理论定量计算了离子引起的二极耦合束团不稳定性发生的阈值束流流强和不稳定性的增长时间 ,然后用基于束流 -离子强弱作用模型的模拟程序跟踪了在实验情况下束流与离子的相互作用过程 ,跟踪结果成功地再现了离子引起的二极耦合束团不稳定性边带 。 展开更多
关键词 离子俘获 耦合束团不稳定性 线性两束流理论 强弱作用模型 中国 日本 BEPC 北京正负电子对撞机 PEI SPBPM
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