1
|
LEC法生长高质量6英寸InP单晶 |
邵会民
孙聂枫
张晓丹
王书杰
刘惠生
孙同年
康永
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2020 |
3
|
|
2
|
LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究 |
李璐杰
程红娟
张颖武
于凯
|
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
1
|
|
3
|
LEC-GaSb单晶生长技术研究 |
于凯
李璐杰
程红娟
张颖武
|
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
1
|
|
4
|
双坩埚LEC法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟 |
王正乾
李明伟
徐赟瑜
王晓丁
|
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
0 |
|
5
|
半绝缘LEC-InP中Fe杂质浓度的分布均匀性 |
黄子鹏
杨瑞霞
孙聂枫
王书杰
陈春梅
田树盛
|
《半导体技术》
CAS
北大核心
|
2020 |
0 |
|
6
|
富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究 |
刘志国
杨瑞霞
杨帆
王阳
王书杰
孙同年
孙聂枫
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2013 |
1
|
|
7
|
磷化铟单晶生长中的传热和流动分析 |
李明伟
陈淑仙
王凭青
|
《工程热物理学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
|
|
8
|
InP单晶材料性能及制备方法 |
张伟才
韩焕鹏
杨静
|
《电子工业专用设备》
|
2018 |
2
|
|
9
|
富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性 |
韩应宽
杨瑞霞
孙聂枫
王书杰
王阳
李晓岚
孙同年
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2016 |
2
|
|
10
|
无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性 |
冯银红
沈桂英
赵有文
刘京明
杨俊
谢辉
何建军
王国伟
|
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
|
2022 |
2
|
|
11
|
基于原位合成法的InP单晶炉合成装置设计 |
梁仁和
金艳
周世增
孙聂枫
|
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
|
2014 |
0 |
|