Characteristics of n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm

n-InAs/p-InAsSb heterojunctions with a cutoff wavelength of 4.8 μm were successfully grown by one-step liquid phase epitaxy （LPE） tech-nology. Scanning electron microscopy （SEM） images and X-ray diffraction （XRD） patterns showed the mirror smooth surface, flat interface, and good crystalline quality of the heterojunctions. Fourier transform infrared （FTIR） transmittance spectra exhibited that the cutoff wave-lengths of InAsSb epilayers reach 4.8 μm. The standard current-voltage （I-V） characteristics with a high differential-resistance-area-product at zero bias （R0A） of 1.02×10-1 Ωcm2 at room temperature indicate that the fine p-n junctions have been obtained.

中国电科11所碲镉汞薄膜材料制备技术进展

碲镉汞材料具有响应速度快、量子效率高、带隙连续可调等优点,广泛应用于红外探测领域,本文报道了近年来中国电科11所在碲镉汞薄膜材料制备方面的技术进展。在碲锌镉衬底材料制备方面,已突破Φ135mm碲锌镉晶体生长技术,碲锌镉衬底平均位错腐蚀坑密度(EPD)<1×10^(4)cm^(-2),具备了80mm×80mm规格碲锌镉衬底的批量生产能力。在液相外延碲镉汞薄膜制备方面,富碲水平液相外延碲镉汞薄膜平均位错腐蚀坑密度EPD<4×10^(4)cm^(-2),具备80mm×80mm规格碲镉汞薄膜的制备能力;富汞垂直液相外延实现高质量双层异质结碲镉汞薄膜材料批量化制备,该种材料的半峰宽(FWHM)控制在(20~40)arcsec范围内,碲镉汞薄膜厚度极差≤±06μm。在分子束外延碲镉汞薄膜方面,实现了6 in硅基碲镉汞材料制备,组分标准偏差≤00015,表面宏观缺陷密度≤100cm^(-2);碲锌镉基碲镉汞材料已具备50mm×50mm制备能力,组分标准偏差为0002,厚度标准偏差为0047μm。从探测器验证结果来看,基于富碲水平液相外延碲镉汞薄膜实现了1 k×1 k、2 k×2 k等规格红外焦平面探测器的工程化制备;采用双层异质结碲镉汞薄膜实现了高温工作、长波及甚长波探测器的制备;使用分子束外延制备的碲镉汞薄膜实现了27 k×27 k、54 k×54 k、8 k×8 k等规格红外焦平面探测器研制,在宇航领域有巨大的应用潜力。

高质量碲镉汞双层异质结材料制备

本文重点介绍了富汞垂直液相外延技术,在对该技术进行研究时,提出了一种温场优化方法和一种生长方法来提升材料质量和工艺稳定性。最后介绍基于双层异质结材料采用台面结器件加工等碲镉汞探测器组件制备方法,制备中波、长波和甚长波碲镉汞探测器组件的进展情况。

HgCdTe组分异质结的生长与表征

采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.

半导体异质结的发展及其性质的讨论

本文介绍了有关半导体异质结的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,其次以典型的GaAlAs双异质结LED中的异质结结构为例,介绍了异质结的主要物理性质,最终以异质结新技术为出发点,展望异质结技术发展的新方向。

Z-型异质结光催化剂的设计、 制备和应用研究进展

传统异质结具有扩大光响应范围、促进载流子分离的优点,但存在氧化-还原能力不够的问题。Z-型异质结是根据自然界植物光合作用模拟的人工光合作用而提出的,相对于单一光催化剂与传统异质结光催化剂具有能有效分离电子空穴对、减少复合几率、保留强氧化-还原活性位点、扩大光响应范围、提高光催化活性等优点。文中综述了近年来,液相Z-型异质结光催化剂、全固态Z-型异质结光催化剂、直接Z-型异质结光催化剂的反应机理、构建方法与在光解水产氢、CO2还原、有机物的降解、水中重金属离子的还原等应用方面的研究进展。并对比几类Z-型异质结光催化剂的特点,提出了Z-型光催化体系发展的未来挑战和前景。

二维ReS_(2)/TiO_(2)异质结薄膜的制备及其光电催化性能

本研究利用TiO_(2)的前驱体在FTO上旋涂一层种子溶液,退火后用水热法使TiO_(2)籽晶垂直生长成纳米棒阵列。随后采用液相剥离法(LPE)制得二维ReS2材料,并用滴涂法将二维ReS2滴涂到TiO_(2)纳米棒阵列形成ReS_(2)/TiO_(2)异质结。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电催化测试等分析表征了所制备材料和结构的晶型,形貌及其光电化学性能。结果表明,当负载量在约0.1 mg/cm^(2)时,ReS_(2)/TiO_(2)异质结有着最强的光电流1.5 mA/cm^(2),是纯TiO_(2)纳米棒(0.03mA/cm^(2))的50倍,强烈的增强来源于ReS_(2)/TiO_(2)异质结构形成能可有效地拓宽TiO_(2)的吸光范围,并且促进光生载流子的有效分离和提高光电催化性能。

高亮度GaAlAs双异质结发光管

报道了我们在高亮度 GaAlAs 红色发光管方面的最新成果。在一套完整的液相外延工艺基础上,我们采用一种新型的石墨舟结构,通过适当地选择掺杂源,有效地控制了各层的铝组分,并且明显地改善了结晶质量,研制出了波长为670 nm,在 I=20 mA 室温条件下,光输出约30 mcd 的 GaAlAs/GaAs 双异质结发光管管芯。