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Nanofabrication of 50 nm zone plates through e-beam lithography with local proximity effect correction for x-ray imaging 被引量:3
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作者 Jingyuan Zhu Sichao Zhang +8 位作者 Shanshan Xie Chen Xu Lijuan Zhang Xulei Tao Yuqi Ren Yudan Wang Biao Deng Renzhong Tai Yifang Chen 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第4期456-461,共6页
High resolution Fresnel zone plates for nanoscale three-dimensional imaging of materials by both soft and hard x-rays are increasingly needed by the broad applications in nanoscience and nanotechnology.When the outmos... High resolution Fresnel zone plates for nanoscale three-dimensional imaging of materials by both soft and hard x-rays are increasingly needed by the broad applications in nanoscience and nanotechnology.When the outmost zone-width is shrinking down to 50 nm or even below,patterning the zone plates with high aspect ratio by electron beam lithography still remains a challenge because of the proximity effect.The uneven charge distribution in the exposed resist is still frequently observed even after standard proximity effect correction(PEC),because of the large variety in the line width.This work develops a new strategy,nicknamed as local proximity effect correction(LPEC),efficiently modifying the deposited energy over the whole zone plate on the top of proximity effect correction.By this way,50 nm zone plates with the aspect ratio from 4:1 up to 15:1 and the duty cycle close to 0.5 have been fabricated.Their imaging capability in soft(1.3 keV)and hard(9 keV)x-ray,respectively,has been demonstrated in Shanghai Synchrotron Radiation Facility(SSRF)with the resolution of 50 nm.The local proximity effect correction developed in this work should also be generally significant for the generation of zone plates with high resolutions beyond 50 nm. 展开更多
关键词 FRESNEL zone PLATES electron beam LITHOGRAPHY local proximity effect correction x-ray imaging 50 NM resolution
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电子束光刻的快速邻近效应校正 被引量:3
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作者 宋会英 张玉林 +1 位作者 于肇贤 郝慧娟 《微细加工技术》 EI 2007年第3期1-5,64,共6页
提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型。首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代。在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关... 提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型。首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代。在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关键点产生的有效曝光剂量,将整个曝光块近似为一个大像点,以计算全局曝光窗口中的曝光图形对关键点产生的有效曝光剂量,实现了快速图形尺寸校正。在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度。 展开更多
关键词 邻近效应校正 局部曝光窗口 全局曝光窗口 关键点
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电子束光刻技术与图形数据处理技术 被引量:13
3
作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第6期345-352,共8页
介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转... 介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。 展开更多
关键词 电子束直写(EBDW) 电子束邻近效应校正(EPC) 匹配与混合光刻 图形数据处理 L-Edit图形编辑器
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三维结构的邻近效应校正 被引量:1
4
作者 郝慧娟 张玉林 +1 位作者 卢文娟 宋会英 《微细加工技术》 EI 2006年第4期5-9,33,共6页
针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正。水平方向通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,使所需参数可以通过查表获得,快速、准确地实现了邻近效应校正,深度方向的校正则是从... 针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正。水平方向通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,使所需参数可以通过查表获得,快速、准确地实现了邻近效应校正,深度方向的校正则是从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。利用SDS-3电子束曝光机完成了校正实验。AFM图显示,邻近效应已大大降低,可满足三维加工精度的要求。所提出的扫描方式和校正方法为电子束曝光的三维加工和邻近效应校正提供了一种新方法。 展开更多
关键词 图形发生器 电子束光刻 三维加工 邻近效应校正
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电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究
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作者 赵真玉 宋会英 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2011年第7期118-122,共5页
本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小,对计算精度影响大,采用累积求和的方法... 本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制。局部曝光窗口的区域小,对计算精度影响大,采用累积求和的方法进行精确计算;全局曝光窗口区域大,对计算精度影响小,采用大像点近似的方法进行计算,从而更快速地实现邻近效应校正。该技术的应用,满足了校正精度和运算速度两方面的要求。实验结果与模拟结果一致,表明通过采用局部曝光窗口和全局曝光窗口机制,能够快速地实现相互邻近效应校正,在校正精度相同的情况下,有效提高了运算速度。 展开更多
关键词 电子束光刻 邻近效应校正 有效曝光剂量 局部曝光窗口 全局曝光窗口
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电子束光刻研制高分辨X射线波带片透镜最新进展 被引量:4
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作者 陈宜方 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期74-88,共15页
首先综述了当前X射线透镜的分辨率和效率的水平,预测并讨论了发展我国波带片透镜、赶超国际先进水平的技术路径图。在原有100 nm分辨率波带片和会聚透镜工艺基础上,综述了电子束光刻结合金电镀进一步发展30~70 nm分辨率的X射线波带片的... 首先综述了当前X射线透镜的分辨率和效率的水平,预测并讨论了发展我国波带片透镜、赶超国际先进水平的技术路径图。在原有100 nm分辨率波带片和会聚透镜工艺基础上,综述了电子束光刻结合金电镀进一步发展30~70 nm分辨率的X射线波带片的最新进展。在研发30 nm分辨率的波带片中,电子束光刻中的邻近效应严重限制了波带高宽比,而现有商业软件(基于蒙特卡罗模型和显影动力学)的邻近效应修正在同时处理从微米到30 nm的各种图形时效果甚微。为此,本团队针对70 nm分辨率的硬X射线波带片采用了图形修正法,实现了20:1的波带高宽比,针对50 nm分辨率的硬X射线波带片采用了分区域修正法,获得了15:1的波带高宽比;30 nm波带片透镜的金属化摒弃了传统的直流电镀工艺,采用脉冲金电镀,实现了金环均匀电沉积,成功研制了30 nm分辨率的软X射线波带片透镜和30~100 nm的大高宽比分辨率测试卡。所有研制的波带片透镜在上海同步辐射装置得到了X射线光学成像验证。 展开更多
关键词 X射线光学 X射线波带片透镜 X射线显微成像系统 电子束光刻纳米加工 30 nm分辨率 分区域/图形法邻近效应修正 脉冲金电镀工艺
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