FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应*

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03%/(A.m-1).采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应.

纵向驱动巨磁阻抗效应的解释

测定了Fe73 Cu1 Nb1 .5V2 Si1 3 .5B9纳米微晶带纵向驱动磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的曲线 .从相频曲线的峰位可确定出样品趋肤效应的临界频率 .从临界频率随外磁场的变化 ,解释了纵向驱动巨磁阻抗效应与趋肤效应的关系 .从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律得出 ,低频纵向驱动巨磁阻抗效应是磁电感效应 ,与磁损耗相应的 μ″随外磁场的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因 .

磁偶极作用对铁基纳米晶条带LDGMI效应的影响

研究了多片Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶条带的磁滞回线、纵向巨磁阻抗(Longitudinal Driven Giant Magneto-Impedance,LDGMI)效应及阻抗相位角的变化规律.研究发现,样品各向异性场随纳米晶条带片数线性增加,LDGMI曲线的"平台"宽度也线性展宽,这是相邻纳米晶条带的磁偶极相互作用导致的.同时,发现驱动场大小、频率对样品LDGMI曲线的"平台"宽度有调制作用,其肩宽场随驱动场频率的增加而增大以及随驱动场增强而减小.因此,本工作对多磁芯LDGMI器件的研制具有重要参考价值.