低Q值匹配网络超宽带低噪声放大器设计

提出了一种基于低Q值匹配网络的超宽带低噪声放大器(LNA)的设计方法。该方法将LC滤波电路加入偏置电路中,以降低系统噪声同时调节匹配网络Q值;通过选择合适的反馈回路,提高LNA的带宽并调节匹配网路Q值;利用匹配电路结构及优化的Q值,解决了放大器频带窄、噪声高、增益低的问题。测试结果表明,在频段1.5 GHz^2.5 GHz内,其纹波特性低于1 dB,增益达到25 dB。将实测结果与仿真结果相比较,验证了该设计方法的合理性,与传统LNA设计方法相比,采用低Q值匹配网络的设计方法结构简单、性能优越,具有广泛的应用价值。

基于GaAs HBT的J类射频功率放大器

基于2μm GaAs HBT工艺,设计了一种工作于1.8~2.0 GHz的射频功率放大器。该功率放大器采用两级放大结构,功率级选用具有良好线性度和效率的J类功率放大器。输出匹配电路采用电容电感组成的两级网络来实现低Q值匹配,拓宽了宽带性能。在驱动级输入端偏置处添加模拟预失真,进一步改善了幅相特性。电源电压为3.3 V,偏置电压为3.4 V。采用ADS软件对该功率放大器进行仿真。结果表明,在1.8~2.0 GHz频率范围内,饱和功率为30.2 dBm,1 dB压缩点输出功率为29.5 dBm,小信号功率增益为32 dB,功率附加效率高于46%。

S波段GaN MMIC功率放大器的设计

针对宽带单片微波集成电路(MMIC)功率放大器在匹配过程中存在电路枝节复杂、优化周期较长的问题,采用了低Q值多节LC匹配网络的方法,并结合阻抗在Smith圆图上的变化趋势,能快速确定输出级阻抗匹配网络的结构。基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计了一种S波段MMIC功率放大器。采用多节LC电抗匹配单元,快速准确地设计了匹配电路,简化了电路设计流程。仿真结果表明,在2～4GHz工作频率范围内,输出功率大于38dBm,功率附加效率为29%～48.8%,功率增益为19.0～20.4dB,S11小于-7.7dB,S22小于-9.2dB。芯片尺寸为3mm×1.7mm。该功率放大器具有较高的实用价值。