有机-无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物闪烁体研究进展

近年来,有机-无机杂化金属卤化物材料由于其优异的光电性质引起了研究人员的广泛关注。其中低维铜(Ⅰ)基卤化物作为高效发光材料的代表,在照明与显示、辐射探测等领域表现出良好的应用前景。有机无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物的组成和结构丰富多变,给研究人员提供了巨大的研究空间。本文综述了有机-无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物作为发光材料的研究进展,并以[CuX_(n)](X=Cl,Br,I)结构单元及其连接方式为依据,对离子型有机-无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物进行了系统的分类,总结了其组成-结构-性质之间的构效关系。讨论了有机-无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物的发光机制和光物理过程,并重点归纳了用于X射线探测的有机-无机杂化铜(Ⅰ)基卤化物闪烁体的最新进展。最后,对这一新兴的研究领域做出了展望。

Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光

由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%。在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。

利用Langmuir-Blodgett膜技术制备低维层状的纳米无机氧化物异质结构材料

Langmuir-Blodgett(LB)膜是一种能够比较准确地控制双亲分子在薄膜中的有序排列的界面自组装技术。近年来随着自组装、纳米和超分子科学和技术的发展,人们利用LB技术在气液界面控制和组装了多种由无机纳米材料和有机-无机杂化材料构成的异质结构和低维层状结构。本文以几种常见的无机纳米氧化物(SiO_2、TiO_2、ZnO和Fe_3O_4等)为例,总结了这些纳米无机氧化物LB膜的制备方法、微观形貌、物理化学性质和可能的应用前景。

有机分子插层调控二维关联电子系统的研究进展

在采用机械解理方法制备的二维关联电子系统薄层样品中,人们观察到了丰富的新奇物性.发展新的宏观二维块材制备方法,有可能在块体材料中发现与薄层样品类似的新奇物性.结合传统的表征手段,可以进一步地加深对低维系统的理解,并将这些新奇物性推向潜在的应用领域.本文将介绍一类有机分子插层调控二维关联电子系统的方法,重点介绍层状结构材料在有机分子插层后结构和物理性质的变化,分析其演化过程.文章将介绍有机分子插层法在热电、磁性、电荷密度波和超导电性等物性调控方面的研究进展.

改性二硫化钼电催化析氧研究进展

为了解决能源危机问题,提出了电解水技术开发清洁可持续氢能的终极途径。电催化析氧反应(oxygen evolution reaction,OER)是电解水制氢技术的瓶颈,二硫化钼(MoS_(2))在电化学OER方面得到广泛研究,然而其析氧过电位普遍高于300 mV,限制了其应用。对MoS_(2)材料用于OER的最新发展进行了论述和总结,分析了本征MoS_(2)材料、金属掺杂、异质材料等改性策略及结果,提出了MoS_(2)基催化剂在全pH介质OER研究中存在的问题,展望了OER催化剂未来的发展趋势,给出了合理设计和高效改性催化剂的思路。

氧化石墨烯的变温发光

根据光致发光光谱和吸收光谱研究了氧化石墨烯(GO)的发光性能。结果表明,GO的发光源于片层内的sp^(2)C团簇。sp^(2)C团簇被高势垒的氧化官能团(sp^(3)C)包围,形成了多量子阱结构。GO内有不同尺寸的sp^(2)C团簇,其带隙与尺寸相关,尺寸越小带隙越宽,使发光覆盖范围较宽并依赖激发波长。还改变激发波长和温度,根据发光光谱研究了GO中不同局域态的发光行为。结果表明,514 nm激发的sp^(2)C团簇的热激活能比830 nm激发的高56 MeV。温度对较小尺寸sp^(2)C团簇的影响较小,因为尺寸越小限域效应越强,使电子空穴对的辐射跃迁几率提高。