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光电晶体管基区分布电阻的计算
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作者 方龙森 《应用科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期69-78,共10页
给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的... 给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425∶1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管. 展开更多
关键词 光电晶体管 基区 电阻 低噪声
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