低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni_(80)Fe_(20)/Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20／Cu由金属多层膜.在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化．在Cu层厚度tcu＝1．0nm，2．2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19．4％和11．7％，饱和场约为6．4×104A／m和8×103A／m，低温下（77K）磁电阻为对33.2％和27.6％．系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响．用真空退火方法对样品进行热处理，发现多层膜的磁电阻性能有明显改变．

多层膜巨磁电阻特性及电流最佳测量

测量了不同方向外磁场和温度下多层膜巨磁电阻的磁阻特性,给出了巨磁电阻模拟传感器用于电流测量的最佳磁偏置.结果表明:外磁场强度相同但方向不同,对巨磁电阻的作用效果不同,巨磁电阻饱和时,阻值与外磁场方向无关.温度不同,巨磁电阻的阻值不同,磁电阻变化率也有改变.