不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性

为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。

基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成为目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中,玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产的LTPS玻璃基板的优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。

低温多晶Si TFT-LCD技术

介绍了大面积低温多晶Si薄膜晶体管液晶显示技术的发展水平。最近 ,低温多晶Si薄膜晶体管业已取得很大进展 ,比如高质量多晶Si薄膜的受激准分子激光退火 (激光再结晶 )工艺 ,大面积掺杂用离子掺杂工艺 ,以及低温原子团簇射式化学汽相沉积工艺。

过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。

基于低温多晶硅-氧化物半导体混合集成的薄膜晶体管显示背板技术

低温多晶硅-氧化物半导体混合集成(Low temperature polycrystalline silicon and oxide,LTPO)的薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)背板技术融合了低温多晶硅和氧化物半导体TFT两者的优势,为低功耗、高性能显示以及功能化集成提供了新的发展机遇,获得了产业界和学术界的广泛关注。本文系统地总结和分析了LTPO相关技术与应用的研究进展以及面临的技术挑战。首先,讨论了分别针对液晶显示(Liquid crystal display,LCD)和有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)显示的LTPO背板的集成方式,进一步总结分析了实现LTPO集成的器件结构和工艺挑战。此外,针对有源矩阵OLED显示,分析了LTPO技术用于设计兼容低帧率和高帧率驱动、具有内部补偿功能的像素电路的优势,以及在超低帧率(如1 Hz)驱动情况下,TFT器件稳定性带来的影响和相关的补偿驱动方法。最后,对LTPO技术进一步发展的可能趋势进行了展望。

对低温多晶硅液晶显示器市场的评估

低成本高性能显示器是一项长期的技术挑战。由于低温多晶硅技术有很多优点，可制造高性能的薄膜晶体管，从而能得到高清晰度高亮度和低功耗的显示器。本文通过对液晶显示器市场的分析，展望低温多晶硅技术的应用前景。同时对低温多晶硅与非晶硅作了成本对比。