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1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合
1
作者
夏瑞东
常悦
庄蔚华
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第7期545-548,共4页
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μ...
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＨ激光器Ｔ０值的主要因素。
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关键词
auger
复合
ingaasp
dh
激光器
原文传递
双异质结激光器的Auger复合分析
被引量：
1
2
作者
夏瑞东
常悦
庄蔚华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期112-115,共4页
本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。
关键词
双异质结激光器
漏泄
发光带
auger
复合
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职称材料
题名
1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合
1
作者
夏瑞东
常悦
庄蔚华
机构
首都师范大学物理系
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第7期545-548,共4页
文摘
报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＨ激光器Ｔ０值的主要因素。
关键词
auger
复合
ingaasp
dh
激光器
Keywords
m ingaasp/inp dh laser
,
auger compound
,
0.95
μm
luminous
,To,
leakage
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
双异质结激光器的Auger复合分析
被引量：
1
2
作者
夏瑞东
常悦
庄蔚华
机构
首都师范大学物理系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期112-115,共4页
文摘
本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。
关键词
双异质结激光器
漏泄
发光带
auger
复合
Keywords
m ingaasp/inp dh laser
,
leakage
,
0.95μm luminous strip
,
auger compound
,
carrier
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合
夏瑞东
常悦
庄蔚华
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
原文传递
2
双异质结激光器的Auger复合分析
夏瑞东
常悦
庄蔚华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
1
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