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High-Voltage MOSFETs in a 0.5μm CMOS Process
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作者 赵文彬 李蕾蕾 于宗光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1268-1273,共6页
There is growing interest in developing high-voltage MOSFET devices that can be integrated with low-voltage CMOS digital and analog circuits. In this paper,high-voltage nand p-type MOSFETs are fabricated in a commerci... There is growing interest in developing high-voltage MOSFET devices that can be integrated with low-voltage CMOS digital and analog circuits. In this paper,high-voltage nand p-type MOSFETs are fabricated in a commercial 3.3/ 5V 0.5μm n-well CMOS process without adding any process steps using n-well and p-channel stops. High current and highvoltage transistors with breakdown voltages between 23 and 35V for the nMOS transistors with different laydut parameters and 19V for the pMOS transistors are achieved. This paper also presents the insulation technology and characterization results for these high-voltage devices. 展开更多
关键词 high-voltage mOSFET low-voltage mOSFET 0.5μm cmos process embedded manufacture technology
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Δ<i>I<sub>DDQ</sub></i>Testing of a CMOS Digital-to-Analog Converter Considering Process Variation Effects
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作者 Rajiv Soundararajan Ashok Srivastava Siva Sankar Yellampalli 《Circuits and Systems》 2011年第3期133-138,共6页
In this paper, we present the implementation of a built-in current sensor (BICS) which takes into account the increased background current of defect-free circuits and the effects of process variation on ΔIDDQ testing... In this paper, we present the implementation of a built-in current sensor (BICS) which takes into account the increased background current of defect-free circuits and the effects of process variation on ΔIDDQ testing of CMOS data converters. A 12-bit digital-to-analog converter (DAC) is designed as the circuit under test (CUT). The BICS uses frequency as the output for fault detection in CUT. A fault is detected if it causes the output frequency to deviate more than ±10% from the reference frequency. The output frequencies of the BICS for various (MOSIS) model parameters are simulated to check for the effect of process variation on the frequency deviation. A set of eight faults simulating manufacturing defects in CMOS data converters are injected using fault-injection transistors and tested successfully. 展开更多
关键词 IDDQ TESTING DAC BicS Sub-micron cmos ic ΔIDDQ TESTING process Variation Background Current
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亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究 被引量:1
3
作者 王万业 徐征 刘逵 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期355-356,361,共3页
自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择... 自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。 展开更多
关键词 亚微米集成电路 VLSI制造 自对准硅化物 硅化物 cmos器件 ic工艺
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基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路 被引量:5
4
作者 朱朝晖 任俊彦 徐鼎 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期130-132,共3页
介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。
关键词 cmos工艺 ic ESD保护电路 集成电路
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LV/HV兼容Twice-Well CMOS芯片与制程结构 被引量:2
5
作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第9期47-51,共5页
LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V^700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用MOS芯片结构设计、工艺与制造技术... LV/HV兼容Twice-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100 V^700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用比通常浅双阱更深的阱,形成其漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。采用MOS芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 展开更多
关键词 集成电路制造工艺 偏置栅结构 LV/HV兼容Twice-Well cmos芯片结构 制程剖面结构
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Experimental Investigation on Finishing Technology by Magnetostrictive Ultrasonic Vibration of Magnetic Liquid
6
作者 陈善飞 顾邦明 +1 位作者 王正才 王正良 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2010年第3期166-170,共5页
Magnetic liquid can produce alternative internal pressure under the alternative high-frequency gradient magnetic field.Because it has higher bulk modulus,the internal pressure results in its volume change.Using piezoe... Magnetic liquid can produce alternative internal pressure under the alternative high-frequency gradient magnetic field.Because it has higher bulk modulus,the internal pressure results in its volume change.Using piezoelectric transducers,the ultrasonic wave generated by the vibration of magnetic liquids can be detected,which shows that the magnetic liquids have the magnetostrictive effect and can generate the ultrasonic vibration under the alternative magnetic gradient field.Some nonmagnetic abrasives and rust-proofing agents can be mixed into the magnetic liquids,under the alternative magnetic field,the abrasives held by magnetic liquids grind the surface of the workpieces,and thus,the finishing for the surface with complex shape,mold cavity and inner wall of tiny tubes can be realized. 展开更多
关键词 materials synthesis and processing technology FINISHING magnetic liquid mAGNETOSTRicTIVE ultrasonic vibration
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应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计 被引量:6
7
作者 吴翔 邓芳明 +1 位作者 何怡刚 丁青锋 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第2期106-108,112,共4页
针对融合射频识别(RFID)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,... 针对融合射频识别(RFID)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,再通过计数器,将频率信号转换为数字信号。传感器电路利用MOS管工作在亚阈值区,并采用动态阈值技术获得超低功耗。测试结果显示:所设计的温度传感器仅占用0.051 mm2,功耗仅为101 n W,在0~100℃范围内误差为-1.5~1.2℃。 展开更多
关键词 温度传感器 射频识别技术 互补金属氧化物半导体工艺
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基于CMOS传感器的智能循迹小车图像识别技术研究 被引量:25
8
作者 王子辉 叶云岳 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期484-488,共5页
介绍了一种以Freescale公司HCS12单片机为核心控制单元的智能自循迹小车系统。为了使小车能沿既定轨迹快速行进,需要有灵敏的转向和快速的加减速响应,这取决于快速有效的图像提取和处理技术。该系统利用CMOS黑白摄像头获取图像对跑道路... 介绍了一种以Freescale公司HCS12单片机为核心控制单元的智能自循迹小车系统。为了使小车能沿既定轨迹快速行进,需要有灵敏的转向和快速的加减速响应,这取决于快速有效的图像提取和处理技术。该系统利用CMOS黑白摄像头获取图像对跑道路径进行识别,获得合适的轨迹参数,并通过图像滤波整形、轨迹提取、模糊控制、道路记忆等优化算法实现对舵机和驱动电机的精确控制,从而使得行进中的小车具有良好的转向调节能力和加减速响应。实验结果表明,该套设计方案简单可靠,具有较好的动态性能和鲁棒性,能使小车在风云变幻的大赛中跑出令人满意的成绩。 展开更多
关键词 图像处理 图像识别技术 采样与滤波算法 图像还原 cmos摄像头
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一种2μmp阱CMOS工艺 被引量:1
9
作者 蒋志 王勇 华光平 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第2期51-55,共5页
本文介绍了我们开发的2μmp阱CMOS工艺,包括不同工艺方案的设计,主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比,最后给出我们选定的2μmp阱CMOS工艺方案及主要电学参数。
关键词 2微米工艺 cmos技术 工艺 集成电路
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2μmp阱CMOS工艺中提高源-漏穿通电压的方法 被引量:1
10
作者 蒋志 王勇 赵海军 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期31-33,共3页
采用防穿通注入的工艺方案,对提高2μmpMOS管的源漏穿通电压应选用的工艺条件做了实验研究。给出了加防穿通注入工艺的实验结果及其对V_(Tp)的影响。
关键词 cmos 工艺 源漏穿通电压 mp阱
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应用QFN封装的CMOS运算放大器芯片设计 被引量:1
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作者 陈宏 杨树 +1 位作者 郭清 刘立 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2022年第4期103-106,共4页
设计了一种提高晶圆利用率和产出的小尺寸CMOS运算放大器贴片封装工艺。采用两级放大电路实现大功率输出,按照CMOS制造工艺要求,在16μm×16μm设计折叠型7层版图的集成电路,按照QFN封装的特点增加散热能力。测试结果证明,该设计电... 设计了一种提高晶圆利用率和产出的小尺寸CMOS运算放大器贴片封装工艺。采用两级放大电路实现大功率输出,按照CMOS制造工艺要求,在16μm×16μm设计折叠型7层版图的集成电路,按照QFN封装的特点增加散热能力。测试结果证明,该设计电性能好,达到CMOS制造工艺的技术要求。这种创新设计的版图面积和芯片体积小、质量轻、集成度高,可降低芯片的工业制造成本,对解决晶圆利用率低和产出低的问题具有实践价值。 展开更多
关键词 芯片设计 集成电路 cmos工艺 封装 运算放大器
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先进制造技术之——IC与MEMS制造技术及其发展趋势 被引量:3
12
作者 王志越 《电子工业专用设备》 2002年第4期187-195,共9页
概述了集成电路 (IC)生产的基本工艺流程及其关键设备的国际国内水平 ,展望了IC制造工艺设备的发展趋势 ;同时介绍了微电子机械系统 (MEMS)的用途。
关键词 ic mEmS 制造技术 发展趋势 工艺技术 现状 集成电路 微电子机械系统
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《半导体制造技术之CMOS工艺集成》双语教学浅谈
13
作者 吕品 邱巍 岳成君 《教育教学论坛》 2017年第11期213-214,共2页
"半导体制造技术"是电子科学与技术专业的主干课程之一。本文首先分析了"半导体制造技术"双语教学中存在的问题,然后重点详述了该课程双语教学的教学实践,最后对其未来的发展进行了初步探讨。
关键词 双语教学 半导体制造技术 cmos工艺集成
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基于CMOS工艺的集成电路实验教学探索
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作者 陈宏 郭清 +1 位作者 刘立 杨树 《无线互联科技》 2020年第21期164-166,共3页
为了培养率集成电路技术人才,文章在集成电路实验教学中,提出基于CMOS工艺设计集成电路的教学内容,理论联系实践,分析集成电路原理、综合CMOS工艺流程、完成集成电路设计任务。在反相器实验教学实践中证明,基于CMOS工艺的集成电路实验教... 为了培养率集成电路技术人才,文章在集成电路实验教学中,提出基于CMOS工艺设计集成电路的教学内容,理论联系实践,分析集成电路原理、综合CMOS工艺流程、完成集成电路设计任务。在反相器实验教学实践中证明,基于CMOS工艺的集成电路实验教学,使学生加深理解CMOS工艺和集成电路功能实现之间的联系,不仅激发了学生的专业兴趣,提高了教学质量,取得良好的教学效果,而且对于培养学生在集成电路技术方面的创新实践和科研能力具有重要的实践意义。 展开更多
关键词 集成电路 cmos工艺 实践教学 创新能力
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简析0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程
15
作者 邵春声 《常州工学院学报》 2009年第1期37-40,44,共5页
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。
关键词 集成电路制造工艺 cmos反相器 PmOS NmOS
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基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源 被引量:3
16
作者 杨晗 侯晨琛 +2 位作者 钟泽 谢家志 廖书丹 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第1期1-4,共4页
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过... 采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度补偿效果的基准输出电压。仿真结果表明,电路可工作在1.1 V到1.5 V电压范围内;在-55℃~160℃范围内,电压基准的温度系数可达5.9×10^(-6)/℃;在1.2 V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为10μW和273.5 mV。 展开更多
关键词 65 nm cmos工艺 亚阈区 电流镜技术 2阶温度补偿
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薄栅氧高压CMOS器件研制
17
作者 刘奎伟 韩郑生 +4 位作者 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期568-572,共5页
研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 ... 研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 . 展开更多
关键词 0.5μm 高压cmos 高低压兼容 cmos工艺 驱动电路
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后摩尔时代先进CMOS技术 被引量:4
18
作者 金成吉 张苗苗 +3 位作者 李开轩 刘宁 玉虓 韩根全 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期32-40,共9页
随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入“后摩尔时代”。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状... 随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入“后摩尔时代”。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状及不足之处,分析了随着器件尺寸的减小,工艺技术的发展和其面临的挑战,为后摩尔时代集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点。 展开更多
关键词 集成电路 绝缘层上硅 鳍型场效应晶体管 环栅场效应晶体管 工艺技术
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40nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升 被引量:1
19
作者 王全 刘林林 冯悦怡 《集成电路应用》 2019年第8期37-39,共3页
随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高。而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升。研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数。经过版... 随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高。而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升。研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数。经过版图设计与出版流片,验证了40 nm低功耗工艺平台上截止频率可达217 GHz,在77 GHz频率增益超过10dB,是CMOS防撞系统射频前端芯片的工艺平台选择之一。 展开更多
关键词 工艺技术 cmos 射频 截止频率
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短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究
20
作者 赵少峰 易扬波 《电子器件》 CAS 2007年第2期373-375,共3页
利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CM... 利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.流片测试的阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求. 展开更多
关键词 短沟道 工艺模拟 铝栅cmos工艺
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