IC载板mSAP工艺的化学镀铜性能研究

mSAP工艺是在半加成法的基础上进行改良而得的一种制作精细线路的IC载板制作技术,随着轻薄化的发展及国产化趋势,IC封装载板在国内的需求也越来越大。本文介绍一种性能优异、高效、低应力及不含氰化物的环保型mSAP化学镀铜解决方案,实现了BT类载板的mSAP工艺金属化制程。研究了添加剂对化学镀铜结晶形貌的影响,同时介绍使用我司的化学镀铜和电镀药水进行BT类载板的孔金属化情况,并测试了其载板的可靠性。

3μm铜箔CO_(2)激光直接烧靶工艺研究

为满足印制电路板(PCB)线路等级需求,需要采用改进型半加成工艺(mSAP)并使用3μm及以下的附载体极薄铜箔。采用3μmmSAP工艺时,激光钻孔加工使用开窗流程。为保证对位精度,高精度曝光时抓取内层靶标来对位。利用CO_(2)激光加工的积热效应,验证了3μm铜箔CO_(2)激光直接烧靶的可行性,其中烧蚀靶标的激光叠孔设计和激光加工参数是影响烧靶效果的关键因子。通过研究输出了最优的叠孔设计方案和最适合的激光加工参数。结果表明,采用CO_(2)激光直接烧靶加工,凹点靶标和凸点靶标都可以100%满足高精度曝光抓取靶标的需求。

不同超薄铜箔制作精细线路的研究——针对MSAP工艺

随着物联网时代＆即时顾客定制化时代的到来，系统级封装（SIP，system in package）很好地解决了集成电路产业面临到的矛盾：可以用较低的成本进一步实现集成技术的提升，所以系统级封装被认为是下一代封装技术的主流。近两年随着智能手机大量采用SIP系统模组：BGA的封装ball pitch进一步缩小到0．35mm或0．30mm，原有HDI的布线密度己无法满足要求，必须采用30μm／30μm的布线密度才能实现，这种线路采用掩蔽工艺无法实现，必须采用MSAP（modified semi-additive process）工艺。文章针对MSAP（modified semi-additive process）工艺采用不同的超薄铜箔试验细线路制作能力：即便超薄铜箔厚度只差2μm-3μm，制作线路级别也有很大的差别。经过试验，结合电迁移老化的可靠性测试和不同线路级别的线宽公差来看：2μm薄铜箔可以实现30μm／30μm线路制作，而5μm只能实现45μm／45μm的线路制作，接近现有tenting工艺的制作水平。这意味着．对于MSAP（modified semiadditive process）而言，精度控制等级会进一步提升且需要严格控制，否则，失之毫厘则谬以千里。

超薄铜箔对精细线路制作的影响

在mSAP(改进型半加成法)工艺中,选择不同厚度的基铜对于蚀刻量有着很大的影响,而蚀刻量的大小会决定着线路补偿值,进而影响线路宽度和间距的设计。mSAP工艺常用的基铜厚度有:2μm、3μm和5μm。本文通过微切片、剥离强度测试以及扫描电子显微镜(SEM)来测试研究线路宽度补偿和基铜厚度之间的关系,同时确认出超薄铜箔对于线路可靠性的影响。

一种高密度互连产品制作技术的研究

HDI(高密度互连)产品广泛应用于各种电子产品领域,HDI产品不仅能满足更精密的布线格局,而且在电气性能、热传导等方面优于常规PCB产品。HDI产品常规的层间导通工艺是使用激光钻孔+电镀孔金属化来实现;线路制作工艺选择使用标准减成蚀刻法,线路制程能力只能达到50/50μm左右,无法达到更精密的PCB产品(IC载板、类载板等)加工要求。本次研究的高密度互连板制作技术包含铜柱导通工艺、SAP(半加成工艺)、MSAP(改良半加成工艺),适用于各种类型的HDI产品。对于制作孔上孔、孔盘合一等结构的产品较常规HDI制作工艺更有可靠性保证。本次研究的高密度互连板制作技术在加工性能(线宽线距可以达到30/30μm左右)及电气性能、热传导、平整度等可靠性方面有极大的提升。

浅谈真空二流体蚀刻设备在改良型半加成法工艺中的应用

随着电路板行业迅速发展,近几年越来越多的电路板厂引进了改良型半加成法(mSAP),而闪蚀(Flash etching)工艺则是其中一个关键环节,目前行业存在大部分蚀刻设备依然使用的普通蚀刻设备;文章着重对二流体真空蚀刻设备进行探究,具体通过三部分进行阐述,一是通过正交实验设计探究二流体段的气压与液压的最佳搭配;二是探究与对比分析真空段、二流体段与真空二流体闪蚀整线等三部分制作线路的线型和能力;三是探究真空二流体闪蚀设备制作不同线路(不同线宽/线距等级)的线型和能力。根据探究结果,二流体段的液压与气压需要在一定的比例搭配才能够制作到更好的线路,而真空段与二流体段搭配使用比真空段或者二流体段单独使用的制作线路效果更佳。