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影响旁路净化含油循环水达标时间的主要因素
1
作者
姚晓红
徐俊
+3 位作者
刘玉东
魏无际
张超
徐伟
《环境工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期183-187,共5页
基于循环冷却水旁路净化含油水的模拟装置,研究了旁路流速、各次料水比、旁路吸附塔填料换料时间间隔、吸附塔填料填装形式、系统温度对系统含油水浓度达标时间的影响。结果表明:净化达标时间随旁路流速的增加呈先减少后增加趋势,旁路...
基于循环冷却水旁路净化含油水的模拟装置,研究了旁路流速、各次料水比、旁路吸附塔填料换料时间间隔、吸附塔填料填装形式、系统温度对系统含油水浓度达标时间的影响。结果表明:净化达标时间随旁路流速的增加呈先减少后增加趋势,旁路流速为1.68×10-3m/s时,净化达标时间最短;选择适当的各次料水比1/2 400,保证较短的净化达标时间和较低的经济成本;换料时间间隔为△tn+1=1.2nh时,较其他方式更有效合理;吸油填料的填装形式为混合式,系统运行温度为35℃时,净化达标时间最短。
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关键词
循环冷却水
旁路净化
吸油填料
旁路流速
各次料水比
换料时间间隔
填装形式
温度
原文传递
CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展
2
作者
闫妹
檀柏梅
+2 位作者
王亚珍
李伟
纪金伯
《稀土》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期106-117,I0005,共13页
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互...
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互作用会大幅加快介质的去除率,但Ce—O—Si化学键的形成会导致CMP后清洗工艺的难度加大,因此,晶圆表面残余CeO_(2)磨料的有效去除被广泛关注。本文概述了CeO_(2)在二氧化硅CMP及后清洗工艺中的应用研究进展,并对CeO_(2)磨料的附着、去除机理进行了归纳分析。重点综述了复合磨料对CMP性能的影响以及水抛光工艺、物理及化学等方法的清洗效果。同时,对氧化铈作磨料的STI CMP及后清洗工艺中所面临的问题进行了总结,以期为其提供有价值的思考。
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关键词
氧化铈
浅沟槽隔离
化学机械抛光
Ce
3+浓度
复合磨料
材料去除速率
CMP后清洗
原文传递
题名
影响旁路净化含油循环水达标时间的主要因素
1
作者
姚晓红
徐俊
刘玉东
魏无际
张超
徐伟
机构
南京工业大学环境学院江苏省工业节水减排重点实验室
出处
《环境工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期183-187,共5页
基金
江苏省产学研前瞻性联合研究项目(BY2010102)
文摘
基于循环冷却水旁路净化含油水的模拟装置,研究了旁路流速、各次料水比、旁路吸附塔填料换料时间间隔、吸附塔填料填装形式、系统温度对系统含油水浓度达标时间的影响。结果表明:净化达标时间随旁路流速的增加呈先减少后增加趋势,旁路流速为1.68×10-3m/s时,净化达标时间最短;选择适当的各次料水比1/2 400,保证较短的净化达标时间和较低的经济成本;换料时间间隔为△tn+1=1.2nh时,较其他方式更有效合理;吸油填料的填装形式为混合式,系统运行温度为35℃时,净化达标时间最短。
关键词
循环冷却水
旁路净化
吸油填料
旁路流速
各次料水比
换料时间间隔
填装形式
温度
Keywords
circulating cooling water
bypass purification
oil sorbent
ma
terial
bypass flow
rate
ratio of
ma
-
terial
and water
time interval
filled form
temperature
分类号
X742 [环境科学与工程—环境工程]
原文传递
题名
CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展
2
作者
闫妹
檀柏梅
王亚珍
李伟
纪金伯
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《稀土》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期106-117,I0005,共13页
基金
国家科技重大专项项目(2016ZX02301003-004-007)
河北省自然科学基金项目(F2018202174)。
文摘
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互作用会大幅加快介质的去除率,但Ce—O—Si化学键的形成会导致CMP后清洗工艺的难度加大,因此,晶圆表面残余CeO_(2)磨料的有效去除被广泛关注。本文概述了CeO_(2)在二氧化硅CMP及后清洗工艺中的应用研究进展,并对CeO_(2)磨料的附着、去除机理进行了归纳分析。重点综述了复合磨料对CMP性能的影响以及水抛光工艺、物理及化学等方法的清洗效果。同时,对氧化铈作磨料的STI CMP及后清洗工艺中所面临的问题进行了总结,以期为其提供有价值的思考。
关键词
氧化铈
浅沟槽隔离
化学机械抛光
Ce
3+浓度
复合磨料
材料去除速率
CMP后清洗
Keywords
ceria
shallow trench isolation
chemical mechanical polishing
Ce^(3+)concentration
composite abrasive
ma⁃terial removal rate
CMP post⁃cleaning
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
影响旁路净化含油循环水达标时间的主要因素
姚晓红
徐俊
刘玉东
魏无际
张超
徐伟
《环境工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
原文传递
2
CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展
闫妹
檀柏梅
王亚珍
李伟
纪金伯
《稀土》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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