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影响旁路净化含油循环水达标时间的主要因素
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作者 姚晓红 徐俊 +3 位作者 刘玉东 魏无际 张超 徐伟 《环境工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期183-187,共5页
基于循环冷却水旁路净化含油水的模拟装置,研究了旁路流速、各次料水比、旁路吸附塔填料换料时间间隔、吸附塔填料填装形式、系统温度对系统含油水浓度达标时间的影响。结果表明:净化达标时间随旁路流速的增加呈先减少后增加趋势,旁路... 基于循环冷却水旁路净化含油水的模拟装置,研究了旁路流速、各次料水比、旁路吸附塔填料换料时间间隔、吸附塔填料填装形式、系统温度对系统含油水浓度达标时间的影响。结果表明:净化达标时间随旁路流速的增加呈先减少后增加趋势,旁路流速为1.68×10-3m/s时,净化达标时间最短;选择适当的各次料水比1/2 400,保证较短的净化达标时间和较低的经济成本;换料时间间隔为△tn+1=1.2nh时,较其他方式更有效合理;吸油填料的填装形式为混合式,系统运行温度为35℃时,净化达标时间最短。 展开更多
关键词 循环冷却水 旁路净化 吸油填料 旁路流速 各次料水比 换料时间间隔 填装形式 温度
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CeO_(2)磨料在介质化学机械抛光及后清洗中应用的研究进展
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作者 闫妹 檀柏梅 +2 位作者 王亚珍 李伟 纪金伯 《稀土》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期106-117,I0005,共13页
氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互... 氧化铈(CeO_(2))磨料在化学机械抛光(CMP)效率、选择性以及表面质量等方面的表现优异,是目前浅沟槽隔离和层间电介质CMP的主要磨料,如何提高二氧化硅(SiO2)介质抛光速率(MRR)并改善表面质量是目前的研究热点。增强CeO_(2)⁃SiO2间的相互作用会大幅加快介质的去除率,但Ce—O—Si化学键的形成会导致CMP后清洗工艺的难度加大,因此,晶圆表面残余CeO_(2)磨料的有效去除被广泛关注。本文概述了CeO_(2)在二氧化硅CMP及后清洗工艺中的应用研究进展,并对CeO_(2)磨料的附着、去除机理进行了归纳分析。重点综述了复合磨料对CMP性能的影响以及水抛光工艺、物理及化学等方法的清洗效果。同时,对氧化铈作磨料的STI CMP及后清洗工艺中所面临的问题进行了总结,以期为其提供有价值的思考。 展开更多
关键词 氧化铈 浅沟槽隔离 化学机械抛光 Ce 3+浓度 复合磨料 材料去除速率 CMP后清洗
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